-
公开(公告)号：CN101587098B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810011490.X
申请日：2008-05-21
申请人： 山东省科学院激光研究所 , 中国科学院金属研究所
摘要： 一个通道同时实现三种功能的钢管超声探伤方法，采用三功能探头，包括楔块，压电陶瓷片一，压电陶瓷片二，可变电阻；在一般的斜探头基础上，加了一个压电陶瓷片二，压电陶瓷片一的作用和普通斜探头中的压电陶瓷片的作用相同；压电陶瓷片二与楔块构成了一个有延迟块的直探头，压电陶瓷片二向钢管壁发射纵波，并接收来自钢管内壁和外壁的反射回波；当耦合不良时，钢管内壁反射回波Bi消失或大幅下跌而低于闸门高度，其监控闸门W1发出报警信号；如果壁厚超限，Bi移动到闸门之外，W1也发出报警信号。本发明的优点：既能自动监控水耦合状况，又不增加通道，还能同时实现监控钢管壁厚的功能，做到了探伤、耦合监控、壁厚监控三项功能仅用一个通道。
-
公开(公告)号：CN102320594A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110258881.3
申请日：2011-09-02
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的直接、大量、可控制备领域，具体为一种氧辅助浮动催化剂直接生长半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁为催化剂前驱体、适量的硫粉为生长促进剂、氢气为载气、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长及原位刻蚀小直径和金属性单壁碳纳米管，最终获得半导体性单壁碳纳米管占优的样品，其含量到达90wt％，直径分布在1.4-1.8nm之间。本发明实现了较窄直径分布的半导体性单壁碳纳米管大量、直接控制生长，克服了现有化学和物理方法分离过程中对单壁碳纳米管本征结构破坏严重、过程复杂、而直接制备技术中样品量少、直径分布较宽、且直径较小等问题。
-
公开(公告)号：CN102320593A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110253414.1
申请日：2011-08-30
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法，以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体，在高的氢气载气流量下，生长出高抗氧化性碳纳米管，同时通过调控加入硫生长促进剂的量，实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长，获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管，单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90％以上，单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃。本发明获得结晶度高、结构缺陷少、纯度高的单/双壁碳纳米管，具有优异的导电性、高弹性、高强度等特性，可望在透明导电薄膜及其相关器件上获得应用。
-
公开(公告)号：CN102277607A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110235784.2
申请日：2011-08-17
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及阳极氧化铝膜的制备技术，具体为一种制备小孔径、超薄、孔径和厚度可控的通孔阳极氧化铝膜的方法。以高纯铝为阳极，在硫酸的电解液中施加一定的恒压直流电源进行阳极氧化，选择适当的阴阳极间电压、电解液浓度、电解液温度及阳极氧化时间，反应后将带有铝基体的阳极氧化铝作为阳极，置于高氯酸和丙酮的混合液中，在高于阳极氧化电压5-15V的电压下阳极电解处理，使氧化铝膜与铝基体分离且同时去除阻挡层，从而得到小孔径、孔径和厚度可控且通孔的阳极氧化铝膜。本发明实现了小孔径、通孔阳极氧化铝膜的大量、简单、无损、均匀、规模制备，解决了目前无法获得小直径、超薄、通孔阳极氧化铝膜的技术难题。
-
公开(公告)号：CN101745434B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200810229969.0
申请日：2008-12-19
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： B01J37/00 , B01J37/08 , B01J23/745 , B01J21/18 , B01J35/00
摘要： 本发明涉及氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内的选择性填充，具体为一种氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内选择性填充、氧化铁颗粒填充量和尺寸精确可控的方法和填充复合物的用途。以具有规则孔结构的阳极氧化铝膜为模板，通过化学气相沉积法在模板上均匀沉积炭层，得到阳极氧化铝膜/碳的复合物；把复合物放入硝酸铁溶液中，室温下超声震荡，取出阳极氧化铝膜/碳的复合物，干燥后在保护气氛下处理，将硝酸铁分解成氧化铁，然后去除阳极氧化铝模板，最后获得氧化铁颗粒在纳米碳管中空管腔内选择性填充的纳米碳管。氧化铁颗粒选择性填充在纳米碳管中空管腔，氧化铁颗粒重量含量在5-70％之间精确均匀可控，氧化铁颗粒尺寸在1-10纳米可控。
-
公开(公告)号：CN102021633A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910187297.6
申请日：2009-09-09
申请人： 中国科学院金属研究所
IPC分类号： C25D13/02
CPC分类号： C25D13/02
摘要： 本发明涉及场发射电子材料领域，特别提供了一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法。该方法包括：(1)采用超声方法将石墨烯与可以提供电荷的金属阳离子无机盐均匀分散在极生较低的有机溶剂中，或将石墨烯直接分散在离子型表面活性剂的水溶液中，制备出稳定的带电荷的石墨烯溶液；(2)在外加电场作用下，利用电泳沉积方法将带有电荷的石墨烯有序沉积在导电基板上，制备出石墨烯薄膜。本发明场发射材料为均匀致密、由富含垂直于表面的石墨烯片层组成的石墨烯薄膜，该方法具有操作简单、成本低、可控性好的特点，适于制备大面积的石墨烯薄膜，石墨烯薄膜优异的场发射特性为其作为冷阴极材料在高性能场发射显示器等方面的应用奠定了基础。
-
公开(公告)号：CN101513997B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810010444.8
申请日：2008-02-20
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及纳米电缆的合成技术，特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发，原位合成出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点，是纳米电缆及场效应管等纳米器件中绝缘层的理想材料；此外，所研制纳米电缆的芯体仅由一根或几根单壁碳纳米管构成，将有利于单壁碳纳米管纳米尺度效应的发挥并提高所构建纳米器件的效率和灵敏度等性能。
-
公开(公告)号：CN101924196A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910012076.5
申请日：2009-06-17
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及大幅度提高石墨电化学性能的技术，具体为一种大幅度提高石墨可逆容量的方法。在纳米硅球粉表面化学气相沉积炭后，将包有炭的硅粉与石墨混合，具体如下：首先，通过化学气相沉积的方法在纳米硅球粉表面均匀包覆炭层，其中的炭层重量占5-40％；再将包覆有炭层的纳米硅球粉与石墨进行混合，其中的纳米硅球粉重量占5-20％，做成锂离子电池负极。本发明通过添加少量沉积炭后的纳米硅球粉，可大幅度提高石墨的可逆容量，锂离子电池负极的首次可逆容量比石墨提高50-300％，并保持石墨的高库伦效率和长循环寿命，解决了目前石墨可逆容量低，及纯硅粉库伦效率低和循环寿命差等问题。
-
公开(公告)号：CN101587098A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810011490.X
申请日：2008-05-21
申请人： 山东省科学院激光研究所 , 中国科学院金属研究所
摘要： 一个通道同时实现三种功能的钢管超声探伤方法，采用三功能探头，包括楔块，压电陶瓷片一，压电陶瓷片二，可变电阻；在一般的斜探头基础上，加了一个压电陶瓷片二，压电陶瓷片一的作用和普通斜探头中的压电陶瓷片的作用相同；压电陶瓷片二与楔块构成了一个有延迟块的直探头，压电陶瓷片二向钢管壁发射纵波，并接收来自钢管内壁和外壁的反射回波；当耦合不良时，钢管内壁反射回波Bi消失或大幅下跌而低于闸门高度，其监控闸门W1发出报警信号；如果壁厚超限，Bi移动到闸门之外，W1也发出报警信号。本发明的优点：既能自动监控水耦合状况，又不增加通道，还能同时实现监控钢管壁厚的功能，做到了探伤、耦合监控、壁厚监控三项功能仅用一个通道。
-
公开(公告)号：CN101513997A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810010444.8
申请日：2008-02-20
申请人： 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及纳米电缆的合成技术，特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发，原位合成出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点，是纳米电缆及场效应管等纳米器件中绝缘层的理想材料；此外，所研制纳米电缆的芯体仅由一根或几根单壁碳纳米管构成，将有利于单壁碳纳米管纳米尺度效应的发挥并提高所构建纳米器件的效率和灵敏度等性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
341 条记录 (耗时 0.205 秒)
