一种钇掺杂氟化镁钡透明陶瓷及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116514552A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310500790.9

    申请日:2023-04-28

    摘要: 本申请提供一种钇掺杂氟化镁钡透明陶瓷及其制备方法和应用。所述透明陶瓷以氟化镁钡为基体以钇元素作为掺杂元素经烧结获得,其原料由氯化钡、氯化镁、硝酸钇和氟化钾组成,其中,钡离子、镁离子、钇离子和氟离子的摩尔比为(100‑150):(100‑150):(5‑12):(750‑900)。本发明还提供了改进的水浴法来制备所述钇掺杂氟化镁钡透明陶瓷,基于该方法,能够制备得到高纯度的纳米级氟化镁钡粉体,粉体尺寸分布较窄、几乎无团聚,该氟化镁钡粉体在保持晶粒粒径较小的同时有较高的烧结活性,可以显著提高烧结质量,获得具有较高光学性能的陶瓷样品,同时烧结后材料相组成未发生变化,保持了本身的非线性特性。

    一种复合式单元阵列结构的增透型光学元件及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115826105A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211625005.4

    申请日:2022-12-16

    IPC分类号: G02B1/118

    摘要: 本发明涉及一种复合单元阵列的增透型光学元件及其制备方法与应用。所述光学元件包括基片及基片入射面的微阵列结构;所述基片为800nm~1500nm波段范围高透的材质;所述微阵列结构为亚微米级别的凹陷,呈周期性重复排列,每一复合式单元由第一凹陷和第二凹陷复合构成,其中第二凹陷分布于第一凹陷外围,并且第二凹陷的环绕中心与第一凹陷的中心重合,复合式单元微结构阵列呈六方密排排列;复合式单元中心间距为550nm~750nm。该光学元件在近红外波段具有良好透过性,通过精密加工制备技术在基片入射面构建亚微米量级的微阵列凹坑,可实现800nm~1500nm波段范围的光学信号的减反增透、消杂散光的效果。