公开(公告)号：CN114154532A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111301162.5

申请日：2021-11-04

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 齐佩汉 ,  何进洋 ,  郑仕链 ,  周小雨 ,  姜涛 ,  王丹洋 ,  李赞 ,  张卫琳 ,  丁渊磊 ,  赵蓝天 ,  安智慧

IPC分类号： G06K9/00 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开了一种无人机个体多维域电磁信号特征深度学习识别方法，通过无线电监测技术获取无人机电磁信号样本，对样本进行打标签处理，获得信号样本集；对所述信号样本集里的每个信号分别进行多维域电磁信号特征提取，获得每个信号样本对应的多维域特征向量；对所述每个信号样本对应的特征向量分别进行多维域电磁信号特征压缩处理，获得压缩降维后的特征向量；通过所有信号样本的压缩降维后的特征向量构成训练数据集；深度学习分类器模块构造分类器；通过所述训练数据集训练分类器直至收敛；通过训练好的分类器对无人机信号进行监测识别。本发明有效克服深度神经网络在训练样本不足时面临的网络过拟合和泛化能力不足的问题。

公开(公告)号：CN113690238A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110853449.2

申请日：2021-07-27

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 李聪 ,  李高鹏 ,  郭增光 ,  汤正光 ,  李振荣

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8238 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明提供的一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法，采用多层堆叠工艺将PMOS与NMOS堆叠在同一区域内，同时提升有效沟道宽度，增强栅控能力。因此本发明可以实现高度集成、减小CMOS电路面积，提高系统集成度，从而降低超大型集成电路成本。

公开(公告)号：CN113655841A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110950115.7

申请日：2021-08-18

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 朱光前 ,  张启东 ,  杨银堂

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路，包括：非线性电流产生单元：产生非线性电流；基准电压产生单元：将非线性电流产生单元生成非线性电流转化为基准电压；零温度系数电流产生单元：将基准电压转化为零温度系数的电流后输出给非线性电流产生单元，进行电流补偿。本发明的好处是：在传统结构基础上的改进，结构简单容易实现，成本低可靠性高。经过补偿后得到的带隙基准电压的温度系数很小，能够满足更多的应用场合，可被广泛用于对精度有极高要求的电路模块或系统中，如高精度ADC，高精度传感器，电池监测管理芯片等。