公开(公告)号：CN112385313A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201880095197.8

申请日：2018-07-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  孙屹 ,  齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  金子诚二

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

Abstract: 第一触控面板用配线(321)以及第二触控面板用配线(322)在与第一堤(23a)以及第二堤(23b)的各个的相交部分(C1、C2)中，相互之间隔着层间绝缘膜(323)形成。

公开(公告)号：CN110892469A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201780093231.3

申请日：2017-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  金子诚二 ,  三轮昌彦

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

Abstract: 一种显示器件，其是具备树脂层(12)、及所述树脂层的上层的TFT层(4)，且在周缘设有弯曲部(CL)的显示器件，其具有与所述TFT层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线(TW)，所述端子配线包含：第一配线(WS1)及第二配线(WS2)，位于所述弯曲部的两侧；第三配线(WS3)，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线(WS4)，配置于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。

公开(公告)号：CN108352139A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062000.1

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明提供显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法。阵列基板(11b)包括：玻璃基板(GS)；多个输入端子部(28)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，其中栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且至少一部分的倾斜角度设为35°以下；第一平坦化膜(20)，其中第一平坦化膜端部(20a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且其倾斜角度大于栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)的倾斜角度；以及多个端子布线部(29)，其横跨栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)以及第一平坦化膜端部(20a)并且与多个输入端子部(28)连接。

公开(公告)号：CN107003569A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062521.2

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 三宅敢 ,  神崎庸辅

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133723 ,  G02F1/13378 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/133715 ,  G02F2001/133742 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/124 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种通过光配向处理防止TFT特性劣化而抑制显示不均匀的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置为具有薄膜晶体管基板以及液晶层的液晶显示装置，所述薄膜晶体管基板具有沟道蚀刻结构的薄膜晶体管和配向膜，所述薄膜晶体管依次具有栅极电极、栅极绝缘膜、含有氧化半导体的沟道层、一对源极以及漏极电极，所述配向膜含有选自由肉桂酸酯结构、查耳酮结构、偶氮苯结构、茋结构、香豆素结构、苯酯结构构成的群中的至少一种。

公开(公告)号：CN106796959A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580054605.1

申请日：2015-10-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  金子诚二

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 在包含由氧化物半导体构成的半导体层的半导体装置中，抑制TFT间的特性的参差不齐的产生。在由氧化物半导体构成的半导体层(11)的上层形成钝化膜(17)的半导体装置(100)的制造过程中，以使得半导体层(11)的与钝化膜(17)的界面的纯金属比率(纯金属与半导体层(11)的所有构成成分的比例)高于该半导体层(11)的主体中的纯金属比率的方式，设定钝化膜(17)的成膜条件。

公开(公告)号：CN105981148A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007934.0

申请日：2015-02-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  金子诚二 ,  齐藤贵翁 ,  高丸泰 ,  井手启介

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/318 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2202/02 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜。

公开(公告)号：CN103430088A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012567.X

申请日：2012-03-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78636

Abstract: 在玻璃基板（11）上形成TFT（1），并形成覆盖TFT（1）的平坦化树脂膜（17）。接着，形成覆盖平坦化树脂膜（17）的整个表面的防湿性的保护膜（18）。保护膜（18）使用SiO2膜、SiN膜、SiON膜或者它们的叠层膜。将平坦化树脂膜（17）的端面配置在密封件（4）的内侧或者下方，并将平坦化树脂膜（17）的端面设为锥形形状。由此，防止水分向平坦化树脂膜（17）侵入，防止显示劣化。该效果在包含氧化物半导体TFT的显示装置中显著。

公开(公告)号：CN103262250A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059369.4

申请日：2011-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大 ,  楠见崇嗣 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/15 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的半导体装置包括：形成在基板(60)上的薄膜晶体管(10)的栅极电极(62)和供氧层(64)；形成在栅极电极(62)和供氧层(64)之上的栅极绝缘层(66)；形成在栅极绝缘层(66)之上的薄膜晶体管(10)的氧化物半导体层(68)；和配置在栅极绝缘层(66)和氧化物半导体层(68)之上的薄膜晶体管(10)的源极电极(70S)和漏极电极(70d)。

公开(公告)号：CN101277886B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200680036493.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  锦博彦

IPC: B65H18/28 ,  G02F1/13

CPC classification number: B65H18/00 ,  B65H18/08 ,  B65H2301/4127 ,  B65H2301/414324 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133351

Abstract: 本发明公开了薄膜辊制造方法及制造装置和薄膜辊。该薄膜辊制造方法为制造卷绕有薄膜基板(1)的薄膜辊(3b)的方法。该薄膜辊制造方法包括：在薄膜基板(1)的两端部及中间部，沿着该薄膜基板(1)的长边方向分别配置带状隔离物(2b、2c)的隔离物配置工序；以及隔着该被配置的各个隔离物(2b、2c)卷绕薄膜基板(1)的卷绕工序。

公开(公告)号：CN202839621U

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201090001016.X

申请日：2010-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中谷喜纪 ,  守口正生 ,  神崎庸辅 ,  高西雄大

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675

Abstract: 本实用新型的目的在于维持薄膜晶体管的导通电流，并且降低截止电流。在TFT(100)中，在玻璃基板(101)上形成源极电极(110)和漏极电极(112)，在它们的上表面分别形成有包括微晶硅的n型硅层(120、121)。在n型硅层(120、121)上形成微晶硅区域(135、136)，在玻璃基板(101)上形成有非晶硅区域(130)。以覆盖它们的方式形成有微晶硅层(145)。因此，导通电流从漏极电极(112)按顺序通过微晶硅区域(135)、微晶硅层(145)、微晶硅区域(136)，向源极电极(110)流动。另外，截止电流被非晶硅区域(130)限制。