-
公开(公告)号：CN102864427A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210407474.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备Nb薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取纯度为99.6％均匀掺杂的块状Nb作为磁控溅射的靶材，掺杂材料质量百分比分别为Al：0.2％，Fe：0.12％，Si：0.05％，Ti：0.02％，Cr：0.01％，将靶材放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮和氩离子清洗，放入磁控溅射室；(3)制备Nb薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离，经过一定时间直流溅射制备薄膜。本发明改进超薄Nb膜超导性能。
-
公开(公告)号：CN102636256A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210106202.5
申请日：2012-04-12
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/02
Abstract: 本发明公开了一种可移动式低温弱光检测系统，包括箱体和设置在所述箱体中的真空系统、芯片控制电路、系统光路、制冷机和压缩机；所述箱体中横向设置有一层隔板；所述制冷机设置在所述隔板上，制冷机中设置有样品室；所述压缩机设置在所述箱体的底部，并与所述制冷机连接为所述制冷机中的样品室提供低温环境；所述真空系统设置在箱体的上部空间，并与所述制冷机连接为所述制冷机中的样品室提供真空环境；所述系统光路和芯片控制电路设置在箱体的顶部空间的两个侧壁上，通过气密接口将光信号和电信号导入所述制冷机的样品室。本发明的系统重心平衡，便于光缆和电缆连接，减小了机械振动的影响，增强了系统工作的稳定性，增强了系统的可移动性，克服了低温光探测器移动的难题,极大地拓展了低温器件的应用范围和领域。
-
公开(公告)号：CN102437281A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110404340.7
申请日：2011-12-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种超导隧道结，为一种不对称覆盖式电极结构，包括上层电极、中间势垒层和下层电极，所述上层电极的面积大于下层电极的面积，上层电极覆盖下层电极，上层电极将结区周边与外界隔离。本发明提供的超导隧道结及其制备方法，可以有效的降低结的有效周长，减小隧道结漏电流，在同等结面积的情况下，使漏电流与超流比得到降低，提高隧道结的特性。
-
公开(公告)号：CN102323220A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110143538.4
申请日：2011-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种提高高灵敏太赫兹混频器稳定性的检测系统，包括太赫兹频段本振信号源、光束分离器、硅透镜、混频器、同轴三通接头、直流阻断器、隔离器、低温低噪声放大器、常温中频放大器、带通滤波器、用于将中频功率转化为直流电压的装置、计算机、直流偏置电源、偏置器、微波源、低温杜瓦。本发明还公开了一种提高高灵敏太赫兹混频器稳定性的检测方法。本发明使用一个反馈回路控制远低于太赫兹频率的微波功率以补偿太赫兹本振功率的不稳定，以HEB混频器为例，可以将混频器的艾伦时间从约1秒提高到约10秒，温度分辨率提高30％。
-
公开(公告)号：CN101914753A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010259803.0
申请日：2010-08-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用磁控溅射法制备NbTi薄膜的方法，包括以下步骤：(1)靶材选取，选取纯度为99.9％的块状NbTi作为磁控溅射的靶材，纯Nb和纯Ti的质量比是53∶47，将靶材放入磁控溅射室；(2)衬底处理，对衬底依次用超声波和丙酮清洗，抛光后放入磁控溅射室；(3)制备NbTi薄膜，磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射电流、沉积速率、衬底温度和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。本发明制备的NbTi薄膜具有良好的超导特性和实用价值，同时加AlN保护层的NbTi薄膜相对未加保护层的NbTi薄膜超导特性有进一步提升。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101614594B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910181576.1
申请日：2009-07-28
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明公开了一种超导单光子探测器，包括：芯片固定平台、光纤固定平台、对光系统。本发明还公开了一种基于上述超导单光子探测器的封装方法，包括以下步骤：(a)将芯片的探测区域对准芯片固定平台的中间小孔；(b)固定尾纤，并通过光纤的另外一个接口输入一可见参考光；(c)在对光系统观察下，微调光纤出光口和芯片探测区域之间的位置，将光纤固定平台和芯片固定平台固定；本发明的单光子探测器可工作在1.8K-300K温度范围，升降温度不会影响光束和器件的对准；利用本发明的超导单光子探测器和方法封装好的探测器光子耦合效率高、工作稳定、可靠性高，可用于多次测量，可重复性好。
-
公开(公告)号：CN101452032A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810242901.6
申请日：2008-12-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种检测太赫兹信号的超导氮化铌热电子接收检测装置，该装置包括：入射信号源、本振信号源、光束分离器、超半球透镜、偏置电源、杜瓦、低温和常温放大器、滤波器、功率计和超导氮化铌热电子器件。被检测信号由入射信号源发出，通过光束分离器后，与本振信号一起由杜瓦的窗口入射至Si超半球透镜上，再经Si超半球透镜汇聚至氮化铌热电子器件上。由偏置电压源提供的直流偏置由T型偏置接头提供到氮化铌热电子器件上，检测出的中频信号经由低温和常温放大器放大、滤波器滤波后，由功率计读出。本发明所述的超导氮化铌热电子接收检测装置具有灵敏度高，所需本振功率低，中频带宽宽等优点。
-
公开(公告)号：CN1234176C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03131541.0
申请日：2003-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson(约瑟夫森)结的方法，利用耐融微掩模法制备，选用常规或双晶或台阶基片，用原位制备法在基片上制备CeO2/YBCO双层膜，YBCO作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用，在上述双层膜上制备光刻胶掩模，曝光显影后得到微桥图形；用等离子刻蚀法将微桥区的CeO2膜刻去制备出CeO2掩模；用稀磷酸腐蚀微桥区部分的YBCO膜，使得底层的YBCO彻底去除干净；放入成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜，直接形成Josephson结。利用此方法可以避免刻蚀工艺对超导器件性能的影响，制备高质量的高温超导Josephson结。
-
公开(公告)号：CN119980158A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411939588.7
申请日：2024-12-26
Abstract: 本发明公开了一种在液氦温区保持高探测效率的超导纳米线单光子探测器制备方法，采用氧化硅以及硅构成的双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜，并通过XRR对厚度进行精准测量和控制；通过电子束曝光PMMA A4电子束胶的方式制备双线并联的纳米线结构，通过反应离子刻蚀的方式把纳米线的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底氧化硅面通过紫外激光直写曝光AZ4620光刻胶的方式，去除需要刻蚀的区域上方的光刻胶，然后通过反应离子刻蚀从器件的氧化硅面刻蚀掉掉氧化硅及硅，制备悬浮桥结构。本发明大幅提高了器件的工作温度的同时，保证了器件的高探测效率。
-
公开(公告)号：CN119890718A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411976954.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种产生非厄密奇异点并实现波束偏转的器件，涉及太赫兹人工电磁材料以及太赫兹波波束偏转技术领域，具体包括实现奇异点的周期性挖孔排布阵列，所述实现奇异点材料为硅的介质板，在所述奇异点附近选取不同参数单元可以实现360度的相位覆盖从而实现有效的波束偏转。本发明结构简单，制备工艺简单，实现了太赫兹非厄密奇异点，丰富了现有太赫兹非厄密奇异点的手段，还通过广义斯涅尔定律的相位梯度排布，可以实现透射太赫兹波的波束偏转，在太赫兹波前整形，以及实现太赫兹高灵敏传感有较好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
256
records
(took 0.023 seconds)
