公开(公告)号：CN108624873A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810523624.X

申请日：2018-05-28

申请人： 山东建筑大学

发明人： 刘科高 ,  李静 ,  许超 ,  赵忠新 ,  刘宏

IPC分类号： C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1291

摘要： 一种硝酸盐体系制备铜铟碲薄膜材料的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将TeO2、Cu(NO3)2和In(NO3)3先后放入溶剂中，配制澄清透明溶液，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，自然晾干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥，可通过增加反应次数和热处理工艺改善薄膜质量，得到铜铟碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铟碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

公开(公告)号：CN105985611B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201511032372.3

申请日：2015-12-31

申请人： 崇实大学校产学协力团

发明人： 金渡桓 ,  李镐瑨 ,  朴汉武 ,  崔根荣

IPC分类号： C08L65/00 ,  C08K5/54 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC分类号： H01L51/0036 ,  B01J20/226 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1254 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本申请提供了一种有机半导体组合物及其制造方法。该制造有机半导体组合物的方法包括：通过搅拌溶胶有机半导体和溶胶有机金属前体来制造有机半导体组合物。此处，制造有机半导体组合物包括：经过搅拌溶胶有机金属前体而形成胶凝有机金属前体，通过允许溶胶有机半导体正交地穿透所述胶凝有机金属前体的晶格结构中的空隙来形成三维有机半导体组合物。

公开(公告)号：CN108060411A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711245066.7

申请日：2017-11-17

申请人： 中山大学

发明人： 严凯 ,  刘雨倩

IPC分类号： C23C18/12 ,  C25B11/06 ,  C25B11/03 ,  C25B1/04

CPC分类号： Y02E60/366 ,  C23C18/1204 ,  C25B1/04 ,  C25B11/03 ,  C25B11/0405 ,  C25B11/0415 ,  C25B11/0447

摘要： 本发明公开一种一步法制备可实现高效水分解的金属硫化物电极材料的方法，包括下述步骤：超声处理后的泡沫镍作为载体，将其浸入含有金属硫化物及前驱体的高压反应釜中，在140‑200℃下进行水热反应就可将金属硫化物负载在泡沫镍上，反应6h。本发明提供的方法具有以下特点：(1)不借助模板直接合成三维多孔金属硫化物，水分解析氢和析氧催化活性位点密度高，电子传递路径短，催化性能好；(2)纳米结构的金属硫化物直接连接导电性泡沫镍载体，接触性和导电性好，有利于提高电导率和电子传递效率，极大程度的降低了克服能垒所需要的过电势；(3)电解液易于进入多孔电极材料内部，电流密度高，晶体结构稳定，大幅提高材料的循环稳定性和耐久性。

公开(公告)号：CN107974672A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201711159836.6

申请日：2017-11-20

申请人： 中国科学院青岛生物能源与过程研究所

发明人： 李晓锦 ,  韩东锐

IPC分类号： C23C18/12 ,  C04B41/85 ,  C04B38/06 ,  C04B35/52

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C04B35/521 ,  C04B38/068 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/85 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1275 ,  C04B41/4535

摘要： 本发明涉及多孔板材，具体的说是一种基于生物质碳材料的多孔板材孔径的调节方法。利用糖溶液填充多孔板材的孔隙，将孔隙中的糖通过升温碳化，从而实现对多孔板孔径的调节。发明原料为糖类和水，来源广泛，成本低廉，处理液对环境无污染，而且操作设备易得，工艺简便易行。

公开(公告)号：CN104541358B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201380029762.8

申请日：2013-06-05

申请人： 斯特拉塔西斯公司

发明人： 亚当·R·帕夫洛斯基 ,  格雷戈里·S·本内特 ,  杰弗里·雅各布·切尔诺豪斯 ,  肯特·卡斯克 ,  亚当·E·希曼斯基

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/042

CPC分类号： C23C18/1204 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C08J3/203 ,  C08J2351/06 ,  C08K3/04 ,  C08K3/042 ,  C08K5/34922 ,  C08K7/14 ,  C08K2201/013 ,  C09D151/003 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02628

摘要： 通过多种导致石墨烯在液体介质中的溶解度发生改变的技术而实现石墨烯的沉积。所述溶解度改变使得石墨烯能够沉积到基材上。一旦石墨烯沉积到基材上，可以将至少部分被包覆的基材从液体介质分离。随后该基材可以用作将石墨烯递送至所需应用的载体。

公开(公告)号：CN106967986A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710229319.5

申请日：2017-04-10

申请人： 燕山大学

发明人： 邵光杰 ,  王丽欣 ,  秦秀娟 ,  马志鹏 ,  杜静 ,  张佩佩 ,  白磊 ,  曹磊 ,  李敬梅

IPC分类号： C23F17/00 ,  C25D15/00 ,  C23C18/12 ,  C25B1/04 ,  C25B11/03 ,  C25B11/06

CPC分类号： Y02E60/366 ,  C23F17/00 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1283 ,  C25B1/04 ,  C25B11/035 ,  C25B11/0405 ,  C25B11/0478 ,  C25D15/00

摘要： 一种具有分级结构的Ni(OH)2/Ni/rGO复合析氢电极的制备方法，其主要步骤包括：首先将经过超声和酸化处理的泡沫镍基底作为电沉积阴极，通过超重力电沉积的方法制备出具有较大表面积的Ni/rGO复合析氢电极。然后采用水热法使Ni/rGO电极表面的金属Ni颗粒和尿素、氯化铵、氟化铵中的一种反应，以Ni颗粒作为镍源，在Ni颗粒表面原位垂直生长一层Ni(OH)2纳米片；最终得到的析氢电极具有三级结构即一级结构为泡沫镍基底，二级结构为石墨烯片材负载纳米镍颗粒，三级结构为Ni(OH)2纳米薄片的Ni(OH)2/Ni/rGO复合镀层。本发明制备的复合电极具有独特的分级结构、大的比表面积和优异稳定的析氢性能。

公开(公告)号：CN106967979A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710255042.3

申请日：2017-04-14

申请人： 中国计量大学

发明人： 陈达 ,  王森 ,  黄岳祥 ,  秦来顺

IPC分类号： C23C28/04 ,  C23C18/12 ,  C23C18/14 ,  C25D9/04

CPC分类号： C23C28/048 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/14 ,  C25D9/04

摘要： 本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO3(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后，可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势，提高表面反应活性，在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题，从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能，促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。

公开(公告)号：CN106884159A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710032841.4

申请日：2017-01-16

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 李蔓妮 ,  郑婷 ,  邱思 ,  鲁春蕊 ,  刘盈驿 ,  肖海英 ,  张东兴

IPC分类号： C23C18/12 ,  B23K37/00

CPC分类号： C23C18/1204 ,  B23K37/00 ,  C23C18/1241

摘要： 碳层包覆泡沫铜复合材料的制备方法及其辅助钎焊C/C复合材料与金属的方法，属于聚合物基复合材料及焊接技术领域。本发明要解决现有钎焊C/C复合材料与金属时，焊后接头往往存在较大残余应力，严重弱化接头强度的问题。复合材料制备方法是将泡沫铜放置于聚合物的丙酮溶液中，磁力搅拌，取出后真空干燥；管式炉内烧结，冷却至室温。钎焊的方法是将上述方法制备的碳层包覆泡沫铜复合材料夹在银铜钛合金钎料箔片中间，再置于金属和C/C复合材料待焊接面之间，放入真空钎焊炉中钎焊。本发明在钎焊过程中，钎料合金与包覆碳层发生原位反应，生成了网络结构的TiC增强体，在焊缝中分布均匀，充分的降低了焊缝的残余应力集中，有效提高了接头质量。

公开(公告)号：CN106381481A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610827571.1

申请日：2016-09-18

申请人： 河南师范大学

发明人： 武大鹏 ,  王付娟 ,  高志永 ,  路海 ,  常玖利 ,  徐芳 ,  蒋凯

IPC分类号： C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C23C18/1295

摘要： 本发明公开了一种金属掺杂二硫化钼薄膜的制备方法，属于无机半导体薄膜的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：在180℃的条件下，通过水热合成，在导电玻璃上生长二硫化钼薄膜；运用离子交换方法，将金属掺杂于二硫化钼薄膜之上得到金属掺杂二硫化钼薄膜。本发明操作工艺简单易行，重复性好，薄膜厚度可控，其光亮的表面拥有镜面效果，同时掺入的金属提高了二硫化钼薄膜的导电性和催化性能。

公开(公告)号：CN105970151A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610374376.8

申请日：2016-05-31

申请人： 中国科学院上海应用物理研究所

发明人： 蒋力 ,  李志军 ,  张洁 ,  黄鹤飞 ,  李晓丽 ,  俞国军 ,  周兴泰

IPC分类号： C23C8/40 ,  C23C18/12

CPC分类号： C23C18/1204 ,  C23C8/40 ,  C23C18/125

摘要： 本发明公开了一种表面处理方法，属于表面处理技术领域。本发明表面处理方法，利用热扩散盐浴工艺在合金工件表面生成金属碳化物覆层，所述热扩散盐浴工艺所使用的盐浴基盐为FLiNaK盐。优选地，所述FLiNaK盐中的LiF、NaF、KF的质量百分比依次为29.2%、11.7%、59.1%。本发明还公开了一种金属碳化物覆层及一种合金工件。相比现有技术，本发明可在合金工件表面生成性能更好的金属碳化物覆层，且可采用的热处理温度范围大，对于易于受热变形、易于产生合金相变等特殊工件的适应性更高，应用范围更广。