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公开(公告)号：CN114335213B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111359465.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上制备高精度、大面积纳米结构的方法，在旋涂的电子束胶层与即将用于制备成微纳结构的薄膜层之间引入一层或多层导电层，增大电子束曝光过程中高能电子的释放速率，减小局域电场，从而有效避免大量电荷累积在绝缘衬底表面，为后续进一步制备出具有小尺寸、高密度以及大面积微纳结构的纳米电子器件奠定了一定的技术基础。
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公开(公告)号：CN113252167A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110544264.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱高效率超导单光子探测器及其制备方法，包括超导纳米线单元、电极、玻璃插芯、玻璃板套夹和光纤，光纤包括纤芯和包层；光纤嵌入在玻璃插芯内，玻璃插芯呈一定角度嵌入在玻璃板套夹内，该光纤、玻璃插芯和玻璃板套夹的端面均处于同一水平面上；超导纳米线单元设置在光纤的上表面并覆盖住纤芯；电极设置在包层上表面并位于超导纳米线单元两侧；本发明通过将超导纳米线单光子探测器设计在光纤端面，可制备得到宽光谱响应、高效率的光纤端面超导纳米线单光子探测器，大幅度提高了超导单光子探测器的集成度，降低了工艺制作步骤，从而扩展了应用领域。
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公开(公告)号：CN111129280A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911422395.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/10 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0352 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种集成波导结构光子数分辨超导单光子探测器，包括衬底和SiOx波导结构，所述衬底与SiOx波导之间设置有由若干个单元串联的超导纳米线单光子探测阵列，每个单元由电阻和纳米线并联而成。本发明不仅能够高速探测到波导传输的极微弱光子，并且能够分辨检测到的光子数目，在量子光学芯片领域具有重要应用。本发明的制备方法为：1、在氟化镁衬底上磁控溅射氮化铌超导薄膜；2、光刻和剥离制备电极；3、用电子束光刻制备纳米线图形，并通过反应离子刻蚀获得氮化铌纳米线阵列；4、光刻电阻图案，并通过制备并联电阻；5、用电子束光刻制备波导图形，并通过等离子体增强化学气相沉积淀积SiOx波导。本发明的制备工艺步骤简单，成品率较高。
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公开(公告)号：CN113252167B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110544264.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱高效率超导单光子探测器及其制备方法，包括超导纳米线单元、电极、玻璃插芯、玻璃板套夹和光纤，光纤包括纤芯和包层；光纤嵌入在玻璃插芯内，玻璃插芯呈一定角度嵌入在玻璃板套夹内，该光纤、玻璃插芯和玻璃板套夹的端面均处于同一水平面上；超导纳米线单元设置在光纤的上表面并覆盖住纤芯；电极设置在包层上表面并位于超导纳米线单元两侧；本发明通过将超导纳米线单光子探测器设计在光纤端面，可制备得到宽光谱响应、高效率的光纤端面超导纳米线单光子探测器，大幅度提高了超导单光子探测器的集成度，降低了工艺制作步骤，从而扩展了应用领域。
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公开(公告)号：CN114335213A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111359465.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上制备高精度、大面积纳米结构的方法，在旋涂的电子束胶层与即将用于制备成微纳结构的薄膜层之间引入一层或多层导电层，增大电子束曝光过程中高能电子的释放速率，减小局域电场，从而有效避免大量电荷累积在绝缘衬底表面，为后续进一步制备出具有小尺寸、高密度以及大面积微纳结构的纳米电子器件奠定了一定的技术基础。
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