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公开(公告)号:CN106756990A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611031564.7
申请日:2016-11-22
申请人: 国营芜湖机械厂 , 合肥通用职业技术学院
IPC分类号: C23C24/10 , C21D1/18 , C21D1/04 , C21D7/04 , C22C38/44 , C22C38/04 , C22C38/02 , C22C38/56 , C22C38/06 , C22C38/60
CPC分类号: C23C24/103 , C21D1/04 , C21D1/18 , C21D7/04 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/44 , C22C38/56 , C22C38/60
摘要: 本发明公开了一种沉淀硬化不锈钢熔覆层表面纳米化重构处理方法。通过激光熔覆技术在基体表面凝固形成熔覆层,然后利用超声滚压纳米化技术在沉淀硬化不锈钢表面熔覆层上制备纳米结构改性层,降低熔覆层内部孔隙、微裂纹等缺陷,形成有益的残余压应力,改善熔覆层的耐磨性、耐腐蚀性和抗疲劳性能,提高修复或再制造零件的使用寿命。
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公开(公告)号:CN219575565U
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202320094814.0
申请日:2023-02-01
申请人: 国营芜湖机械厂
摘要: 本实用新型涉及BGA、CSP类芯片焊接技术领域,具体为BGA、CSP类芯片原位锡球植球辅助装置,辅助装置包括聚甲醛治具、限位套装在聚甲醛治具上的钢网、限位套装在聚甲醛治具上且将钢网夹在中间的开口式环形聚甲醛治具,聚甲醛治具上设置有凹槽,钢网上设置有与凹槽位置对应的柱状孔洞,开口式环形聚甲醛治具的侧边开设有导流槽。本实用新型可在植球治具原位进行BGA的植球和焊接工作,可靠性大大提高;一是解决在电路返修返工中,锡球植球工艺中,芯片植球后脱模过程中撬动产生抖动,造成植球失败的问题;二是解决了在电路返修返工中,锡膏或锡浆植球工艺中,容易形成锡球大小不一致的情况发生,从而导致焊接一致性差和焊接质量问题发生等问题。
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