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公开(公告)号：CN112787507B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201911070415.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/157
Abstract: 本申请实施例提供一种电压转换器的控制电路、电压转换器和开关电源装置。所述电压转换器使开关元件通断从而将从输入电源供给的电源电压即第1直流电压转换为输出电压即第2直流电压并输出，所述控制电路包括：第1模数转换单元，其检测输出电压，并对所述输出电压进行模数转换，生成输出转换值；偏移校正单元，其生成对所述输出转换值进行校正的校正值；第1运算单元，其将所述输出转换值与所述校正值相加，作为输出校正值输出；以及控制单元，其根据所述输出校正值对所述开关元件的通断进行控制。本申请由于自动进行AD转换器的偏移调整，因此不需要检查时的调整，能够缩短检查时间并降低成本。
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公开(公告)号：CN117080218A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210501624.6
申请日：2022-05-10
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 石井孝明
IPC: H01L27/06
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置、制造方法以及电子设备。所述半导体装置形成于半导体基板，具有：有源区域，其设置有开关元件，开关元件具有与高压电路电连接的第一电极和与低压电路电连接的第二电极；二极管区域，其设置有二极管，二极管区域具有分别与第一电极和第二电极连接的第一端和第二端；以及配线，其连接第二电极与第二端；所述第二电极包括多晶硅，所述第二电极的电阻值小于所述二极管被击穿时所述二极管区域的电阻值。通过使与低压侧连接的第二电极的电阻值小于二极管被击穿时的二极管区域的电阻值，能够抑制第二电极的输入信号的降低，从而减小输入信号的传递偏差，进而减小在开关元件的面内的发射极电流密度的偏差。
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公开(公告)号：CN109979838B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN110707064B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN116599510A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210116403.7
申请日：2022-02-07
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 内藤裕也
IPC: H03K17/082
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括第一控制电路、第二控制电路、第一控制元件以及第二控制元件，通过将第一控制电路和第一控制元件之间的第一寄生元件的直流电流放大系数设为比第一控制电路和第二控制元件之间的第二寄生元件的直流电流放大系数小，从而在第二控制电路的供给电压发生变化时，能够抑制第一寄生元件的动作，防止第二控制电路持续输出高电平的第一控制信号，由此，在不会增大电路规模的同时防止负载持续流过大电流而损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383435B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201780087841.2
申请日：2017-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L27/095 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备氮化物系半导体层、开关元件和驱动用晶体管，所述开关元件包括：第1电极的第1部分，其形成在所述氮化物系半导体层上；第2电极，其形成在所述氮化物系半导体层上；及第1控制电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，且位于所述第1电极的第1部分与所述第2电极之间，所述驱动用晶体管包括：第1电极的第2部分，其形成在所述氮化物系半导体层上，将相邻的所述第1电极的第1部分彼此连接；第3电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，向所述第1控制电极发送信号；及第2控制电极，其形成在所述氮化物系半导体层上，且位于所述第1电极的第2部分与所述第3电极之间。由此，在断开开关元件时，即便施加给开关元件的漏极电压发生变动等，开关元件也能够保持断开状态。
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公开(公告)号：CN114766080A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202080025706.7
申请日：2020-11-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 林秀树
IPC: H03M1/46
Abstract: 提供A/D转换电路，能够消除过剩的[电容DAC稳定时间]的分配而实现高速化。一种模拟/数字转换电路(10)，其为逐次比较型，通过以与分辨率比特相应的量反复进行转换数据生成动作、电位生成动作和比较动作，将模拟输入转换为数字转换值，并且以与分辨率比特相应的量反复进行转换数据生成器(40)的转换数据生成动作、电容DAC(2)的电位生成动作和比较器(3)的比较动作，将模拟输入转换为数字转换值，该模拟/数字转换电路(10)具有比较器动作信号生成电路(5)，该比较器动作信号生成电路(5)根据对特性与电容DAC(2)中使用的电容C0～C(n‑1)相等的电容元件(51)的充放电时间，预测电容DAC(2)所生成的电位稳定的时刻，生成使比较器(3)开始比较动作的比较器动作信号。
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公开(公告)号：CN109309118B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN114342235A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201980099823.5
申请日：2019-09-30
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/00
Abstract: 提供一种电力转换装置，在微型计算机能够停止的状态下，输出电路能够立即停止电源供给。该电力转换装置具有：输出电路(10)，其执行将输入电力转换为规定的输出电力并输出的电力转换动作；以及微型计算机(20)，其从输出电路(10)的内部电源(12)被供给电源，控制输出电路(10)的电力转换动作，微型计算机(20)向输出电路(10)输出状态信号，该状态信号通知是能够停止电源的电源可停止期间、还是不能停止电源的电源不可停止期间，输出电路(10)具备电源停止电路(14)，当输入了指示电力转换动作停止的动作停止信号时，该电源停止电路在能够根据状态信号确认微型计算机(20)处于电源可停止期间的情况下，使从内部电源(12)向微型计算机(20)的电源供给停止。
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公开(公告)号：CN113168328A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099939.4
申请日：2018-12-11
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: G06F9/38 , G06F9/30 , G06F9/32 , G06F9/46 , G06F12/0875
Abstract: 本发明是一种处理器，该处理器进行管线处理，在该管线处理中，对多个线程进行处理，执行包括等待指令在内的与所述线程的线程编号对应的指令来并行地进行处理。管线处理部(1～4)具有获取部、解码部和运算执行部，其中所述获取部获取得到了执行权的所述线程的所述指令，所述解码部对由所述获取部所获取的指令进行解码，所述运算执行部执行由所述解码部解码后的指令。指令保持部(14‑0、14‑1)在得到了所述执行权的所述线程的所述等待指令的执行时，保持所述等待指令之后的下一个要处理的处理指令的指令获取的信息。执行线程选择部(5)根据等待指示来选择应执行的线程，在解除了从所述等待指令的执行时起的等待状态时，根据所述指令保持部所保持的所述处理指令的所述指令获取的信息而从所述处理指令的解码起执行。
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