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发明公开
一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN113690238A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110853449.2

申请日：2021-07-27

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 李聪 , 李高鹏 , 郭增光 , 汤正光 , 李振荣

IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/02 , H01L27/11 , H01L21/8238 , B82Y40/00 , B82Y10/00

摘要： 本发明提供的一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法，采用多层堆叠工艺将PMOS与NMOS堆叠在同一区域内，同时提升有效沟道宽度，增强栅控能力。因此本发明可以实现高度集成、减小CMOS电路面积，提高系统集成度，从而降低超大型集成电路成本。