公开(公告)号：CN118159507A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072393.X

申请日：2022-10-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 梶原贵人 ,  泽村茂辉

IPC: C03C3/091 ,  B60J1/00 ,  C03B23/023 ,  C03C27/12

Abstract: 本发明涉及一种硼硅酸盐玻璃，其中，以氧化物基准的摩尔％计，所述硼硅酸盐玻璃包含：70.0％≤SiO2≤85.0％、5.0％≤B2O3≤20.0％、0.70％≤Al2O3≤10.0％、0.0％≤Li2O≤5.0％、0.0％≤Na2O≤10.0％、0.0％≤K2O≤5.0％、0.0％≤MgO≤5.0％、0.0％≤CaO≤5.0％、0.0％≤SrO≤5.0％、和0.10％≤Fe2O3≤1.0％，SiO2、Al2O3和B2O3的总量为85.0％以上，所述硼硅酸盐玻璃实质上不包含BaO、PbO和As2O3，对于平板玻璃而言，把将所述平板玻璃的厚度换算为1.50mm时的波长900nm～1300nm的光的平均透射率设为Tb[％]，把将所述平板玻璃在玻璃粘度达到1012[dPa·s]时的温度T12以上的温度进行加热并弯曲了的情况下，在将厚度换算为1.50mm时的波长900nm～1300nm的光的平均透射率设为Ta[％]，此时，满足Tb‑Ta>0。

公开(公告)号：CN118125725A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311635937.1

申请日：2023-12-01

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 藤原祐辅 ,  片冈裕介

IPC: C03C21/00 ,  C03C10/00 ,  C03C3/083

Abstract: 本发明提供一种化学强化玻璃，利用玻璃表面应力计测定的距表面的深度1μm处的压缩应力CS1为550～1100MPa，在将横轴设为距表面的深度(μm)且将纵轴设为以氧化物基准的摩尔百分率表示的K2O浓度(％)的K2O浓度分布图中，深度0.5～1.5μm的斜率(％/μm)除以深度1.5～3.5μm的斜率(％/μm)而得的值为1.3以上。

公开(公告)号：CN116639889B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310589060.0

申请日：2020-12-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 藤原祐辅 ,  静井章朗 ,  大原盛辉 ,  野中宁

IPC: C03C21/00 ,  B01J20/10

Abstract: 本发明涉及化学强化玻璃的制造方法和锂离子吸附剂。本发明涉及一种化学强化玻璃的制造方法，其包含：将在下述条件下通过TG‑MS测定的在380℃以上且600℃以下的温度范围内脱离的水分量为0.7质量％以下的硅酸钠或硅酸钾添加到熔融盐中的工序；和使含锂的玻璃与所述熔融盐接触而进行离子交换的工序。所述条件为：在He气氛下于50℃保持5分钟，然后以10℃/分钟升温至600℃并保持5分钟。

公开(公告)号：CN118120115A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280068638.1

申请日：2022-10-13

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 竹内彰一 ,  加藤友祐 ,  佐山稔贵 ,  东海林英明

IPC: H01Q13/16 ,  B60J1/00 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q3/24 ,  H01Q5/364 ,  H01Q13/10 ,  H01Q23/00 ,  H04B7/02

Abstract: 本申请提供一种能够应对至6GHz程度的比较高的频带的宽频带的平面天线。平面天线具备形成于平坦的导体的缝隙，所述缝隙包括：第一缝隙，在第一供电点与第二供电点之间沿第一方向延伸；第二缝隙，从所述第一缝隙的所述第一方向的端部沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；第三缝隙，从所述第一缝隙的与所述第一方向的朝向相反的第三方向的端部沿与所述第二方向的朝向相反的第四方向延伸，并到达向所述第四方向开放的开放端；及J字缝隙，从所述第二缝隙的所述第二方向的端部呈J字状延伸至向所述第一方向开放的开放端，所述J字缝隙的开放端处的缝隙宽度比所述第二缝隙的所述第二方向的端部处的缝隙宽度宽。

公开(公告)号：CN118104026A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280065413.0

申请日：2022-06-20

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 藤井直树 ,  北村陆 ,  三宅仁介 ,  赤塚公章

IPC: H01M10/0562 ,  C01B25/14 ,  H01B1/06 ,  H01B1/10 ,  H01B13/00 ,  H01M4/62

Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子二次电池的硫化物系固体电解质，包含含有Li、P、S和Ha(F、Cl、Br和I)的硫银锗矿型的晶体，表面的阴离子含量即[S2－]0、[O2－]0、[Br－]0、[Cl－]0和[F－]0、以及它们的电负性即χ满足以下关系{(1/χ(S))×[S2－]0+(1/χ(O))×[O2－]0+(1/χ(Br))×[Br－]0+(1/χ(Cl))×[Cl－]0+(1/χ(F))×[F－]0}≤0.33，且[S2－]0+[O2－]0+[Br－]0+[Cl－]0+[F－]0＝1。

公开(公告)号：CN111381303B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911349317.5

申请日：2019-12-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 馆村满幸

IPC: G02B5/28 ,  G02B5/22 ,  G02B5/20

Abstract: 本发明提供光学特性优良的滤光片和近红外线截止滤光片。滤光片(16)具备基板(20)、设置在基板(20)上的光学多层膜(22)、设置在光学多层膜(22)上的整合层(24)、和设置在整合层(24)上且具有含有红外线吸收成分的透明基体的吸收层(26)。整合层(24)抑制由吸收层(26)引起的透射率的强度变动。

公开(公告)号：CN118063091A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410180560.3

申请日：2017-11-29

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 齐藤健太 ,  小林大介

IPC: C03C3/093 ,  C03C3/091

Abstract: 本发明涉及一种无碱玻璃基板，其特征在于，玻璃板的截面的折射率的最大值与最小值之差(Δn)为0.40×10‑5以下。根据本发明的无碱玻璃基板，能够飞跃性地提高研磨性，能够缩短研磨时间从而提高生产效率。

公开(公告)号：CN118056678A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311534500.9

申请日：2023-11-16

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 高田晃右

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28

Abstract: 本发明涉及一种层叠片，其为第1树脂基板、中间层和第2树脂基板依次层叠而成的，其中，上述第1树脂基板与上述中间层的形状和大小相同并且层叠而构成层叠部，上述第1树脂基板的从上述第1树脂基板的表面的法线方向观察到的外形为四边形，上述第2树脂基板与上述第1树脂基板和上述中间层相比面积更大，并且从上述第1树脂基板的上述表面的上述法线方向观察时，在包含上述第1树脂基板的第1边与第2边正交相交的顶点的角部，具有从上述第1边、上述顶点和上述第2边的外缘伸出的伸出部，对于上述伸出部而言，从上述第1边起沿与上述第1边正交的第1方向上述伸出部伸出的长度为5mm～20mm，从上述伸出部与上述第1边的交点起沿与上述第1边平行的方向上述伸出部的长度为10mm～40mm，从上述第2边起沿与上述第2边正交的第2方向上述伸出部伸出的长度为5mm～20mm，从上述伸出部与上述第2边的交点起在与上述第2边平行的方向上的上述伸出部的长度为10mm～40mm。

公开(公告)号：CN118047533A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410100968.5

申请日：2020-07-13

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 前田枝里子 ,  今北健二 ,  金原一树 ,  箕轮明久

IPC: C03C3/095 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087 ,  C03C21/00 ,  C03C17/30

Abstract: 本发明涉及玻璃、化学强化玻璃和保护玻璃。本发明涉及一种玻璃，其中，所述玻璃的SiO2、Al2O3、Li2O的含量、Na2O和K2O中的任一种以上的合计的含量、Li2O含量相对于Li2O、Na2O和K2O的总量之比、MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO的合计含量在特定范围内。

公开(公告)号：CN118044027A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280065904.5

申请日：2022-09-22

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 藤井直树 ,  前田尚生 ,  本间脩 ,  赤塚公章

IPC: H01M10/0562 ,  C01B25/14 ,  H01B1/06 ,  H01B1/10 ,  H01B13/00 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子二次电池的硫化物系固体电解质，包含含有Li、P、S和Ha的硫银锗矿型的结晶相，[Ha]/[P](原子比)为1.3以上，在特定条件下测定的35Cl－NMR波谱中，使用在0～30ppm观测到的峰的面积强度SA和在－150～0ppm观测到的峰的面积强度SB的SB/SA为3.5以上，或者在－150～0ppm观测到峰，在0～30ppm未观测到峰。