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公开(公告)号：CN113061864A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110276203.3
申请日：2021-03-15
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种夹持环及其内部螺孔的加工方法和用途，所述夹持环包括环形底盘和环绕环形底盘外围的外圆周体，环形底盘中部设置有内圆周体，内圆周体设置有均匀分布的固定面，固定面上设置有呈三角形设置的螺孔，所述夹持环应用于半导体的物理气相沉积镀膜生产过程，能够防止晶圆在溅射过程中产生移动，所述夹持环通过粗铣出固定面，依次经第一加工、第二加工和第三加工的加工方法制备出夹持环内部的螺孔，所述加工方法操作简单，能够满足夹持环复杂的结构要求，稳定生产出满足使用要求的夹持环。
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公开(公告)号：CN113061853A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110287181.0
申请日：2021-03-17
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：将铝或铝合金靶材坯料依次进行锻伸、一次热处理、锻造、二次热处理以及轧制，得到高纯铝或铝合金靶材；所述一次热处理的温度为345～355℃；所述二次热处理的温度为290～310℃；所述制备方法通过优化热处理工艺，显著细化了晶粒尺寸，解决了大尺寸靶材的晶粒均匀性和使用性能问题，工艺流程简单，成本低，有利于规模化生产，具有较好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN113025971A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110227697.6
申请日：2021-03-01
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种管靶材及其用途，所述管靶材包括管体及内孔，所述内孔两端分别设置有第一螺孔和第二螺孔，所述第一螺孔内设置有第一螺纹，所述第二螺孔内设置有第二螺纹，所述管体侧面设置有铬硅合金层；所述管靶材结构简单，易加工，将所述管靶材应用于溅射镀膜中，使用效果良好能够满足更高层次的要求，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN113004040A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110199569.5
申请日：2021-02-22
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC分类号： C04B35/52 , C04B35/565 , C04B35/622 , B33Y30/00 , B41J2/335
摘要： 本发明提供一种碳碳化硅靶材及其制备方法和用途，所述碳碳化硅靶材的制备方法通过将碳粉和碳化硅粉混合后经两次球磨，并在二次球磨之间进行干燥处理，后续再经装模、烧结和冷却，得到所述碳碳化硅靶材。所述制备方法的制备工艺简单，且二次球磨结合烧结工艺能够制得致密度≥99.0％的碳碳化硅靶材。所得碳碳化硅靶材的微观组织均匀致密且靶材溅射性能优良，应用在3D打印或热敏打印等领域可有效提高打印设备工作效率及使用寿命，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN110814096B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911127293.9
申请日：2019-11-18
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种金属靶材焊接后整形方法，所述方法通过在靶材组件的靶材上方依次设置缓冲垫和垫块后再进行加压整形，其中，所述缓冲垫的硬度为30～60HA，抗张强度为50～100kg/cm2，较好地缓解了整形过程中靶材表面瞬间承受很大压力，容易出现贯穿裂纹和开裂现象的问题，对靶材起到了较好的保护和缓冲作用，提高了靶材的良率；本发明还通过在整形之前先将靶材加热以及在靶材组件的背板下面设置垫圈，提高了整形机对靶材的整形效率和整形后靶材的平面度，具有较高的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN112921287A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110090491.3
申请日：2021-01-22
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种超高纯铜靶材及其晶粒取向控制方法，所述晶粒取向控制方法将超高纯铜铸件依次进行热锻处理、一次热处理、冷锻处理、二次热处理、静压处理以及轧制，得到超高纯铜靶材。本发明所述晶粒取向控制方法将热锻和冷锻相结合，并在冷锻之后加入静压处理，可以有效地控制超高纯铜靶材的晶粒尺寸和晶粒取向，使得超高纯铜靶材的晶粒尺寸≤10μm，晶粒取向为(110)面的晶粒占比为30％‑50％，满足集成电路14nm工艺制程对于晶粒尺寸和晶粒取向的双重要求，保证了溅射过程稳定，溅射膜厚度均匀；而且，本发明所述晶粒取向控制方法的工艺操作简便，无需复杂工艺条件，制备成本较低，适用性广。
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公开(公告)号：CN112917108A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110276206.7
申请日：2021-03-15
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC分类号： B23P15/00
摘要： 本发明提供一种冷却托盘及其加工方法和用途，所述冷却托盘为仿水滴形，包括内圆盘和环绕在内圆盘外的仿水滴外环，仿水滴外环设置有环绕内圆盘的圆心均匀分布的钻孔，钻孔从上到下依次设置有方形通孔、第一圆形通孔和第二圆形通孔，仿水滴外环的尖端设置有圆形铣槽，圆形铣槽设置在冷却托盘的反面，圆形铣槽上设置有环绕圆形铣槽的圆心均匀分布的第三圆形通孔，圆形铣槽上设置有环绕圆形铣槽的圆心均匀分布的螺孔，所述冷却托盘用来与其他组合件配合，形成一个平台，在半导体芯片制造过程中起到冷却作用，所述冷却托盘通过计算机数字控制机床加工分步骤进行制备，满足对冷却托盘的外形尺寸和平面度的严格要求，能够保证方法要求。
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公开(公告)号：CN112916996A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110120292.2
申请日：2021-01-28
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
IPC分类号： B23K15/00
摘要： 本发明涉及一种圆形靶材和环形背板的电子束焊接方法，包括如下步骤：(1)准备圆形靶材和环形背板，通过机加工使得两者的接触面呈现斜面；(2)将步骤(1)所述圆形靶材和环形背板进行装配，对所述斜面进行电子束焊接。本发明所述电子束焊接方法对装配结构进行了改进，将接触面的形状由原来的L形优化为斜面，只需进行一道次的电子束焊接即可，改善了原来的两道次电子束焊接的虚焊问题，而且无需再通过翻转操作来改变焊接方向，保证了产品的合格率，提高了生产效率，确保了工艺实施的可靠性。
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公开(公告)号：CN112872077A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110130054.X
申请日：2021-01-29
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种高纯银蒸发料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将高纯银锭和挤压模具经预热后进行挤压作业，得到直径为8‑10mm的中间料；(2)将中间料进行拉拔处理，得到直径为3‑6mm的所述高纯银蒸发料。本发明提供的制备方法，通过采用将挤压作业和拉拔处理相结合，并控制挤压作业产品的直径，以保证拉拔时具有特定的进料直径，并控制最终高纯银蒸发料产品的直径实现了高性能银蒸发料的制备，使得其作为银蒸发料镀膜时具有致密度高，组织均匀分布的特性。
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公开(公告)号：CN112809455A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110003425.8
申请日：2021-01-04
申请人： 宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要： 本发明提供一种钨硅靶材及其溅射面的抛光方法，所述抛光方法包括往返进行的第一水磨抛光、第二水磨抛光与第三水磨抛光；所述往返的次数为15‑25次；所述第一水磨抛光、第二水磨抛光与第三水磨抛光的靶材运行速度分别独立地为0.1‑0.3m/s，且分别独立地采用水磨砂带进行；所述水磨砂带的转速为10‑30r/min，规格包括600#白刚玉砂带或800#白刚玉砂带；所述第一水磨抛光、第二水磨抛光与第三水磨抛光的过程中分别独立地伴随着冷却水冲刷靶材溅射面；所述冷却水的冲刷速率为600‑800mL/min，温度为5‑25℃。所述抛光方法大幅度降低了靶材溅射面粗糙度的同时，避免了靶材出现开裂现象，并且降低了生产成本，易于推广应用。
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