透明导电性层叠体
    91.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100407017C

    公开(公告)日:2008-07-30

    申请号:CN200610083374.X

    申请日:2006-06-06

    Abstract: 本发明提供透明导电性层叠体,其是在厚度为2~200μm的透明薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性层叠体,其特征在于:第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成的,并且第一透明电介质薄膜包含相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0~20重量份、氧化铈10~40重量份的复合氧化物,当设第一透明电介质薄膜的折射率为n1、第二透明电介质薄膜的折射率为n2、透明导电性薄膜的折射率为n3时,满足n2<n3≤n1的关系。

    透明导电性叠层体及触摸面板

    公开(公告)号:CN101196654A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200710196991.5

    申请日:2007-12-07

    CPC classification number: C23C14/08 Y10T428/24942

    Abstract: 本发明提供一种透明导电性叠层体,是在透明的薄膜基材的一方的面上,从上述薄膜基材侧开始依次形成第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜及透明导电性薄膜的透明导电性叠层体,其透过率高,并且生产性良好,而且除了具有笔输入耐久性以外,还具有表面压力耐久性。本发明是在厚2~200μm的透明的薄膜基材的一方的面上,从上述薄膜基材侧开始依次形成第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜及透明导电性薄膜,在透明的薄膜基材的另一方的面上,经由透明的粘接剂层贴合有透明基体的透明导电性叠层体,第一透明电介质薄膜被利用真空蒸镀法、溅射法或离子镀法形成,并且第一透明电介质薄膜由在氧化铟100重量份中含有氧化锡0~20重量份、氧化铈10~40重量份的复合氧化物构成,在将第一透明电介质薄膜的折射率设为n1,将第二透明电介质薄膜的折射率设为n2,将透明导电性薄膜的折射率设为n3时,满足n2<n3≤n1的关系,透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘接剂层叠层的叠层透明基体。

    带防污层的光学薄膜
    97.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115916528A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180046973.7

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)朝着厚度方向(T)依次具备透明基材(10)和防污层(30)。防污层(30)的与透明基材(10)相反的表面(31)侧的、通过利用X射线光电子能谱法进行的元素分析而检测到的F相对于Si的比率在分析深度为1nm时为20以上。

    带防污层的光学薄膜
    99.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115803194A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180049523.3

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明的光学薄膜(F)是一种带防污层的光学薄膜,其依次具备透明基材(10)、光学功能层(20)和防污层(30)。防污层(30)的与光学功能层(20)相反一侧的外表面(31)具有110°以上的水接触角。

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