公开(公告)号：CN105802623B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201610235819.5

申请日：2016-04-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李保强 ,  王磊 ,  史鑫尧 ,  徐哲恒 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C09K11/65

Abstract: 本发明公开了一种超高产率合成氮掺杂荧光碳纳米点的方法，属于纳米碳材料合成技术领域。本发明要解决现有制备荧光碳纳米点方法合成产率低的问题。本发明中氮掺杂荧光碳纳米点的合成方法是由下述步骤完成的：将壳聚糖与含不饱和双键的酰胺(或含不饱和双键的羧酸，或含不饱和双键的长链脂肪酸)置于超纯水中，进行水热碳化后再依次经过高速离心分离、透析和冻干处理，即可获得氮掺杂荧光碳纳米点固体。本发明方法合成产率高达90％。

公开(公告)号：CN107721433A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710910995.9

申请日：2015-10-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 陈磊 ,  王玉金 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及氮化硼复相陶瓷及其烧结方法和应用。所述方法包括：一、制备复合烧结助剂粉末；二、制备复合粉末；三、将复合粉末在真空或惰性气氛条件下，升温，加压，再降温，即得氮化硼复相陶瓷；本发明还涉及所述方法制得的氮化硼复相陶瓷作为侧封板材料的应用。本发明所述方法制得的氮化硼复相陶瓷的致密度可达到95％以上，材料晶粒细小，并具有优异的综合力学性能。

公开(公告)号：CN105731899B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201610081478.0

申请日：2016-02-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何培刚 ,  贾德昌 ,  苑景坤 ,  闫姝 ,  杨治华 ,  段小明 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B28/00 ,  C04B22/08 ,  C04B14/10

Abstract: 本发明提供了一种利用铝硅酸盐聚合物合成铯榴石的方法。将氢氧化铯和氢氧化钠溶解于质量浓度为25％～45％的硅溶胶中，经机械搅拌后获得硅酸铯和硅酸钠的混合碱激发溶液；将高岭土置于氧化铝坩埚中，置于马弗炉中，设置温度为500℃～900℃，保温时间为1.5h～2.5h，得到偏高岭土粉体；将混合碱激发溶液置于温度为0℃～5℃的冰水浴中，再加入偏高岭土粉体，超声并机械搅拌25min～45min，得到铝硅酸盐聚合物料浆，然后加入去离子水，调节至料浆在剪切速率60S‑1～80S‑1时粘度为150mPa·s～500mPa·s，得到铝硅酸盐聚合物浆料；将得到的铝硅酸盐聚合物浆料倒入模具中，并置于温度为40℃～80℃的干燥箱内养护3h～24h，即得到铯榴石。

公开(公告)号：CN107226700A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710430686.1

申请日：2017-06-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  贾学勇 ,  孙扬善 ,  周玉

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/5833 ,  C04B35/645

CPC classification number: C04B35/584 ,  C04B35/583 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料及其制备方法，属于氮化硅基陶瓷复合材料的技术领域。本发明是要解决现有氮化硅基陶瓷材料生产过程中烧结温度过高、烧结压力过大、机械加工性能差导致成本高、效率低的技术问题。本发明的Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料是由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末、α‑Si3N4粉末和六方BN粉末制成的。制备方法：步骤一、以质量分数计，将1.0％～1.5％的MgO粉末、3.2％～3.8％的Al2O3粉末、5.0％～5.5％的SiO2粉末、0.01％～50％的BN粉末和余量的α‑Si3N4粉末混合、加入介质，球磨；步骤二、然后烘干后研碎，过筛；步骤三、再装入模具内，预压成型；步骤四、再在惰性气体保护下烧结，得到Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料。本发明应用于Si3N4‑BN‑MAS陶瓷复合材料的制备领域。

公开(公告)号：CN105084900B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201510486825.3

申请日：2015-08-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何培刚 ,  苑景坤 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  段小明 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/64

Abstract: 碳化硅陶瓷材料的制备方法，本发明涉及陶瓷材料的制备方法。本发明要解决现有碳化硅陶瓷材料制备工艺复杂及成本高的问题。方法：一、制备活性铝硅酸盐源材料；二、制备碱激发溶液；三、制备无机聚合物配合料；四、制备胚料；五、高温处理，即完成碳化硅陶瓷材料的制备方法。本发明用于碳化硅陶瓷材料的制备方法。

公开(公告)号：CN106747467A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611030442.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  北京控制工程研究所

Inventor： 杨治华 ,  梁斌 ,  贾德昌 ,  孙民 ,  付若愚 ,  陈君 ,  周玉

IPC: C04B35/583 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/583 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/74

Abstract: 本发明提供了一种BN(C)陶瓷的制备方法，属于陶瓷制备方法技术领域。步骤一、分别称取六方氮化硼粉、石墨粉和六硼化镧粉为原料；步骤二、将称取的原料装入球磨罐中，在氩气气氛保护下进行高能球磨获得BN(C)陶瓷复合粉末；其中球料质量比为(5～50):1，磨球直径为4～8mm，球磨时间为5～40h；步骤三、将步骤二中获得的陶瓷复合粉末进行高压烧结即获得BN(C)陶瓷材料。本发明的BN(C)陶瓷材料的制备基于机械合金化与高压烧结工艺，该制备方法简单，制备周期短，原料易得，价格低廉，绿色环保；本发明的BN(C)陶瓷材料的致密化通过高压烧结完成，烧结温度低，大幅度降低了能耗；本发明的BN(C)陶瓷材料中晶粒趋于等轴生长，无明显片层状结构。

公开(公告)号：CN106392082A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610855101.6

申请日：2016-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王诗阳 ,  王玉金 ,  陈磊 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: B22F7/02 ,  B22F1/00 ,  F27B14/10 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F3/04 ,  C23C4/134 ,  C23C4/06 ,  C23C4/08 ,  C23C4/11

CPC classification number: Y02P10/143 ,  B22F7/02 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/02 ,  B22F3/04 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/145 ,  B22F2207/01 ,  B22F2998/10 ,  C23C4/06 ,  C23C4/08 ,  F27B14/10

Abstract: 本发明涉及氧化钇-钨梯度材料及其制备方法和在制造稀土熔炼用坩埚中的应用。所述梯度材料包括氧化钇层和多个过渡层，第m过渡层的氧化钇和钨的体积分数根据 CWm＝1-CYm和 计算，其中CYm和CWm分别为第m过渡层中的氧化钇和钨的体积分数；m为1至(n-1)的自然数；l为所述多个过渡层的总厚度；n为氧化钇层和各过渡层的总层数且n≥3；Hi为第i层的厚度，Hm为第m过渡层的厚度。所述方法包括称取所需的钨粉末和氧化钇粉末；在模具中使用各粉末铺制相应的层，并进行成型和烧结。本发明还提供了所述梯度材料在制造如稀土熔炼用坩埚中的应用。所述梯度材料具有良好的抗合金熔体侵蚀的能力和抗热震性能，可广泛用于高温合金的熔炼，所述方法工艺简单、易操作、

公开(公告)号：CN105905882A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610235801.5

申请日：2016-04-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李保强 ,  王磊 ,  徐哲恒 ,  史鑫尧 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C01B31/02 ,  C09K11/65 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C09K11/65 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种源于壳聚糖生物质的高产率氮掺杂荧光碳纳米点合成方法；属于生物质碳材料合成技术领域。本发明为解决现有技术存在的源于生物质荧光碳纳米点的合成产率低的问题。本发明的合成方法是由下述步骤完成的：将含有不饱和双键壳聚糖衍生物溶解于超纯水中，进行水热碳化后再依次经过离心分离、透析和冻干处理，即可获得氮掺杂荧光碳纳米点固体。本发明制备的氮掺杂碳纳米点的尺寸为3～5nm，碳纳米点表面含有氨基、羧基以及羟基；量子效率为20～30％。本发明采用含不饱和双键的壳聚糖为碳源，实现了高产率(46％)合成了源于壳聚糖生物质的氮掺杂荧光碳纳米点，有望实现其宏量制备。

公开(公告)号：CN105802623A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610235819.5

申请日：2016-04-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李保强 ,  王磊 ,  史鑫尧 ,  徐哲恒 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C09K11/65

CPC classification number: C09K11/65 ,  C09K11/0883

Abstract: 本发明公开了一种超高产率合成氮掺杂荧光碳纳米点的方法，属于纳米碳材料合成技术领域。本发明要解决现有制备荧光碳纳米点方法合成产率低的问题。本发明中氮掺杂荧光碳纳米点的合成方法是由下述步骤完成的：将壳聚糖与含不饱和双键的酰胺(或含不饱和双键的羧酸，或含不饱和双键的长链脂肪酸)置于超纯水中，进行水热碳化后再依次经过高速离心分离、透析和冻干处理，即可获得氮掺杂荧光碳纳米点固体。本发明方法合成产率高达90％。

公开(公告)号：CN104529429B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510018480.9

申请日：2015-01-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何培刚 ,  闫姝 ,  段小明 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/52 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高温原位生成的石墨烯/榴石纳米复相陶瓷材料及其制备方法，它涉及陶瓷材料及其制备方法。本发明是要解决现有的石墨烯加入陶瓷中分散性差，导致其性能差的问题。一种高温原位生成的石墨烯/榴石纳米复相陶瓷材料是由氧化石墨烯悬浮液、碱激发溶液及偏高岭土粉体制备而成。制备方法：一、氧化石墨烯悬浮液的制备；二、碱激发溶液的制备；三、氧化石墨烯/碱激发混合液的配制；四、石墨烯/铝硅酸盐聚合物前驱体浆料的配制；五、前驱体固化成型；六、高温处理。本发明可用于高温原位生成的石墨烯/榴石纳米复相陶瓷材料及其制备。