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公开(公告)号：CN110444612B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910659343.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/115
Abstract: 本发明公开了一种用于增加太赫兹探测器响应带宽的多层介质复合结构，包括芯片衬底，以及设置在芯片衬底背面的若干介质层，所述芯片衬底与相邻介质层之间以及相邻两介质层之间设置基片对，在芯片衬底与相邻介质层以及相邻两介质层之间形成腔体，所述基片对通过黏贴剂与芯片衬底或介质层连接。本发明多层介质复合结构在保持高透射率的情况下，增加了透射信号的频率带宽，并且制备工艺简单、成本低且与倒装焊工艺兼容，为制备高探测效率、宽频带工作的太赫兹探测器奠定基础，在太赫兹技术领域中具有重大的现实意义与应用前景。
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公开(公告)号：CN111272704A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010199607.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种在太赫兹波段测量材料折射率的系统及方法，该系统包括太赫兹源、探测器和电子光学系统，其中太赫兹源产生连续的太赫兹辐射波；探测器接收太赫兹信号；电子光学系统中电动位移控制模块控制探测器保持准直并向远离太赫兹源的方向移动；信号读出模块将接收到的太赫兹信号转化为电信号；信号处理模块对电信号进行数字化处理和滤波，得到周期性变化的太赫兹信号分析确定折射率。该方法先对插入材料前后探测器扫描到的两段信号进行分段滤波，滤除其中的直流分量，然后通过希尔伯特等数学变换进行信号分析处理，得到信号的瞬时相位，再根据插入材料前后的相位跳变值计算出折射率。本发明实现了基于太赫兹连续波的高精度材料折射率测量。
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公开(公告)号：CN111180848A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010101138.6
申请日：2020-02-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01P7/06
Abstract: 本发明公开了用NbN动态电感实现紧凑可调型微波谐振器的装置和方法，包括：直流源、衰减器、无氧铜腔体、超导线圈、第一级放大器、第二级放大器、矢量网络分析仪和控制电脑，利用超导状态下超薄NbN薄膜材料的高动态电感，在微波频段实现小尺寸的可调谐振器，相比于一般薄膜微波谐振器，其尺寸缩短10-20倍，其可调性反映于将超薄NbN薄膜作为LC谐振电路，谐振器末端连接一个dc-SQUID，外部磁场的变化引起dc-SQUID等效电感的变化，从而改变谐振器总电感，对整个谐振电路的谐振频率产生调制作用。本发明实现了在低温下利用超薄NbN薄膜的动态电感实现紧凑型微波谐振器，并通过改变外加磁场大小来调制谐振频率。
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公开(公告)号：CN111129280A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911422395.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/10 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0352 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种集成波导结构光子数分辨超导单光子探测器，包括衬底和SiOx波导结构，所述衬底与SiOx波导之间设置有由若干个单元串联的超导纳米线单光子探测阵列，每个单元由电阻和纳米线并联而成。本发明不仅能够高速探测到波导传输的极微弱光子，并且能够分辨检测到的光子数目，在量子光学芯片领域具有重要应用。本发明的制备方法为：1、在氟化镁衬底上磁控溅射氮化铌超导薄膜；2、光刻和剥离制备电极；3、用电子束光刻制备纳米线图形，并通过反应离子刻蚀获得氮化铌纳米线阵列；4、光刻电阻图案，并通过制备并联电阻；5、用电子束光刻制备波导图形，并通过等离子体增强化学气相沉积淀积SiOx波导。本发明的制备工艺步骤简单，成品率较高。
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公开(公告)号：CN107123730B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710242297.6
申请日：2017-04-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种Bi2Sr2CaCu2O8单个约瑟夫森表面结的制备方法，将BSCCO单晶置于热蒸发的真空环境中进行解理，解理后迅速热蒸发金电极，直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀的方法刻蚀掉图形区域之外的金膜与BSCCO单晶，之后在图形四周蒸发一层绝缘的SiO作为保护，经过蒸金、光刻得到上下电极图形，使用碘化钾腐蚀液刻蚀掉其他区域的金膜，制备出只有一个结的约瑟夫森表面结。该制备方法简单，克服了传统离子束刻蚀无法精确控制刻蚀的厚度从而无法制备出单个表面结的缺点，大大缩短了样品制备周期并提高了样品制备成功率，能制备出只有一个结的约瑟夫森表面结，特性不受内部结的干扰，对表面结特性的研究起到了重大的推动作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109297607A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811060795.X
申请日：2018-09-12
Applicant: 南京大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种探测超导氮化铌测辐射热计驰豫振荡的微波探针装置，包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、偏置电压源、环形器、频率信号发生器和信号放大器和加热系统。偏置器和偏置电压源用于提供偏置电压。频率信号发生器和环形器用于注入偏置信号。加热系统包括加热电阻、温度计和温度控制器。加热电阻和温度计紧贴超导氮化铌测辐射热计芯片。温度控制器设于低温杜瓦之外，并连接加热电阻和温度计。本发明可以探测超导氮化铌测辐射热计芯片的驰豫振荡现象，为研究各种检测器件的物理现象打开了一扇门，是一个可同时进行频域和时域分析的有力工具，简单方便，有着广阔的应用前景和研究价值。
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公开(公告)号：CN108375556A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810038539.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器，包括周期结构的双层超材料，所述周期结构的单元结构为开口极化方向相互垂直的两个劈裂环。本发明还公开了一种将上述太赫兹传感器用于生物单分子层检测的方法，在所述太赫兹传感器的一侧覆盖一层单分子层物质。本发明实现了对生物单分子层无标记的高灵敏检测。
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公开(公告)号：CN108107568A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810115440.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 南京大学
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开了一种光辐照悬空电容的装置，包括：用于承载悬空电容样品的无氧铜腔体；用于承载所述无氧铜腔体的支撑装置；光纤移动装置；其中，所述无氧铜腔体固定在支撑装置上，无氧铜腔体内部安放悬空电容样品；所述支撑装置固定在CCD平台的基座上；所述光纤移动装置固定在CCD平台的移动平台上，且位于无氧铜腔体的下方。本发明还公开了一种光辐照悬空电容的方法。本发明很方便地实现了将平行光束对准微尺度的悬空电容。
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公开(公告)号：CN104634438B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510095802.X
申请日：2015-03-04
Applicant: 南京大学
IPC: G01H11/02
Abstract: 本发明公开了一种双稳态系统随机共振的测量方法。该方法通过向双稳态系统输入正弦信号和噪音信号后测量该双稳态系统所处状态的概率，从而 取得状态概率和噪音信号强度的关系表。然后从状态概率和噪音信号强度的关系表中提取状态概率随噪音信号强度变化的极值，将该极值作为该双稳态系统随机共振的关键特征。其中，所述双稳态系统对称性可调，所输入的正弦信号强度不足以使所述双稳态系统发生状态变迁。本发明的方法，可以大幅地降低数据处理的复杂度，可以区分输入正弦信号的初始相位，并且对输入的正弦信号的周期数不敏感。
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公开(公告)号：CN103956637B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410202463.6
申请日：2014-05-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种高频率BSCCO-THz源，包括BSCCO-THz源；在所述的BSCCO-THz源上设有上基片；所述的上基片通过导热胶粘贴在BSCCO-THz源的下基片上，所述的BSCCO-THz源的BSCCO被包裹在导热胶内部。本发明的高频率BSCCO-THz源，其BSCCO-THz源被导热胶和上下方的基片包裹着，确实有效的改善BSCCO-THz源的导热，从而大大增加其偏置电压，提高了其辐射太赫兹信号的频率，可得到1THz以上太赫兹辐射；有效突破目前的技术瓶颈，填补该部分的技术空白，具有广阔的应用前景，在BSCCO-THz源领域将得到广泛的应用，具有不可比拟的实用性。
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