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公开(公告)号：CN109742210A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811623230.8
申请日：2018-12-28
申请人： 中山大学 , 广州和光同盛科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种紫外LED芯片，由上至下依次为混合滤波片、衬底、缓冲层、n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层、透明电流层、紫外DBR层以及金属对称电极；所述混合滤波片是由两个中心波长不同的带通滤波片组成，所述带通滤波片是由TiO2、SiO2交替叠加，周期性排列组成的多层膜；所述紫外DBR层的材料是由SiO2、Ta2O5组成；所述金属对称电极为p型电极和n型电极，所述金属对称电极由Cr、Al、Ni、Ti、Pt、Au组成。本发明解决了目前紫外LED芯片中，ITO薄膜对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。
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公开(公告)号：CN108963008A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810762642.3
申请日：2018-07-12
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L29/45
摘要： 本发明提供了一种低温欧姆接触的GaAs基底的芯片制备方法，将Pd、Ge、Au混合均匀后沉积在GaAs基底表面形成PdGeAu金属层，所获得的PdGeAu金属层中Pd、Ge、Au均匀分布，其中Pd的质量分数为10～70％，Ge的质量分数为10～70％，Au的质量分数为0.5～20％。本发明可避免现有欧姆接触芯片结构制备工艺中高温退火带来的柔性薄膜卷曲和撕裂，极大地简化了芯片工艺流程，并节省高温热处理所需的加热能源损耗，可以应用于柔性薄膜芯片工艺，特别是大尺寸柔性薄膜电池芯片工艺。
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公开(公告)号：CN105546477B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201511035096.6
申请日：2015-12-31
申请人： 中山大学
IPC分类号： F21V5/04
摘要： 本发明公开了一种LED侧向光透镜，所述透镜包括设于顶面的平面出光部，以及连接于平面出光部边缘的曲面出光部，所述曲面出光部自平面出光部的边缘沿弧线方向平滑延伸至透镜的一侧；所述透镜还包括设于透镜底部的入射光腔，所述入射光腔包括设于光腔顶部的第一入光面，平滑连接于第一入光面边缘并沿光腔一侧延伸的第二入光面，以及与第一入光面和第二入光面连接的第三入光面；所述第二入光面位于对应曲面出光部的一侧。本发明的透镜用于对LED光源进行配光后形成侧向的均匀照明，如侧栏灯，配光效果良好。
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公开(公告)号：CN108624862A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810258106.X
申请日：2018-03-27
申请人： 中山大学
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/458
摘要： 本发明提供了一种应用于ZnO MOCVD设备的自动化工艺生产线，包括使ZnO MOCVD设备完成其上下料需求的机器人、石墨盘分割器及推送系统、石墨盘视觉定位系统、外延片视觉系统、外延片上下料工作台、PLC控制系统，所述ABB机器人进行自动上下料；所述石墨盘分割器及推送系统用于定位石墨盘和固定石墨盘推送位置，所述石墨盘视觉定位系统包括传感器和计时器，外延片成型完成后，石墨盘随机放置在分割器上，所述传感器用于检测所述生长完成的石墨盘退出，经过视觉定位石墨盘的方向，所述计时器用于记录所述外延片到达石墨盘停留的时间；以解决现有的MOCVD设备生产线技术运输效率低下的问题。
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公开(公告)号：CN108615672A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810343777.6
申请日：2018-04-17
申请人： 中山大学
摘要： 本发明提供了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ε相氧化镓半导体结晶膜的方法。该方法是利用化学气相沉积，在蓝宝石衬底上沉积氧化镓半导体结晶膜。上述ε相氧化镓半导体结晶膜由成核层和主体层构成，其中成核层是纯ε相氧化镓结晶膜或者ε相与β相混合的氧化镓结晶膜，主体层是纯ε相氧化镓半导体结晶膜。上述成核层的生长温度低于主体层的生长温度，上述主体层可以含有、也可以不含掺杂剂。本发明解决了异质衬底上生长ε-Ga2O3缺陷密度高的问题，获得了高质量ε-Ga2O3结晶膜，极大拓展了氧化镓半导体材料应用范围。
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公开(公告)号：CN107527969A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710600940.8
申请日：2017-07-21
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L31/113 , H01L31/0296
CPC分类号： H01L31/1136 , H01L31/0296
摘要： 本发明涉及半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管。一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管，其中，包括绝缘衬底上的多晶或单晶半导体有源层、源漏电极、绝缘保护层、覆盖于有源层和保护层之上的电解质栅介质、与电解质接触的栅电极。本发明的优势在于：1）具有较宽光学带隙的氧化物半导体材料具有成本低、透明的优点；2）探测器的截止波长可通过氧化物半导体材料的组分调节实现；3）基于场效应晶体管结构的氧化物半导体紫外探测器具有更高的响应度、更高的信噪比及稳定性，且可避免对苛刻真空环境的需求；4）采用高介电常数的电解质作为栅介质层，结构简单的同时，大大降低了工作电压。
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公开(公告)号：CN106764939A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611111043.2
申请日：2016-12-06
申请人： 中山大学
IPC分类号： F21V5/04 , F21Y115/10
摘要： 本发明公开了一种消除杂散光的准直透镜，透镜包括入射侧、出射侧和多个环形棱镜，入射侧包括中心轴和以中心轴为中心的凹面形状，出射侧与入射侧相对设置，出射侧的中部向下凹陷形成一内腔，内腔的底面上设有环形细齿，环形细齿以内腔底面的中心轴为轴线规则设置；环形棱镜设置于透镜的入射侧，环形棱镜以入射侧的中心轴为轴线设置，环形棱镜包括内环形面和位于内环形面外侧的外环形面。本发明一种消除杂散光的准直透镜，透镜内腔的底面上设有多个环形细齿，环形细齿的设置能将原本透镜内腔出射的光全部再反射回去，以此改善光斑的混色性能，加强光束角的控制，同时不会对其他光路有影响，实现了消除透镜内腔杂散光的目的。
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公开(公告)号：CN102916117B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210360035.7
申请日：2012-09-25
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开一种改善颜色空间分布和出光效率多峰光谱LED及制作方法，多峰光谱LED通过在包覆短波可见光芯片的封装材料中混合纳米颗粒，所采用的纳米颗粒为白色、惰性的非发光材料，其折射率高于封装材料的折射率，其导热率高于封装材料的导热率，纳米颗粒的粒径分布函数的主峰处在3nm-50nm，占覆盖短波可见光芯片的封装材料的重量百分比0.01%-0.5%。本发明改善了多峰光谱LED的颜色空间分布均匀性，并且维持甚至提高了LED出光效率，获得一种光、色性能俱佳的LED封装产品。
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公开(公告)号：CN102800777B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210170799.X
申请日：2012-05-29
申请人： 中山大学
摘要： 本发明公开了一种ZnO-TCL半导体发光器件及其制造方法，其中包括衬底及生长在衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包括：N型层、MQWS层、P型层及ZnO-TCL层；经过湿法刻蚀后，N型层的上表面还蒸镀有N型金属电极；ZnO-TCL层上蒸镀有P型金属电极，P型金属电极包括内嵌部，内嵌部内嵌至ZnO-TCL层内，且内嵌部的内嵌深度小于该ZnO-TCL层的高度。本发明采用弱酸湿法刻蚀工艺，实现可控高精度低成本刻蚀；刻蚀掉一部分ZnO-TCL层，使其截面呈等梯形或碗状形，使蒸镀上去的电极接触面更广，附着力更强；由于保留了部分ZnO-TCL层，保证电流扩展层的完整性，可提高电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN102800776A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210170795.1
申请日：2012-05-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开了一种雪花状LED电极结构，其中包括有：至少一个接触部分与至少一个交叉部分，所述交叉部分穿过所述接触部分且对称分布在接触部分的两侧；所述交叉部分上向外延伸有延伸部分，且所述延伸部分对称分布于交叉部分两侧。本发明主要用于改善发光二级管中电流在芯片中的扩展，“雪花”状电极交叉部分上向外延伸的延伸部分能更好的改善芯片电流分布，从而改善发光元件的发光亮度的均匀性，使得LED电流分布更均匀且发热更均匀。
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