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公开(公告)号：CN104926155B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510281254.X
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜的制备方法，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，分别以金属量子点核作为等离子激元增强中心，以金属量子点外包有机高分子壳作为隔离层，以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光层，再通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出金属/有机壳核量子点‑半导体量子点复合发光膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用简单的一步旋涂工艺技术，实现复合膜金属/有机壳核量子点粒径及其外层有机绝缘隔离层厚度可控且分散性良好，同时能够有效提高半导体量子点光学膜的光致发光性能。
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公开(公告)号：CN104409774B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410237589.7
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/139
Abstract: 本发明涉及一种锂电池的3D打印方法，首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层，随后，在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料；再转移到手套箱内进行封装，最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池，大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率。
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公开(公告)号：CN105523554A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610078743.X
申请日：2016-02-04
Applicant: 福州大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2002/82
Abstract: 本发明涉及一种常温常压下利用激光快速制备石墨烯的方法，包括以下步骤：提供一催化剂金属；提供一液态碳源，将催化剂金属浸没在该液态碳源中；提供一激光光源，使其透过液态碳源照射于该催化剂金属上，使催化剂金属瞬间加热，液态碳源在催化剂金属的作用下在催化剂金属表面形成石墨烯薄膜。若使激光光源按一定的图案对催化剂金属进行扫描照射，还可以在催化剂金属表面形成图案化石墨烯薄膜；该方法升温与降温速度快，具有快速制备石墨烯的优点。
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公开(公告)号：CN104086091B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410297048.3
申请日：2014-06-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法，利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术，在ITO玻璃衬底上，原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层，随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺，最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用原位生长技术，因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好，该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用，实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布，进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能，因此，在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103633304B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310650049.7
申请日：2013-12-06
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管为核制备同轴复合纳米材料的方法，以碳纳米管为核生长由内到外依次为碳纳米管、氧化锰、无定形碳的纳米复合材料，即无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其中锰的氧化物为MnO2、Mn3O4和MnO，简写为MnOx。本发明运用以碳纳米管为核制备出一维无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管（C/MnOx/CNTs）同轴复合纳米材料，其制备工艺简单，设备要求低、并且所制备的材料具有大比表面积、高稳定性、高容量、高导电率，在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900709A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510302257.7
申请日：2015-06-04
Applicant: 福州大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/1037 , H01L29/66742
Abstract: 本发明涉及一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法。所述高性能底栅型TFT器件结构包括基板，栅电极，栅电极绝缘层，具有图案化表面的半导体有源层，源电极，漏电极，所述图案化半导体有源层指采用压印、光刻、刻蚀、激光加工等方法，在半导体有源层的上表面全部或部分区域制作一些各向同性或各向异性形状的图案，使得半导体有源层上表面起伏图案。该结构TFT一方面增加源、漏极与半导体层的接触面积，另一方面减少载流子流动所需经过的低导电性区域厚度，既可以提高开启电流，又增大其开关比。
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公开(公告)号：CN104051275A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410297058.7
申请日：2014-06-28
Applicant: 福州大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66568 , B82Y40/00 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，利用先进的量子点组装技术，在硅/二氧化硅衬底上，组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道，随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，随后，通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道，可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应，从而有效提高了晶体管的灵敏度，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN102263244B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110177982.8
申请日：2011-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/1395 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于锂离子电池的碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列的制备方法，以通孔AAO为模板，采用CVD、水热、热处理等制备出碳限域包覆Sn/MgO纳米线阵列三维结构膜层材料。本发明可有效地解决锡基材料因体积膨胀而导致循环稳定性差的问题，为该新型复合材料实用化奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN102332573A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110172936.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的微纳石墨烯修饰的锡碳/Ti2O-B一维壳核结构材料及其制备方法。这种是由微纳结构的石墨烯片修饰的锡碳/Ti2O-B一维壳核结构材料，由内向外分别是由支撑体（1）、连接层（2）、充放电结构层（3）、保护层（4）构成的纳米线结构。本发明采用特殊的“剪切”工艺制备尺寸小于100纳米的高分散性微纳石墨烯片。通过多次葡萄糖水热及还原气氛热处理工艺实现材料的层层包覆，最终制备出一种基于微纳石墨烯片修饰的锡碳/Ti2O-B一维壳核结构复合纳米材料具有较高电化学性能，较低的不可逆容量，经过上百次充放电循环后，仍具有较高的充放电容量。
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