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公开(公告)号：CN101527426A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910126226.5
申请日：2009-03-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S2304/12
Abstract: 提供一种能够容易地进行激光腔的方向确定的、使用非极性或半极性晶片制造氮化物半导体激光器的方法。在准备好具有由六方晶系氮化镓半导体构成的晶体(2)及标志构造物(3)的基板体(1)后，沿着与标志构造物(3)交叉的平面切断基板体(1)，形成具有第1标志(7)的六方晶系氮化镓半导体晶片(5)。之后，形成含有氮化镓系半导体层且具有第2标志(27)的半导体重叠层(20)。接着，形成具有与第2标志(27)的方向一致地设置的开口(25a)的绝缘膜(25)。进一步，在绝缘膜(25)及半导体重叠层(20)上形成电极(28)，从而形成基板制品(40)。以劈开面劈开基板制品(40)。
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公开(公告)号：CN100413103C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1-X3-Y3N缓冲层的铟组成X3。
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公开(公告)号：CN101009352A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710008167.2
申请日：2007-01-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。
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公开(公告)号：CN1734802A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510088496.3
申请日：2005-08-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，在支撑基体上设置第1导电型氮化物半导体层，此外在支撑基体上设置第2导电型氮化物半导体层。发光区域，设在第1导电型氮化物半导体层和第2导电型氮化物半导体层之间。发光区域，含有InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)。InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层(1＞X3＞0、1＞Y3＞0)，设在发光区域和第1导电型氮化物半导体层之间。InX1AlY1Ga1－X1－Y1N势阱层的铟组成X1，小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。InX2AlY2Ga1－X2－Y2N势垒层的铟组成X2小于InX3AlY3Ga1－X3－Y3N缓冲层的铟组成X3。
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