可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法

    公开(公告)号:CN108428788A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810095311.9

    申请日:2018-01-31

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: H01L41/338 H01L41/33

    Abstract: 本发明公开了一种可抑制压电谐振的光学电压/电场传感器晶片的制作方法,属于光学电压/电场传感器技术领域。本发明方法的一种实现方式是通过将晶片宽度取设定范围的值时,从而将由该晶片构成的光学电压/电场传感器的谐振基频转移到需要测量的频率范围以外;本发明方法的另一种实现方式是将所述晶片宽度配置为渐变,用以分散由该晶片构成的光学电压/电场传感器的谐振能量。通过本发明制得的晶片构成的光学电压/电场传感器均有效抑制了设定电场频率条件下的压电谐振现象,且操作简单,易于实现。

    一种消除偏振相关噪声的集成共路干涉电场测量系统

    公开(公告)号:CN108387787A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201810040976.X

    申请日:2018-01-16

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种消除偏振相关噪声的集成共路干涉电场测量系统,属于集成共路干涉电场测量系统技术领域,该系统包括光源、依次设置在与光源输出光束同轴光路上的起偏器、输入保偏光纤、电光晶体、输出保偏光纤和检偏器;所述光源为宽谱光源,所述输入保偏光纤和输出保偏光纤的长度L满足:L乘以宽谱光源的中心波长再除以保偏光纤的拍长所得到的值大于等于宽谱光源的相干长度。本发明测量系统通过采用宽谱光源并使用设定长度的输入、输出保偏光纤,可有效消除偏振相关噪声,大幅降低集成共路干涉电场测量系统中产生的偏振相关噪声,可提高集成共路干涉电场测量系统的测量准确度和精度。

    应用于GCT器件门极驱动的电源管理电路

    公开(公告)号:CN108092491A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201810002287.X

    申请日:2018-01-02

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 一种应用于GCT器件门极驱动的电源管理电路,包括第一电源模块,为GCT器件的关断模块、开通模块、监控与通信模块等模块进行供电;第二电源模块,用于对GCT器件的上电启动和断电过程中的电源进行管理;第三电源模块,用于提供上、下相邻级GCT器件的第一电源模块的备用电源,对相邻GCT器件进行隔离供电。这种电源管理电路满足GCT门极驱动单元从GCT器件高压侧主电路直接取电的需求,从而不需要从低电位对GCT的门极驱动单元进行高压隔离供电,大大降低了器件体积和成本,提供多种备用供电方式,提高了可靠性。增加上电、断电过程的供电管理策略,有效防止过程中的电压击穿。

    一种极大磁场测量方法及装置

    公开(公告)号:CN106556806B

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201611019155.5

    申请日:2016-11-18

    CPC classification number: G01R33/098

    Abstract: 本发明公开了一种极大磁场测量方法及装置,涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括:1:将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中,并获取各个隧穿磁阻电阻的阻值;2:根据四个隧穿磁阻电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角;3:根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1;根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2;4:根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H,根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ。

    一种宽磁场范围测量方法及装置

    公开(公告)号:CN107037380A

    公开(公告)日:2017-08-11

    申请号:CN201611022569.3

    申请日:2016-11-18

    CPC classification number: G01R33/093

    Abstract: 本发明公开了一种宽磁场范围测量方法及装置,涉及磁场测量技术领域,尤其是一种针对中大范围及极大范围的磁场强度的测量方法。本发明技术要点包括:中大磁场测量步骤及极大磁场测量步骤;另外还包括:步骤1:将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中,并获取各个磁阻电阻的阻值;步骤2:将其中两个相互正交的磁阻电阻的阻值带入中大磁场测量步骤计算,若计算过程收敛则判断外加磁场为中大磁场且计算结果为中大磁场的磁场强度及方向;若计算过程不收敛则将四个磁阻电阻的阻值带入极大磁场测量步骤计算,且判断外加磁场为极大磁场,计算结果为极大磁场的磁场强度及方向。

    用于检测高压设备局部放电的校准脉冲的产生方法

    公开(公告)号:CN103809089B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201410036824.4

    申请日:2014-01-25

    Abstract: 本发明涉及一种高压电力设备局部放电校准脉冲产生方法及装置,属于高压设备监测技术领域。通过外接端口设定校准脉冲的幅值和重复频率。由微控制器读取设定的校准脉冲的幅值,转化为内部的对应设定值。根据该设定值,微控制器控制数模转换器输出对应的低压直流模拟信号,并经过精密放大器将其放大为高压直流模拟信号。微控制器产生控制信号,驱动高速开关,将高压直流信号输出特定的宽度后快速关闭,从而产生局部放电校准用脉冲。输出脉冲的时刻由微控制器根据参考信号的过零点进行控制。本方法大大提高了校准脉冲的陡度,扩大了脉冲幅度的输出范围。将在高压电力设备的局部放电离线测量、带电检测、在线监测以及故障诊断方面发挥重要作用。

    一种铌酸锂直波导电场测量系统

    公开(公告)号:CN104459350B

    公开(公告)日:2017-07-18

    申请号:CN201410741941.0

    申请日:2014-12-05

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种铌酸锂直波导电场测量系统,属于电场测量技术领域。本发明测量系统,包括:用于发出激光的激光源,用于将激光器发出的激光转化为线偏振光,并将该线偏振光传入铌酸锂直波导电场传感器的输入单偏振光纤,用于感应待测电场的铌酸锂直波导电场传感器,用于接收从铌酸锂直波导电场传感器出射的椭圆偏振光,并将椭圆偏振光转化为线偏振光的输出单偏振光纤,以及用于将线偏振光信号转换成电压信号的探测器。本发明的铌酸锂直波导电场测量系统,舍去已有电场测量系统中的起偏器和检偏器,降低测量系统成本;简化测量系统的复杂度,显著提高测量系统的消光比。

    一种优化的极大磁场测量方法及装置

    公开(公告)号:CN106772149A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611027078.8

    申请日:2016-11-18

    CPC classification number: G01R33/09

    Abstract: 本发明公开了一种优化的极大磁场测量方法及装置,涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点:将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中,获取各隧穿磁阻电阻的阻值;根据四个电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层与参考层磁化方向的夹角;根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1;根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2;根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0,根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ;根据方向θ对磁场强度H0进行优化。

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