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公开(公告)号：CN118041437A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211418902.8
申请日：2022-11-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/079
摘要： 本公开提供一种拼接滤波器的指标确定方法、装置及存储介质，所述拼接滤波器包括：梳状滤波器和波分复用器；所述方法，包括：获取拼接滤波器在第一温度下的第一数据；分别获取拼接滤波器内的梳状滤波器、波分复用器在第二温度下的温度相关参数；基于所述梳状滤波器、所述波分复用器在第二温度下的温度相关参数和所述拼接滤波器的所述第一数据，确定拼接滤波器在所述第二温度下的第二数据；基于拼接滤波器的第一数据和/或第二数据，确定拼接滤波器在第二温度下的指标值。
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公开(公告)号：CN117639917A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210968453.8
申请日：2022-08-12
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/079
摘要： 本发明提供一种滤波器指标确定方法、装置、设备和存储介质。其中所述方法包括基于所述滤波器在第一温度下的第一数据和所述滤波器在第二温度下的预设数据，确定所述滤波器的第二温度下的第二数据；基于所述滤波器在第二温度下的第二数据，确定所述滤波器在第二温度下的指标值，该方法简单高效地评估高低温环境下的滤波器指标，成本低且利于生产。还基于所述滤波器在第一温度下的第一数据和所述指标值对应的指标要求，反推出滤波器的预设数据，再根据所述预设数据与温度的对应关系，确定所述滤波器在一定指标要求下的温度范围。
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公开(公告)号：CN117638634A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311564077.7
申请日：2023-11-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 湖北光谷实验室
IPC分类号： H01S5/042
摘要： 本发明公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构，方法包括：在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层，所述Pad层为与金层低粘附力的介质层；在芯片上制作P面电极，所述P面电极的一部分位于所述Pad层上；基于经过钝化的Pad层与金层的低粘附力，在金丝与P面电极键合时，使金丝将P面电极位于所述Pad层上的部分拉起，且金丝与P面电极保持连接。本发明通过在P面电极键合区填充一层与金层低粘附力的介质层，通过键合工艺金丝键合时，将P电极层拉起来，相当于大大减小了P面电极金属面积，从而大大的降低了芯片电极电容。
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公开(公告)号：CN117154532A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210507202.X
申请日：2022-05-11
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了的一种半导体激光器芯片与制备方法，通过将腔面附近保留复合膜作为保护膜，防止金层在解理时直接拉扯InP材料，避免了金层拉扯碎屑吸附在腔面的问题；在制作P面电极金层制作的过程中，分成两次电极制作，第一层制作的金层电极致密且较薄，且在脊台靠近两端部分只有少量保留，保证了再基本解理时不会造成拉扯，第二层制作的金层电极较厚，并且不覆盖脊台靠近两端部分，保证了芯片散热；同时对双沟区域进行了BCB平坦化，避免在解理过程中出现解理纹路；在腔面则采用离子辅助镀膜技术镀上氮化铝钝化层，防止了水汽从光学膜慢慢渗透进入有源层，有效的提高了激光器可靠性。
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公开(公告)号：CN116908965A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310750276.0
申请日：2023-06-21
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开提供一种阵列波导光栅，所述阵列波导光栅，包括：输入波导结构，包括：输入波导和输入侧平板波导；输出波导结构，包括：输出波导和输出侧平板波导；阵列波导，位于所述输入波导结构和所述输出波导结构之间，且所述阵列波导分别与所述输入侧平板波导、所述输出侧平板波导连接；其中，所述输入侧平板波导和/或所述输出侧平板波导，包括：第一波导组件，设置有缝隙；两个第二波导组件，对称设置于所述第一波导组件相对的两侧，且所述第二波导组件与所述第一波导组件相连，所述第二波导组件的折射率呈周期性变化。
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公开(公告)号：CN108808437B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201810876867.1
申请日：2018-08-03
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种驱动电路以及使用该驱动电路的光模块，该驱动电路包括温度调节电路，温度调节电路包括反馈电路、设置电路、补偿电路以及差分放大电路；差分放大电路的第一输入端与反馈电路的输出端连接，其第二输入端与设置电路的输出端连接，其输出端与激光器组件的温度控制电路连接；设置电路的输出端还与补偿电路连接；补偿电路用于依据环境温度调节设置电路输入至差分放大电路的电压值，以控制温度控制电路加热或制冷，从而调节反馈电路输入至差分放大电路的电压值。本发明通过补偿电路对环境温度引起的温漂进行补偿，提高激光器组件的温度控制电路的稳定性，从而提高光模块的性能。
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公开(公告)号：CN106785882B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201611077804.7
申请日：2016-11-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器，其采用混合集成方案，使用低成本低损耗的硅基微环波导芯片作为外腔中波长调节单元，与III‑V族反射型半导体增益管芯通过两个准直透镜实现端面耦合，结构简单，克服了单片集成半导体激光器复杂的工艺限制，外腔中无活动部件，有效地提高了可靠性和稳定性。通过对硅基微环波导芯片结构的优化设计，大大降低了激光在硅基波导微环谐振腔中非线性光学效应产生机率，提高了该结构激光器允许输出的最大光功率。外腔准直光路中带通滤波器的加入，有效地降低了对硅基微环波导芯片的技术要求，可提高耦合封装的效率、适合于低成本批量生产。
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公开(公告)号：CN106773144B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201611183502.8
申请日：2016-12-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种用于硅光调制器自动偏压控制的电压处理方法，所述硅光调制器包括闭环反馈控制电路，所述闭环反馈控制电路根据硅光调制器的输出光信号产生反馈控制电压，并在所述反馈控制电压上叠加扰动电压后形成待加载到硅光调制器偏置电极上的偏置电压，将待加载到硅光调制器偏置电极上的初始偏置电压数值进行补偿运算，以获得实际加载偏置电压，将所述实际加载偏置电压加载到硅光调制器偏置电极上进行自动偏压控制，以使得所述硅光调制器的输出光信号与所述初始偏置电压数值呈线性关系变化；本发明电压处理方法简单，不需要额外设计新的硬件电路，纯软件处理，简单高效。
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公开(公告)号：CN106443902B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610504882.4
申请日：2016-06-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种大功率激光器，包括有边发射激光器芯片(1)和波导模场转换器，所述边发射激光器芯片(1)和波导模场转换器之间通过固定于硅基光基板(5)上的硅基衍射透镜(2)进行耦合，所述硅基衍射透镜(2)工作端面上刻蚀有环状沟槽，沟槽底面呈倾斜面，沟槽倾斜面的波导深度呈H(r，θ)＝λΦf(r，θ)/2∏，r是硅基衍射透镜(2)工作面上的极坐标距离，θ是硅基衍射透镜(2)工作面上的极坐标方位角，Φf(r，θ)是硅基衍射透镜(2)的相位分布，λ是入射光波长。本发明装置采用硅衍射透镜解决了边发射激光器芯片和模场转换器耦合中存在的模场半宽失配、耦合透镜的像差问题，能提高耦合效率；本发明有利于大规模生产的实现。
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公开(公告)号：CN106301554B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610786072.2
申请日：2016-08-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H04B10/079
摘要： 本发明公开一种并联MZI电光调制器工作点电压的调试方法及其调试装置，所述并联MZI电光调制器包括由I路子MZI和Q路子MZI并联而成的母MZI，固定I路子MZI和Q路子MZI中一个子MZI的偏置电压；逐步调节另外一个子MZI的偏置电压并测试在施加不同偏置电压时母MZI的消光比Per，找到使母MZI的消光比Per达到最小值时所对应的偏置电压以作为该另外一个子MZI的工作点电压；再找到使母MZI的消光比Per达到最小值时所对应的偏置电压以作为该一个子MZI的工作点电压；将两个子MZI的偏置电压分别设定为其所对应的工作点电压，调节母MZI调相电压直至该并联MZI电光调制器的输出效果达到最佳，确定母MZI的调相电压。本发明方法和装置简单，调节过程快捷高效。
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