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公开(公告)号：CN104269283A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410583583.5
申请日：2014-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备方法，本发明涉及石墨烯超级电容器电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯制备方法中，温度过高可能会引起石墨烯结构性质的变化和石墨烯褶皱的形成，阻碍了电荷的传输，使电荷湮灭几率增大，且由于石墨烯的疏水性，使石墨烯与电解液之间不能很好地润湿，导致电荷传导和存储的有效面积大大降低的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节压强并升温，通入碳源气体，进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，进行射频等离子体刻蚀，射频等离子体刻蚀结束后，冷却至室温。本发明用于一种高比电容石墨烯超级电容器电极材料的制备。
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公开(公告)号：CN103979955A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410200916.1
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 锂-铝离子对掺杂改性的钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它涉及具有高压电性能钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决利用普通原料和传统固相合成法制备的钛酸钡基无铅压电陶瓷压电性能较差的问题。本发明的钛酸钡基陶瓷组成为Ba1-x(Li0.5Al0.5)xTi1-xSixO3，其中0.02≤x≤0.08mol。本发明采用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基无铅压电陶瓷，该体系为钙钛矿相，当x＝2-8mol％时，陶瓷中存在Li+-Al3+离子对，使压电常数d33达300-400pC/N，机电耦合系数kp达0.35-0.45。其制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102826546B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210369707.0
申请日：2012-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种燃烧合成制备石墨烯粉体的方法，它涉及碳结构材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯的制备方法无法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点的问题。制备方法：通过干法混粉，制备镁粉和糖粉的混合粉体，将该混合粉体进行燃烧合成反应，得到石墨烯粉体。本发明的石墨烯粉体的制备方法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点，通过本发明的方法制备出的石墨烯粉体厚度较小。本发明适用于石墨烯的工业化生产。
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公开(公告)号：CN102839276A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210349683.2
申请日：2012-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C21D10/00
CPC classification number: Y02P10/212
Abstract: 一种超声松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法，涉及松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法。本发明解决了现有的松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法，处理效率低，处理时间长的问题。一种超声松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法：一、将材质为金属的超声探头与金属构件螺栓的螺帽的表面形成刚性的接触，或将材质为金属的超声探头与金属构件螺栓的临近螺帽的区域的表面形成刚性的接触；二、进行超声处理。本发明提供的一种超声松弛金属构件螺栓连接处残余应力的方法应用于高精度仪器仪表制造领域。
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公开(公告)号：CN102826546A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210369707.0
申请日：2012-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种燃烧合成制备石墨烯粉体的方法，它涉及碳结构材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯的制备方法无法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点的问题。制备方法：通过干法混粉，制备镁粉和糖粉的混合粉体，将该混合粉体进行燃烧合成反应，得到石墨烯粉体。本发明的石墨烯粉体的制备方法同时具备原料易保存运输、节约能源、操作方法简单、成本低的优点，通过本发明的方法制备出的石墨烯粉体厚度较小。本发明适用于石墨烯的工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102659416A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210144706.6
申请日：2012-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/475 , H01L41/187
Abstract: 晶须状钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡压电陶瓷的制备方法，它涉及一种压电陶瓷的制备方法。本发明解决了固相合成法烧结后的陶瓷晶粒较大且致密度较差的技术问题。本方法如下：一、制备NBT-KBT胶体；二、制备BT胶体；三、制备NBT-KBT-BT胶体；四、将NBT-KBT-BT胶体放入坩埚中，点燃胶体，得到粉末，五、将粉末预烧后压成陶瓷片；六、将陶瓷片在1140℃～1160℃，保温2h～4h，得到钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡压电陶瓷。本发明制备钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡压电陶瓷的方法可获得超细、均匀性好、纯度高的粉体；可获得致密度较高、具有晶须状的压电陶瓷。
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公开(公告)号：CN101857221A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010179118.7
申请日：2010-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 高效率制备石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物的方法，它涉及石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物制备方法。本发明同时解决了石墨烯或氧化石墨烯本身易复合、现有方法制备石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物工艺步骤多、成本较高、分散困难的问题。本发明采用机械剥离方法获得石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物。本发明使用自动机械，用固体颗粒辅助剥离，极大的增加剥离过程的接触面积和剥离次数，通过剪切和撞击作用，使碳素材料粉在短时间内经历大量的剥离过程，从而显著提高剥离效率，同时达到与复合物之间均匀分散的目的，该方法适于工业化大批量生产石墨烯复合物或氧化石墨烯复合物。
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公开(公告)号：CN100402691C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510010130.4
申请日：2005-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料，它属于金属基复合材料领域。针对现有复合材料存在增强相与基体的润湿性差、增强相和基体以及基体中的合金元素会发生严重的界面反应和热塑性变形能力较差的不足，本发明的含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由SnO2涂层、陶瓷增强相和铝或镁基体三种成分组成，其中陶瓷增强相的体积占总体积的15～50%，SnO2的加入量占陶瓷增强相质量的2～20%。该复合材料可以通过物理或化学方法实现陶瓷增强相表面的SnO2涂覆。SnO2涂覆后可以提高增强相与基体的润湿性，抑制增强相与基体的界面反应，还可以降低复合材料的热塑性变形温度，减少复合材料热加工的成本，热变形后复合材料仍有很好的力学性能。
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公开(公告)号：CN1821433A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009820.2
申请日：2006-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C45/00
Abstract: 含β－锂霞石的铜基复合材料，它涉及一种铜基复合材料。它解决了现有金属材料和陶瓷材料都无法同时具备高热导性、高电导性、低热膨胀系数的问题。含β－锂霞石的铜基复合材料由铜粉和β－锂霞石颗粒制成。含β－锂霞石的铜基复合材料还可由铜粉和有铜或银包覆层的β－锂霞石颗粒制成。本发明除具有可镀覆性、可焊性、耐蚀性、良好的电磁波干扰/射频干扰屏蔽能力、高强度、高硬度，优良的加工性、成形性和低廉的价格外，还同时具备高热导性、高电导性、低热膨胀系数的性能。本发明在－100～300℃范围内热膨胀系数为3×106～14×106/℃，热导率为50～350W/m·K，电导率为5.8×106～5.8×107Ω/m。
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公开(公告)号：CN1793406A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510127309.8
申请日：2005-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷相增强铝基或镁基复合材料及其制备方法。它解决了现有复合材料中陶瓷相和基体的浸润性差，界面结合强度低，影响复合材料力学性能的问题。ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由ZnO、陶瓷相和铝基或镁基三种原料制成。其制备方法：1.将陶瓷相加入ZnO溶胶中；2.制备ZnO涂覆的陶瓷相；3.将ZnO涂覆的陶瓷相制成预制块并焙烧；4.挤压铸造，即得到ZnO涂覆的陶瓷相增强铝基或镁基复合材料。ZnO涂覆到陶瓷相上提高了陶瓷相与基体的浸润性，改善了陶瓷相与基体的界面，使复合材料的力学性能显著提高。
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