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公开(公告)号：CN109576680A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811398391.1
申请日：2018-11-22
CPC分类号： C23C16/407 , B82Y30/00 , C23C16/45525 , C23C18/1204 , C23C28/04 , G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种复合材料的制备方法及其产品和应用，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，可提升材料的气敏性能；采用冷冻干燥技术处理样品，可防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层可以防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，有助于进一步提升材料的长期稳定性及灵敏度。该方法制备的复合结构可有效改善单一材料灵敏度和稳定性不足的缺点，并可降低材料的工作温度。本发明制备的SnO2/SnS2/SnO2纳米材料可用于有毒气体检测、光催化降解污染物等领域。
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公开(公告)号：CN109395747A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811359989.X
申请日：2018-11-15
IPC分类号： B01J27/051 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/34
摘要： 本发明涉及一种采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下，获得了纳米片组装的花状Ni-doped MoS2结构，随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层，即可获得催化性能优异的花状Ni-doped MoS2/TiO2光催化材料，获得了一种稳定性强催化活性高的Ni-doped MoS2/TiO2光催化材料，整体制备方案可控性高，适用于规模化生产。本发明制备的花状Ni-doped MoS2/TiO2光催化材料，可直接用于可见光催化反应。
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公开(公告)号：CN109365831A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811556386.9
申请日：2018-12-19
IPC分类号： B22F9/24 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明提供了一种基于尖端沉积Pd/Ag金纳米双锥结构的新型红外光电探测基底的制备方法，即利用弱酸还原Pd和Ag阳离子溶液的方式在金纳米双锥尖端沉积Pd/Ag合金，从而获得吸收峰在1400-2000nm范围的尖端沉积Pd/Ag金纳米双锥结构。通过对硅片进行表面处理，将尖端沉积Pd/Ag金纳米双锥有效负载在硅片表面以构建高性能近红外光吸收层，后利用原子层沉积在得到的基底表面沉积一定厚度的氧化物薄膜，从而获得高性能的近红外光电探测基底。本发明所制备的探测基底对1400-2000nm红外波段的光表现出良好的选择性响应，且整体制备方法易控，可重复性强，兼容性高、抗干扰能力强，能够适用于不同的工作环境。
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公开(公告)号：CN108993554A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810746692.2
申请日：2018-07-09
IPC分类号： B01J27/138 , B01J37/10 , B22F9/24 , B22F1/02
摘要： 本发明涉及一种三维片状纳米线的制备方法，该三维片状纳米线为Zn5(OH)8Cl2·H2O@In纳米线，以锌片、铟源为前驱体，以硫源为辅助剂，通过控制溶剂热的温度和时间制备出硫化物包裹的铟纳米线，将所制备的硫化锌包裹的铟纳米线用盐酸腐蚀,烘干，即可得到结晶性优良的三维片状纳米线，其表面的Zn5(OH)8Cl2·H2O超薄纳米片具有良好的结晶性。本发明方法简单可控，重复性高，有利于大批量制备；能通过氧化/硫化等二次处理转化为Zn5(OH)8Cl2·H2O@In2O3(In2S3)半导体异质结，从而提升Zn5(OH)8Cl2·H2O材料的光电性能并进一步拓展其在气敏等其他领域的应用。
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公开(公告)号：CN107841791A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711085500.X
申请日：2017-11-07
摘要： 本发明涉及一种单晶铟纳米线的制备方法及其产品和应用，本发明以锌片和铟源为前驱体，以硫源为辅助剂，通过控制溶剂热的温度和时间，即可制备出由一层硫化物包裹的单晶铟纳米线。本发明通过溶剂热法大批量制备出单晶铟纳米线的长度为100-300μm，平均直径约为200nm，具有极高的长径比。并且该制备过程具有简单，安全可靠，无毒无污染，成本较低和可重复性性好等优点。生成的铟纳米线经盐酸腐蚀去掉表面硫化物后，可进一步合成为In2O3，In2S3，InP，InAs等半导体，这些化合物在各种合金的制造、半导体材料的合成、红外线检测器等领域都具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105403551B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510721659.0
申请日：2015-10-30
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明提供一种具有拉曼增强性能薄膜的制备方法，利用磁控溅射共溅射在光滑石英或单晶硅基底上制备100nm‑150nm的银和二氧化硅纳米复合薄膜；在复合薄膜表面继续溅射一层30‑50nm纳米银薄膜；将上述薄膜放入退火炉中，在保护性气氛下加热至900℃‑940℃进行退火1‑3小时，冷却至室温，即得到一种具有拉曼增强性能薄膜。本发明制备工艺简单，重复性好，且稳定性好。
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公开(公告)号：CN107185522A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710383499.2
申请日：2017-05-26
IPC分类号： B01J23/31 , C02F1/30 , C02F101/30
摘要： 本发明涉及一种单斜晶型氧化钨复合钒酸铋光催化材料及其制备方法和应用，采用溶胶凝胶法，配置加入了适量C6H8O7(柠檬酸)的Bi(NO)3·5H2O硝酸溶液；与加入了适量C6H8O7(柠檬酸)的NH4VO3水溶液采用磁力搅拌混合均匀，加入适量(NH4)6H2W12O40(偏钨酸氨)作为氧化钨的前驱反应源，放置在80℃‑100℃的水浴条件下反应4小时，烘干研磨后经马弗炉褪火；通过优化反应过程中的酸碱度、反应温度及物质的量和褪火参数，即可制备具有良好光催化性能的单斜晶型氧化钨复合钒酸铋材料。本发明的提供的制备方法原材料绿色环保，丰富低廉，简单易控，易于实现大规模批量生产，具有重要的应用潜力。
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公开(公告)号：CN106629839A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610989315.2
申请日：2016-11-10
IPC分类号： C01G23/053 , C03C17/34 , B01J21/06 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC分类号： C01G23/0536 , B01J21/063 , B01J35/004 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/231 , C03C2217/71 , C03C2218/15 , C23C16/405 , C23C16/45534
摘要： 本发明涉及一种锐钛矿晶型二氧化钛光催化薄膜及制备方法，以四氯化钛和高纯水为前驱源，以高纯氮为载流气体，通过重复四氯化钛和水蒸气沉积组合实现对薄膜厚度的控制；上述四氯化钛和水蒸气的沉积组合为2次四氯化钛脉冲和1次水蒸气脉冲，其沉积组合为四氯化钛脉冲/高纯氮冲洗/四氯化钛脉冲/高纯氮清洗/水蒸气脉冲/高纯氮清洗；四氯化钛沉积时的载气流量为150sccm，脉冲持续时间为0.2s，冲洗时间为2s；水蒸气沉积时的载气流量为200sccm脉冲持续时间为0.3s;冲洗时间为3s；沉积过程中低真空环境为6‑10hPa，沉积温度范围为200‑350℃。本发明在ITO和FTO导电玻璃及硅（100）基底上制备的TiO2薄膜为单一锐钛矿结构，具有良好的光催化性能。
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公开(公告)号：CN105000587B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510403040.5
申请日：2015-07-10
摘要： 本发明涉及了一种对酒精具有良好气敏性能的星状自组装结构氧化铜纳米材料制备及应用，具体涉及到不使用表面活性剂和模板，仅用反应物控制酸碱浓度、水热温度、时间控制材料形貌的制备方法。方位为将5mmol可溶性铜盐溶入一定量的去离子水中，后缓慢加入10-15mmol氢氧化钠，在室温下采用磁力搅拌30分钟；后将所得的溶液体系转入水热反应釜中，在180--200℃下反应10-12小时；将反应后的沉淀产物离心提纯后用乙醇和去离子水洗涤3次，在真空干燥箱中于60℃下干燥6小时，即可制得对酒精具有良好气敏响应性能的星状自组装结构CuO。
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