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公开(公告)号：CN119503786A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311072987.3
申请日：2023-08-24
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/198 , C01B32/19 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于石墨烯材料制备技术领域，具体为一种具有通用性的共价功能化石墨烯(CFG)电化学制备方法，该方法包括如下步骤：(1)在轻质密封油油封状态下，对石墨电极利用浓硫酸进行电化学插层处理；(2)插层完成后，在排出浓硫酸的同时向电解槽中注入轻质密封油；(3)在电解槽中，利用轻质密封油、含水电解液、重质密封油三种工作液体的密度和相溶性差异构建微液膜反应区，并使微液膜反应区与插层石墨电极接触使其发生电化学氧化生成CFG；(4)通过控制微液膜反应区相对插层石墨电极进行定向移动，使整个插层石墨电极逐渐并完全转化为CFG；(5)将反应后的CFG结构放入溶剂中进行机械剥离制备出CFG的分散液，经干燥处理后得到CFG粉体。
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公开(公告)号：CN119465387A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411432776.0
申请日：2024-10-14
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及金属卤化物钙钛矿材料领域，具体为一种化学气相输运合成金属卤化物钙钛矿单晶材料的方法。该制备方法包括：将金属(Pb、Bi、Sn、Sb、Ge)、卤化物盐(NH4I、KI、AgI、KBr、MAI、FAI)和输运剂(单质碘、单质溴、KCl)混合密封在石英反应器中。将石英反应器置于管式炉中，控制石英反应器两端温度，使反应物在高温反应端挥发、分解并发生化学反应，进而在低温生长端沉积并生长出金属卤化物钙钛矿单晶材料，通过真空加热或酸洗的方法去除输运剂。该方法为非溶液法，通过控制反应物成分与组成并控制反应温度和温差可制备出不同的钙钛矿单晶材料，具有工艺简单、易操作，所得金属卤化物钙钛矿单晶材料结晶质量高的特点。
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公开(公告)号：CN117446790A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210852314.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C30B29/02 , C30B29/68
Abstract: 本发明涉及石墨烯材料及其化学气相沉积(CVD)制备技术，具体为一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法，适于不采用金属催化剂和高温条件制备单层及多层石墨烯。该方法使用含有离域键的有机物作为碳源的添加剂，利用其中的离域键促进碳源在非金属表面重构形成石墨烯。通过加入含有离域键的有机物可以有效促进较低温度条件下石墨烯在非金属基体表面的形核和长大，无需使用金属催化剂和高温。采用本发明所述方法，可在非金属基体上低温生长出高质量的石墨烯，从而避免常规转移过程对石墨烯器件性能的不利影响。
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公开(公告)号：CN116761486A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310542958.2
申请日：2023-05-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: H10K71/60 , H10K71/00 , H10K59/12 , H10K59/80 , H10K59/123 , H10K50/805
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯像素电极限域载流子传输及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法，属于透明导电膜应用与柔性显示技术领域。利用绝缘性聚合物材料使石墨烯像素电极间绝缘同时提高电荷的垂直注入与输运及其柔性有源矩阵发光二极管的制备方法。首先将不同基体上生长的石墨烯薄膜转移至转印基体上，并对其进行激光刻蚀制备出石墨烯像素电极。然后将石墨烯像素电极矩阵转移至薄膜晶体管阵列上，进而在石墨烯矩阵表面沉积一层超薄的聚合物层。最后，在聚合物改性的石墨烯电极上构建发光二极管，获得有源矩阵发光二极管器件。该方法制备的有源矩阵发光二极管器件具有像素清晰、柔性可弯折，在柔性显示器及智能穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108148452B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201611112687.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含有石墨烯的复合导热填料及其制备方法和应用，属于新材料及其应用技术领域。利用化学气相沉积法在适宜温度和气氛下在氧化铝等耐高温的常规导热填料表面生长石墨烯层，制备出石墨烯层包覆于基体填料表面的复合导热填料。所制备复合导热填料颗粒石墨烯均匀紧密的包覆基体填料表面，形成完整稳定的壳层结构。由于石墨烯自身优异的导热性能，应用此种复合导热填料可使所制备的复合材料导热性能较直接使用常规导热填料在相同添加量下获得达4倍的提升，制备的导热复合材料导热率可达15W/mK。此种石墨烯复合导热填料制备工艺简单，可大规模工业化生产，作为新型高效导热填料应用于导热复合材料的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116008023A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211552249.4
申请日：2022-12-05
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及透射电子显微镜表征二维材料结构领域，具体为一种高效获取二维材料截面特征晶向的方法，适用于二维范德华层状材料和二维非层状材料。利用聚焦离子束显微镜(FIB)在垂直于(或平行于)二维材料边缘长直边方向取样，并将二维材料取样方向平行于半月形载网弦长方向进行焊接，从而制备出能反映原子层堆垛序的截面样品；再将半月形载网弦长方向与TEM样品杆轴向垂直放置，继而进行小角度倾转以快速实现样品晶体学定向。本发明为通过观察二维材料截面样品高效解析材料的晶体结构、堆垛缺陷以及表面重构等晶体学信息奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110371964B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201910645374.1
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/198 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于氧化石墨烯材料制备技术领域，具体是一种纳米级片径尺寸的氧化石墨烯材料的制备方法。以玻璃炭材料作为阳极，浸入电解液中，再插入阴极对电极；在阴阳极之间施加电压，进行电化学氧化剥离处理；阳极物质在电化学反应过程中被逐渐氧化剥离并分散到电解液中；对含有阳极剥离物质的电解液进行离心、清洗、透析和干燥处理后，即得到纳米级片径的氧化石墨烯粉体材料。该方法利用具有特殊不规则片状晶体结构的玻璃炭材料作为电极，通过一步电化学氧化剥离工艺，可以实现不同片径分布的氧化石墨烯纳米片的控制制备。本发明具有安全、高效、无污染、产品纯度高、产品无金属离子杂质等特点，可用于纳米级氧化石墨烯材料的工业化生产。
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公开(公告)号：CN114959629A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210573320.0
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及二维材料领域，具体为一种利用高级脂肪醇或高级脂肪酸转移二维材料的方法，适用于基体上的二维材料单晶或薄膜的洁净无褶皱转移。将加热熔融后的高级脂肪醇或脂肪酸旋涂在基体上生长的二维材料表面，冷却固化得到高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料/基体复合体；利用刻蚀液腐蚀掉基体，得到高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体；将高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体转移到温水表面，使高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体充分舒展；将高级脂肪醇或脂肪酸/二维材料复合体转移到目标基体表面，从而实现二维材料的转移。本发明方法使得转移的二维材料表面具有更高的清洁度及更少的褶皱，为二维材料的物性研究与实际应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110040725B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910187318.8
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明涉及二维石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种快速制备高质量均匀层数石墨烯薄膜的方法，适于制备大面积的高质量均匀层数石墨烯薄膜。采用上层铜箔/底层过渡族金属箔片构成的双金属叠片作为生长基体，在低于铜熔点的温度下通过CVD技术催化裂解碳源生长出层数不均匀的石墨烯薄膜，后提高生长温度至铜熔点以上，在短时间内制备出高质量均匀层数的石墨烯薄膜，后续刻蚀掉铜基底得到高质量均匀层数的石墨烯薄膜。本发明具有制备工艺简单，时间周期短，产物尺寸及厚度易于调控并适于大面积制备等特点，为大面积高质量均匀石墨烯薄膜在场效应晶体管、透明导电薄膜、柔性电子器件等领域的研究和应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN110697684B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810748384.3
申请日：2018-07-10
Applicant: 中国科学院金属研究所 , 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: C01B32/159 , C01B32/158 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及碳纳米管导电球的制备与应用领域，具体为一种干法制备包覆型碳纳米管导电微球的方法及其应用，具体制备方法为：(1)将space微球与碳纳米管按照一定比例进行物理粗混，制备成混合母料；(2)在母料中添加少量含有表面活性剂的溶液，使母料润湿并进一步混合均匀；(3)利用流化床气流磨对上述母料进行细混，使碳纳米管均匀包覆在space微球表面；(4)清洗、离心分离去除多余的表面活性剂和碳纳米管，再经干燥后得到均匀包覆的碳纳米管导电微球。本发明工艺简单、快捷高效、无需大量溶剂分散、适用于工业化生产，得到的导电球包覆均匀，具有良好的导电、导热等性能，可作为填料应用于压敏、热敏、导电元件中。
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