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公开(公告)号：CN119836164A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411877029.8
申请日：2024-12-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种量子棒发光二极管及其制备方法、应用，包括一个液晶光阀以及在透明导电衬底上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、图案化发光层、电子传输层以及阴极，所述图案化发光层设置有高精度像素凹槽（bank），所述高精度bank内设置有三层量子棒薄膜，所述三层量子棒薄膜为红色、绿色和蓝色量子棒薄膜，所述三层量子棒薄膜定向排列，彼此的长轴方向成120°夹角。所述定向排列量子棒薄膜以自组装方式形成，以转印的方法制备。本发明可提供高分辨率的线偏振三基色用于全彩显示，而无需背光源以及彩色滤光片，从而减小厚度，提升显示色域以及亮度。
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公开(公告)号：CN119677377A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411865953.4
申请日：2024-12-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K50/115 , H10K85/50 , H10K59/12
Abstract: 本发明公开了一种具有快速响应功能的高分辨率钙钛矿量子点发光层及其制备方法，包括具有快速电学响应特性的钙钛矿量子点的合成和高分辨率的钙钛矿量子点发光层的制备，具有快速电学响应特性的量子点材料使用了离子液体作为功能配体合成，而高分辨量子点发光层则通过旋涂在具有高分辨图案化的空穴传输层凹槽（bank）上形成。本发明通过使用具有离子液体作为配体的具有快速电学响应特性的量子点材料作为高分辨率器件中的发光层，极大的提高了器件的电学响应速度，器件在电脉冲刺激下启亮并达到稳定的响应时间小于5微秒，满足了钙钛矿量子点高分辨器件在未来显示应用中的高刷新率要求。
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公开(公告)号：CN118647248A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410774409.2
申请日：2024-06-17
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种转移印刷制备高分辨全彩QLED器件的方法，其全彩发光层的制备过程为：先使用小周期的条状PDMS模板通过转印技术在水平和垂直方向各转印一次阻挡层材料以形成网格状阻挡层，再使用两倍于小周期的的大周期条状PDMS模板在水平和垂直方向分别转印第一量子点和第二量子点，最后旋涂第三量子点，得到高分辨全彩发光层。可以实现高分辨全彩QLED器件中红、绿、蓝三种量子点的像素分离和精确定位，提高器件的色彩饱和度和显示效果。本专利方法简单、高效，并可广泛应用于显示器、光电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN111952475B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202010829314.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂，制得ZnO/PEIE薄膜；配制含有银纳米颗粒的DMF溶液，将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿，制备钙钛矿前驱体溶液；在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜；配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂，干燥形成空穴传输层；将氧化钼和金蒸发到样片上，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性，
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公开(公告)号：CN116847698A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310879516.7
申请日：2023-07-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种转印图案化亲水疏油绝缘材料制备微纳QLED的方法。在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化绝缘材料、发光层、电子传输层、金属阴极，所述图案化绝缘材料的制备方法为：预先制备蜂窝状PDMS印章；在空穴传输层上旋涂聚合物薄膜；用PDMS在聚合物上压印，即可得到柱状聚合物薄膜；在柱状聚合物薄膜上旋涂绝缘材料，然后用溶剂将聚合物洗掉；用氟硅烷对绝缘材料进行化学气相沉积处理。该方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微纳级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。
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公开(公告)号：CN115873593A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211580456.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料。本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115746854A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211580431.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型纳米PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法，由硒化锌材料和硒化锡材料交替包覆所组成的立方形核壳结构量子阱材料，以P型材料硒化锡为核，以N型材料硒化锌为壳，以P型材料硒化锡为第二阱层，再以N型材料硒化锌为壳。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方型SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料。本发明运用热注入法制备具有立方型形貌的多阱核壳量子阱材料，方法便于控制，所制备的材料具有高量子效率、特殊的形貌结构、良好的结构稳定性，在太阳能电池、照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115666150A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211580088.X
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有立方体异质结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，器件结构稳定高效，所制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113707835B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110973186.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种纳米压印图案化量子点LED制备方法，其特征在于：通过使用带有凹陷图案的PDMS印章压印的方法在LED中制备一层图案化的绝缘材料，阻挡该部分的载流子注入，以实现与印章图案一致的图案化发光。该方法通过使用带有图案化的印章制作相应的发光图案，所制作的单像素尺寸可达纳米级别，从而获得高分辨率的EL器件，制备流程简单，可重复性较高，且印章可重复使用，适用于大量生产。
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公开(公告)号：CN112625680B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
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