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公开(公告)号：CN107534267A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580078947.7
申请日：2015-03-06
申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 , 国家科学研究中心 , 巴黎南方大学
CPC分类号： H01S5/3223 , H01S5/021 , H01S5/0424 , H01S5/2275 , H01S5/3086 , H01S5/3202
摘要： 本发明涉及一种形成锗波导的方法，包括步骤：提供P型硅衬底(1)，采用重掺杂N型锗层(3)并采用第一N型掺杂硅层(5)涂覆；形成穿透至衬底中的沟槽(7)以形成衬底条带、锗条带、以及第一硅条带(5)的堆叠；以及采用氮化硅层(9)涂覆整个结构。
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公开(公告)号：CN103959437B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201280047605.5
申请日：2012-09-28
申请人： 圣戈班晶体及检测公司
CPC分类号： H01L21/3245 , C30B29/403 , C30B29/607 , C30B33/00 , H01L21/02002 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01S5/0206 , H01S5/3202 , H01S5/32341
摘要： 一种衬底，包括主体，所述主体包含III‑V族材料并且具有上表面，所述主体包含定义在上表面与结晶参考面之间的切割角，所述主体还具有不超过大约0.6度的切割角变化。
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公开(公告)号：CN106463909A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031408.8
申请日：2015-04-17
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , G02B27/48 , H01S5/0207 , H01S5/0425 , H01S5/1092 , H01S5/18341 , H01S5/18358 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4087 , H01S5/423 , H01S2304/04 , H04N9/3161
摘要： 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层
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公开(公告)号：CN102545057B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110424175.1
申请日：2011-12-09
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01S5/3434 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404 , H01S5/3436 , H01S2301/145 , H01S2301/173
摘要： 本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1?x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1?x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1?x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1?x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1?y)As(1?x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1?x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。
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公开(公告)号：CN102823089B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180008463.7
申请日：2011-02-02
申请人： 奥斯坦多科技公司
发明人： M.V.基辛 , H.S.埃尔-高劳里
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/34346
摘要： 发射器的多QW（MQW）活性区域中的不同量子阱（QW）的不均匀的总数强烈地恶化了极性和非极性III族氮化物发光结构中的注入效率。不均匀的QW总数随更深的活性QW而在长波长发射器中变得更强。在极性和非极性结构中，根据要被发射的光的期望波长，结合到活性区域的光波导层和/或势垒层中的铟和/或铝改善了QW总数的均匀性并增加了该结构的注入效率。
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公开(公告)号：CN104916751A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510102739.8
申请日：2015-03-09
申请人： 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC分类号： H01S5/34333 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/737 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01L33/16 , H01S5/323 , H01S5/343
摘要： 本发明提供一种III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法，氮化物半导体元件具有能够改善p型氮化物半导体区域与电极的物理性的接触的特性的结构。在电极与第一p型III族氮化物半导体层的接触的金属-半导体界面上形成界面势垒。以使第二p型III族氮化物半导体层内含应变的方式在第一p型III族氮化物半导体层与第三p型III族氮化物半导体层之间夹持第二p型III族氮化物半导体层。第二p型III族氮化物半导体层的应变使p型III族氮化物半导体叠层的能带结构变化。在基底的主面以50度以上且小于80度的范围的角度倾斜时，该能带结构的变化以在金属-半导体界面处降低界面势垒产生的势垒高度的方式发挥作用。
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公开(公告)号：CN102834990B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180017099.0
申请日：2011-01-12
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/2081 , B82Y20/00 , H01S5/02288 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34306
摘要： 本发明的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。
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公开(公告)号：CN104767121A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510153386.4
申请日：2011-10-05
申请人： 佳能株式会社
发明人： 井久田光弘
CPC分类号： H01S5/18 , B41J2/455 , B41J2/473 , H01S3/02 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18361 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/16 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： 本发明提供表面发射激光器和分别包括表面发射激光器的表面发射激光器阵列和图像形成装置，所述表面发射激光器提供足够的光学输出并适于用作电子照相装置的光源。表面发射激光器在前反射镜的前表面上包含第一阶梯结构。在第一阶梯结构中，第一区域中的光路长度与第二区域中的光路长度之间的差值L满足下式：(1/4+N)λ＜|L|＜(3/4+N)λ，这里，N是整数。
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公开(公告)号：CN103026561B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180026342.5
申请日：2011-05-26
申请人： 康宁股份有限公司
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S2301/173
摘要： 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1×106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。
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公开(公告)号：CN103959437A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280047605.5
申请日：2012-09-28
申请人： 圣戈班晶体及检测公司
CPC分类号： H01L21/3245 , C30B29/403 , C30B29/607 , C30B33/00 , H01L21/02002 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01S5/0206 , H01S5/3202 , H01S5/32341
摘要： 一种衬底，包括主体，所述主体包含III-V族材料并且具有上表面，所述主体包含定义在上表面与结晶参考面之间的切割角，所述主体还具有不超过大约0.6度的切割角变化。
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