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公开(公告)号：CN118041300A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211425194.0
申请日：2022-11-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H03H17/02
摘要： 本发明实施例提供一种拼接滤波器、拼接方法及电子设备。第一滤波器和与所述第一滤波器拼接的第二滤波器；所述第二滤波器的透射谱的通带宽度大于所述第一滤波器的透射谱的通带宽度，且所述第二滤波器的透射谱的通带不平坦度小于所述第一滤波器的透射谱的通带不平坦度。本发明提出的拼接滤波器，通过第一滤波器级联第二滤波器的方式增加信号的滤波级数，并且，基于第一滤波器和第二滤波器的透射谱的通带宽度和通带不平坦度的关系，能够使得拼接滤波器继承第一滤波器的透射谱的通带内的形状，更好的继承第一滤波器的优异性能。
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公开(公告)号：CN117666024A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211053584.X
申请日：2022-08-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
摘要： 本发明涉及一种消除光器件偏振相关频移的方法和装置。其方法部分主要包括：紫外激光辐射步骤，确定将光器件的折射率调制至目标值的改变量，采用紫外激光对光器件的指定区域进行辐射，使其折射率的改变量达到要求值；热风源退火步骤，采用热风源对光器件的辐射区域进行局部退火，以去除由紫外激光引入的应力双折射效应及偏振相关频移；多次交替进行紫外激光辐射步骤、热风源退火步骤，直至去除应力双折射效应及偏振相关频移的同时，使折射率的改变量达到要求值。本发明可以使被辐射的光器件不需要采用刻蚀开槽等消除双折射的复杂工艺流程，即可以实现折射率调制，同时将偏振相关频移降到合理范围内。
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公开(公告)号：CN117639918A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210971246.8
申请日：2022-08-12
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
IPC分类号： H04B10/079 , H04B10/50 , H04B10/572 , H04B10/58
摘要： 本发明实施例提供一种波的补偿方法、装置、设备及可读存储介质。其中，所述方法包括：获取所述波对应的中心波长；其中，所述中心波长表征满足第一预设条件的所述波覆盖光谱范围的中心对应的波长；确定所述中心波长的第一偏移量；在所述第一偏移量满足第二预设条件的情况下，基于所述中心波长和所述第一偏移量确定所述波的第一波长参数；基于所述第一波长参数确定所述波的补偿参数；根据所述补偿参数对所述波进行补偿。通过计算出基于中心波长对应的第一偏移量，根据所述第一偏移量对芯片精准筛选，并根据所述第一偏移量和所述中心波长确定对所述波进行补偿的补偿参数，在保证指标合格的同时，进一步提升了芯片的有效利用率。
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公开(公告)号：CN117639914A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210967507.9
申请日：2022-08-12
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/077 , H04J14/02
摘要： 本发明实施例提供一种波的偏移量的确定方法、装置、设备和存储介质。其中，所述方法包括：获取所述波在第一工作温度下的损耗数据；判断所述损耗数据是否满足预设指标的要求；在所述损耗数据满足所述预设指标的要求的情况下，基于所述损耗数据和所述预设指标确定所述波在所述第一工作温度下的目标偏移量。通过获取所述波在第一工作温度下的损耗数据，结合所述损耗数据对应的所述预设指标的要求，确定所述波在所述第一工作温度下的目标偏移量，根据所述目标偏移量筛选芯片，保证了成品合格率的同时，也提升了芯片的利用率。
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公开(公告)号：CN110361877B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201910645398.7
申请日：2019-07-17
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明涉及光通信技术领域，尤其是涉及一种硅基光调制器光路监控结构，包括一个或多个光探头，每个光探头后端连接一个监控探测器；所述光路监控结构与光调制器集成，所述光调制器包括合束器，所述一个或多个光探头分别与所述合束器的输出波导耦合；其中，当所述合束器的两端输入光为反相输入时，干涉相消，所述一个或多个光探头接收干涉后的散射光，并探测光功率，所述监控探测器将对应探头探测到的光功率转换成光电流。本发明在不额外增加工艺难度的条件下，利用光探头和监控探测器接收干涉后的散射光来实现光路监控，输出反相时无相位偏移，可克服偏置点锁定偏差的问题，并有效降低分光器带来的传输损耗。
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公开(公告)号：CN109143466B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201811011493.3
申请日：2018-08-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种混合集成硅光芯片、光器件及芯片制作方法。所述芯片包括硅衬底；位于所述硅衬底上的二氧化硅包层；分别集成在所述二氧化硅包层内且位于所述硅衬底上的半导体激光器芯片、第一混合集成波导、光信号处理单元和第二混合集成波导；所述光信号处理单元通过第一硅波导连接所述第一混合集成波导，通过第二硅波导连接所述第二混合集成波导，用于对光信号进行调制/解调和分波/合波处理；所述第一混合集成波导包括一个或多个用于半导体激光器芯片耦合的Si3N4波导，所述第二混合集成波导包括一个或多个用于单模光纤耦合的Si3N4波导。所述芯片耦合效率高和耦合容差高。
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公开(公告)号：CN106712854B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201611183338.0
申请日：2016-12-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/50
摘要： 本发明公开一种MZI外调制器任意工作点的锁定方法及其装置，包括将频率f2方波串扰和频率f1方波串扰由加法器叠加在MZI外调制器上，产生含f1和f2频率分量的总反馈方波；在总反馈方波中提取频率f1方波串扰导致光功率变化的波形作为一阶反馈方波，提取一阶反馈方波的幅值和相位；将一阶反馈方波幅度随时间变化的波形做为二阶反馈方波提取出来确定相位；遍历施加偏置电压，当一阶反馈方波的平均幅值与f1反馈方波的幅度相同且相位相同，记录该电压值对应的一组工作点类型；然后监控二阶反馈方波的相位方向确定另一组工作点类型；由这两组工作点类型的交集确定满足符合所述电压值和相位方向条件的共同工作点锁定，本发明实现MZI外调制器任意工作点的锁定。
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公开(公告)号：CN106788693B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201611085560.7
申请日：2016-11-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/071 , H04B10/079
摘要： 本发明提供一种基于反射特性的光通信高频电路板传输特性测试方法，测试过程包括在未连接高频电路板的情况下对矢量网络分析仪进行校准；连接高频电路板的端口1到矢量网络分析仪的校准平面，高频电路板的端口2处于开路状态，利用矢量网络分析仪测得高频电路板的反射S参数，进行频域到时域的变换；去除高频电路板本身的反射，只保留高频电路板端口2的开路反射段响应，进行时域到频域的转换，得到新的反射S参数，获取高频电路板的传输参数。本发明所需设备简单，成本更低，通用性强；测试过程简单，后期处理简便，不仅可以快速计算测试出高频传输S参数，且能同时分析高频电路板的阻抗特性。
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公开(公告)号：CN106411399B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610785993.7
申请日：2016-08-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/079 , H04B10/69 , G02F1/03
摘要： 本发明公开双并联MZI型电光调制器光学损耗的自动测试方法，包括步骤：设置测试光源的出光波长通道，获得调制器的进光功率和不施加偏置电压时的出光功率P0；调节调制器I路的偏置电压，使调制器的出光功率达到最大；调节调制器Q路的偏置电压，使调制器的出光功率达到最大；调节调制器P路的偏置电压，使调制器的出光功率达到最大；记录调制器此时的出光功率P，将光功率P值减去出光功率P0获得功率增量ΔP，计算获得增量百分比ΔP/P；比较增量百分比ΔP/P和预设的阈值百分比，当增量百分比ΔP/P大于预设的阈值百分比，返回上步骤；若增量百分比ΔP/P小于或等于阈值百分比，则进入计算该波长通道的光学损耗；本发明测试方法简捷、测试电路设计简单。
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