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公开(公告)号：CN112953448A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110184709.1
申请日：2021-02-10
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种新结构薄膜体声波谐振器及其制备方法，是由上电极、第一压电层、第二压电层、第三压电层和下电极所组成的新型结构，随着5G时代的到来，谐振器的发展越来越朝着微型化、集成化和高频的方向走，市场对谐振器性能的要求越来越高，声表面波谐振器(SAW)难以满足高频的应用，但薄膜体声波谐振器(FBAR)存在着机电耦合系数不高的缺陷。本发明通过改变传统薄膜体声波谐振器单一的压电层，能够有效地减少压电层的电损耗；通过调节各层压电层的厚度，达到调节薄膜体声波谐振器机电耦合系数的目的，本发明还公开了一种新结构薄膜体声波谐振器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112350683A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011305961.5
申请日：2020-11-20
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种类石墨烯结构的超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器结构，该谐振器在压电材料上表面部布置有类石墨烯结构分布的正负电极，每个电极被三个相异极性的电极环绕，进而形成三个方向的电场分布。该谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110501521B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910740137.3
申请日：2019-08-12
Applicant: 武汉大学
IPC: G01P15/09
Abstract: 本发明涉及加速度计技术领域，公开了一种压电式加速度计，包括矩形框架，矩形框架内设置有质量块，质量块在一组互相平行的侧面上固定梁一、梁二、梁三和梁四；梁一和梁二互相对称且位于同一侧面，梁三和梁四互相对称且位于与梁一所在的侧面相平行的另一侧面，梁一与梁三互相对称，梁二与梁四互相对称；梁一、梁二、梁三和梁四上表面上均设置有压电片，每个压电片的四个角上分别设置有一个金属电极。本发明将各个梁设置在质量块对称的两侧，加强了加速度计的稳定性，减少加速度计在工作情况下的扭转变形；质量块的厚度与梁的厚度一致，增强了加速度计的稳定性并减少了扭转变形，同时能够获得较高的动态频宽。
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公开(公告)号：CN109489843A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811270252.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。
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公开(公告)号：CN108964629A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810725684.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 武汉大学
CPC classification number: H03H9/02015 , H03H9/171 , H03H2009/02196
Abstract: 本发明属于微电子技术，具体涉及一种可调谐的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空腔、底电极层、调谐层和压电震荡堆；压电震荡堆包括中间电极层、压电层和上电极层；直流偏压施加于中间电极层和底电极层上。该薄膜体声波谐振器直流偏压加在所述底电极和中间电极上，调谐层具有压电特性，且和底电极层均采用环状。这样在较小的直流偏压下，FBAR可以产生较大的偏置位移，从而产生较大的特征频率的改变。因此，可以在低压下实现FBAR谐振频率的较大调节，能极大的扩展FBAR的应用范围。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115290234A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210947512.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了光波导及微波光子测量和空气隙型结构的压力传感系统。该光波导位于硅基底上，所述光波导包括依次叠置的SiO2层、PMMA层和NOA层。光波导采用NOA‑PMMA‑SiO2结构，具有成本低、易于制造的优点。硅基底采用空气隙型结构，能避免膜层塌陷现象，保持较高机械强度。这种传感器具有灵敏度高、抗干扰能力强、自身无需电源、防爆、成本低和可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN114859575A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210313290.X
申请日：2022-03-28
Applicant: 武汉大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种基于逆压电效应的可调制微环光通信滤波器，包括波导、微环谐振器和电极夹层单元，电极夹层单元包括一个或多个电极夹层；波导布置于微环谐振器的侧边区域内，微环谐振器与波导之间发生侧向倏逝波耦合，使微环谐振器内产生光场谐振；电极夹层与微环谐振器紧密贴合，电极夹层基于逆压电效应改变微环谐振器的形状尺寸或微环谐振器的有效折射率，以调控微环谐振器内光场的谐振状态。本发明能够在增大调制范围和调节精度的同时降低损耗与串扰，满足低功率需求。
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公开(公告)号：CN112821878A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110012423.5
申请日：2021-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种伪模态抑制型射频谐振器结构。包括下电极层、压电层、上电极层、凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层。其中，凹陷上电极层位于交叠区域处；凸起压电层位于外部区域处，且比有效区域高；凹陷压电层位于外部区域处，位于所述凸起压电层之间。本发明申请通过调整凹陷上电极层、凸起压电层、凹陷压电层的深度、宽度和位置关系，能够使谐振器满足谐振频率关系为：f外部区域＜f有效区域＜f交叠区域，进而可以有效抑制阻抗曲线上的伪模态和高阶模态，提高谐振器的机电耦合系数和品质因子，进而提升谐振器的整体性能。
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公开(公告)号：CN110880922B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201911127186.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器机构，该种谐振器仅在压电材料上部布置有二维方向分布的正负电极，电极上部有桥状结构，电极间距大于四个波长。此种谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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