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公开(公告)号：CN102608153B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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公开(公告)号：CN103064261A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210538668.2
申请日：2012-12-13
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G06F17/5009 , G03F7/20 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶刻蚀过程中表面演化模拟的哈希快速推进方法，包括：衬底网格化和确定刻蚀速度矩阵，网格点时间值初始化，构建哈希表和最小堆，向前推进并更新，重复上述步骤直到最小根节点的时间值不小于预设的光刻胶刻蚀（光刻胶显影）时间。本发明根据快速推进模拟方法只计算窄带网格点的特性，引入哈希表并设计了一种专门的数据结构来保存窄带网格点的数据信息；并根据刻蚀表面推进的单向性，复用刻蚀速度数组来保存已经经过的网格点的时间值，同时利用复用值的符号来区分不同网格点的状态；同时建立一个回收哈希表节点的队列，用于快速推进模拟方法申请空间时直接从队列中提取，避免系统频繁申请释放空间的过程，节省了模拟所需时间。
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公开(公告)号：CN102897704A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210394906.7
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种静电力调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括静电驱动齿、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、第一锚区和绝缘衬底，第一锚区固定连接在绝缘衬底上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、四个沿横向弯折的第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、四个沿横向弯折的第二折叠梁；静电驱动齿包括梳齿和第三锚区，右移梳齿、梳齿和左移梳齿依次交替布置；动齿包括质量块、动齿梳齿、第二锚区和沿纵向弯曲的第三折叠梁，且右移梳齿、动齿梳齿和左移梳齿依次交替布置，第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在静电力的驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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公开(公告)号：CN102608153A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210005598.4
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102590282A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210007367.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构及其测试方法，对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本发明的测试方法简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN101799630A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010106316.0
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 厚胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法提供了一种用于厚胶(SU-8胶)介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法，a、基于光学标量衍射理论的菲涅耳—基尔霍夫衍射积分方程，利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理这个积分方程。同时，根据目前采用在掩模版和SU-8胶之间的空气间隙填充补偿介质来减小衍射问题的方法，推出了适合SU-8胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强计算模型；b、斜入射紫外光的光强计算模型中，综合考虑了空气/补偿介质、补偿介质/SU-8胶界面的反射与折射，SU-8胶/衬底界面的反射，以及紫外光在SU-8胶内的衰减等因素，可以快速、精确地模拟SU-8胶内部斜入射紫外光的光强分布。
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公开(公告)号：CN1837779A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610039511.X
申请日：2006-04-13
Applicant: 东南大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法是硅各向异性腐蚀过程模拟技术，该方法采用硅的晶格结构作为元胞自动机的晶格结构，根据一个表面元胞与其一级相邻元胞的连接状态及这些一级相邻元胞相对于腐蚀界面的位置，这些一级相邻元胞与二级相邻元胞的连接状态及这些二级相邻元胞相对于腐蚀界面的位置，来确定该表面元胞所在晶面；本发明可以有效地引入硅各向异性腐蚀过程中出现的高密勒指数晶面，具有精度高的优点。这对于有效地实现硅各向异性腐蚀过程精确模拟具有实用意义。
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公开(公告)号：CN202404055U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201220010457.7
申请日：2012-01-11
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅断裂强度的在线测试结构，包括第一测试单元、第二测试单元、第三测试单元和绝缘衬底，所述第一测试单元、第二测试单元和第三测试单元设置在绝缘衬底上；对测试结构进行简单的电流激励并测量相关电阻，将测量得到的相关电阻值代入计算公式，利用多个计算方程消去热膨胀系数，最终得到多晶硅的断裂强度。本实用新型的测试过程简单，测试设备要求低，测试结构的加工过程与微机电器件MEMS同步，没有特殊加工要求，符合在线测试的要求，计算方法仅限于简单数学方程，测试与计算过程稳定，输出结果可靠。
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公开(公告)号：CN202403836U
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201220008090.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本实用新型的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。
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