一种基于VSC的多端直流配电网潮流计算方法及系统

    公开(公告)号:CN109787211A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811617301.3

    申请日:2018-12-28

    IPC分类号: H02J1/00

    摘要: 本发明涉及一种基于VSC的多端直流配电网潮流计算方法及系统,所述方法包括:获取直流配电网各节点的功率;初始化k=0,根据直流配电网的节点关联矩阵确定节点间的父子关系;根据所述节点间的父子关系及各节点的功率迭代确定节点间支路的电流和各节点的电压;若所述各节点的电压满足收敛条件,则进行越限判断,否则,调节节点的功率,令k=k+1,并重新确定节点电压和支路电流;若直流配电网的节点中的平衡节点和下垂节点的功率越限,则调节所述平衡节点和下垂节点的功率,重新确定节点间层次关系,否则,输出潮流计算结果,本发明提供的技术方案,提高了确定节点间层次关系的效率,实现了对VSC下垂控制的潮流计算。

    一种SiC-MOSFET的驱动电路
    136.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111900969B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/081

    摘要: 本发明公开了一种SiC‑MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC‑MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC‑MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC‑MOSFET连接,用于通过防止SiC‑MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC‑MOSFET误动作和SiC‑MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC‑MOSFET的稳定关断。

    一种电网阻抗测量装置及方法

    公开(公告)号:CN111435141B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN201910034360.6

    申请日:2019-01-15

    IPC分类号: G01R27/08

    摘要: 一种电网阻抗测量装置,包括:逆变器、LCL并网滤波器、数据测量模块、PI调节模块、龙贝格观测器和PWM模块;LCL并网滤波器与逆变器连接,用于滤除电网数据中的谐波分量;数据测量模块与龙贝格观测器和PI调节模块连接,用于将采集到的电网侧三相电流和三相电压传送至龙贝格观测器和PI调节模块;龙贝格观测器预测逆变器的电容电压,并将预测结果传送至PI调节模块;PI调节与PWM模块连接,用于制定逆变器的调制电压,并传送至PWM模块;PWM模块与逆变器连接,用于按照调制电压将逆变器并网,数据测量模块对并网后的逆变器进行阻抗测量。本发明的加劲方法能有效提高相贯焊钢管节点的刚度和强度,传力均匀,降低应力集中程度,提高节点的整体承载能力。