公开(公告)号：CN104714341B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201410753577.X

申请日：2014-12-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 松岛寿治

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F1/134363 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/124

Abstract: 提供使响应速度提高，且使像素间的边界上的液晶的取向稳定性提高，提高面内的显示质量的液晶显示装置以及具备液晶显示装置的电子设备。液晶显示装置是在对置的第一基板以及第二基板之间具有液晶层的液晶显示装置，第一基板具有第一电极和第二电极，第一电极或第二电极的一方是按每个像素而被划分的像素电极。第一电极包含：电极基部，向第一方向延伸；以及梳齿部，向与该第一方向不同的第二方向延伸，且相隔一定距离而从电极基部以梳齿状突出多个。在相邻的梳齿部之中，包含具有靠近像素间的边界的一方的梳齿部的第一长边与另一方的梳齿部的第一长边非平行的关系的相邻的梳齿部。

公开(公告)号：CN107577097A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710541226.6

申请日：2017-07-05

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李起昌 ,  金容照 ,  金喆浩 ,  梁健祐 ,  梁志薰 ,  李庸羽

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/122 ,  G02F2201/124 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器。该液晶显示器包括：在第一方向上延伸的栅极线；从栅极线突出的栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上同时与栅电极绝缘的有源层；设置在有源层上并且在第二方向上延伸的数据线；从数据线突出的源电极，具有在平面上与栅电极重叠的一部分，并且包括彼此分离的多个源电极分支；与源电极分离的漏电极，并且包括多个漏电极分支，以及连接多个漏电极分支的漏电极连接部分，每个漏电极分支设置在多个源电极分支中的两个之间；限定像素区域的像素电极；设置在像素电极上的液晶层。

公开(公告)号：CN107402480A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710173709.5

申请日：2017-03-22

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金勋 ,  金竟钟 ,  申旗澈

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/134354 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/124 ,  G02F2201/15 ,  G02F2203/30 ,  G09G3/2074 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0447 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/0271

Abstract: 本申请涉及一种液晶显示器。该液晶显示器包括第一基板、第一子像素电极、连接电极、及第二子像素电极。第一子像素电极在第一基板上并且包括在第一方向上延伸的第一主干以及从第一主干延伸的多个分支。连接电极电连接至第一子像素电极。第二子像素电极在与第一子像素电极相同的层上并且包括不与连接电极重叠的多个分离电极。分离电极中的至少一个在分支中彼此相邻的第一子分支与第二子分支之间。第二子像素电极为浮置电极。

公开(公告)号：CN104237725B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201410449167.6

申请日：2014-09-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 武延兵

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 ,  G01R31/02 ,  G01R31/025 ,  G02F1/134363 ,  G02F2001/134381 ,  G02F2201/124 ,  G02F2203/69

Abstract: 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种确定光栅器件中的短路点的位置的方法，用以提供一种确定同时与第一透明电极和第二透明电极接触的短路点的位置的方案。本发明实施例提供的确定光栅器件中的短路点的位置的方法，包括：在光栅器件的公共电极层上施加第一直流电压信号；以及，仅在光栅器件的第一透明电极上施加第二直流电压信号；或者，仅在光栅器件的第二透明电极上施加第二直流电压信号；或者，在光栅器件的第一透明电极和第二透明电极上均施加第二直流电压信号；其中，第一直流电压信号和第二直流电压信号的电压值的差值的绝对值不小于液晶偏转阈值电压值；获取光栅器件在对应显示区的灰度值，并根据获取的灰度值，确定短路点的位置。

公开(公告)号：CN106406595A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510558136.9

申请日：2015-09-06

Applicant: 明兴光电股份有限公司

Inventor： 王威捷 ,  詹孟嘉

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0421 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1533 ,  G02F1/155 ,  G02F2201/124 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F3/047 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供一种触控装置，包括沿着一个方向依序堆叠的第一基板、触控感测结构、绝缘层、驱动电极、电致变色层、反射电极以及第二基板。驱动电极以及反射电极用以驱动电致变色层。驱动电极与绝缘层接触。绝缘层在一方向上具有厚度T1。第一基板在该方向上具有厚度T2。T1

公开(公告)号：CN103488008B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201310467672.9

申请日：2013-10-09

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 曲莹莹 ,  张洪林 ,  王丹

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134381 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/124 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0426

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其驱动方法、显示装置，涉及显示技术领域。本发明提供的阵列基板包括栅线和数据线、像素单元，每个像素单元包括公共电极和像素电极，公共电极包括第一公共电极和第二公共电极，公共电极均为狭缝状电极，第一公共电极包括多个第一条形电极，第二公共电极包括多个第二条形电极，第一条形电极和第二条形电极交替设置，用于分别与所述像素电极形成电场。本发明通过提供一种阵列基板及其驱动方法、显示装置，通过设置分别与像素电极形成多维电场的第一公共电极和第二公共电极，用以提供显示装置的光透过率。

公开(公告)号：CN106292105A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610792710.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 郝思坤

IPC: G02F1/1362 ,  G06F3/044 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/124 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G09G3/3677

Abstract: 本申请提出了一种具有触控感测器的液晶显示装置及其驱动方法。涉及液晶显示技术领域。为解决现有技术显示器穿透率大幅下降的问题，本发明具有触控感测器的液晶显示装置，在液晶显示装置的像素内增加触控功能，触控功能采用触控引线实现，两个相邻像素单元的蓝色子像素和红色子像素之间覆盖数据线的公共电极设置为触控引线。该触控引线在触控扫描阶段作为触控线，在非触控扫描阶段作为公共电极。本发明主要应用于液晶平板显示器。

公开(公告)号：CN103500730B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310486484.0

申请日：2013-10-17

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 郭建

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/124 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板制作曝光次数多、工序复杂、成本高的问题。一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，其中，所述在衬底基板上形成栅绝缘层、有源层和源漏金属层包括：在衬底基板上形成栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜；利用一次构图工艺形成的所述栅绝缘层、有源层以及源漏金属层。

公开(公告)号：CN105793770A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480066415.7

申请日：2014-12-04

Applicant: DIC株式会社

Inventor： 小川真治 ,  岩下芳典 ,  栗山毅 ,  平田真一

IPC: G02F1/1337 ,  C09K19/12 ,  C09K19/30 ,  C09K19/42 ,  G02F1/13

CPC classification number: C09K19/3003 ,  C09K19/2014 ,  C09K19/542 ,  C09K19/56 ,  C09K2019/0448 ,  C09K2019/122 ,  C09K2019/123 ,  C09K2019/3004 ,  C09K2019/3009 ,  C09K2019/301 ,  C09K2019/3016 ,  C09K2019/3027 ,  C09K2019/303 ,  C09K2019/305 ,  C09K2019/548 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133723 ,  G02F1/133788 ,  G02F1/1341 ,  G02F2001/133742 ,  G02F2001/13415 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/124

Abstract: 本发明提供一种液晶显示元件及其制造方法，所述液晶显示元件不会使介电常数各向异性、粘度、向列相上限温度、旋转粘度(γ1)等作为液晶显示元件的各特性和液晶显示元件的烧屏特性恶化，并且在制造时不易产生滴痕。此外，根据本发明，能够制造如下液晶显示元件：作为液晶显示元件的高速响应性优异，液晶分子的取向性、预倾角稳定，烧屏的发生少，其制造时的滴痕产生少。本发明中制作的液晶显示元件可有效地用作液晶TV、监视器等的显示元件。

公开(公告)号：CN105652548A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610207446.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 王勐

IPC: G02F1/1368 ,  H01L23/552 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/086 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/124 ,  G02F2201/50 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L23/552 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括：依次设置的衬底基板、第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层；第一金属层包括薄膜晶体管的栅极区；有源层用于形成沟道；所述第二金属层包括所述薄膜晶体管的漏极区和源极区；所述第三金属层包括光照保护区，所述光照保护区与所述沟道的位置相对应。本发明的阵列基板及液晶显示面板，由于在于沟道对应的位置上设置光照保护区，从而避免沟道受到紫外光照射，提高了薄膜晶体管的充电性能。