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公开(公告)号：CN102820310A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210188624.1
申请日：2008-03-19
申请人： 智慧投资II有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F1/50 , H01L21/31116
摘要： 本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法，图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶；图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小；和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN102709299A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210151627.8
申请日：2008-06-27
申请人： 智慧投资II有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14629 , H01L27/1464
摘要： 一种背照式图像传感器的像素，包括：衬底，具有正上表面和背侧；光电二极管，配置为响应从所述衬底的背侧接收的光以产生光电荷，其中所述光电二极管形成在所述衬底的所述正上表面附近；以及反射栅极，设置在所述光电二极管之上，并且配置为将从所述衬底的背侧接收的光反射到所述光电二极管的前侧，其中所述反射栅极还配置为接收偏压信号，以控制所述光电二极管的耗尽区的范围。
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公开(公告)号：CN101937924B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010269186.2
申请日：2006-10-25
申请人： 智慧投资II有限责任公司
发明人： 朴东赫
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643
摘要： 一种CMOS图像传感器，包括：第一光电二极管；浮动扩散节点，设置为与所述第一光电二极管相距一预定距离；第一转移晶体管的栅图案的一部分，设置在所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点之间；驱动晶体管的栅图案的一部分，设置为重叠所述浮动扩散节点的一部分，以形成重叠部分；接触孔，设置为暴露所述浮动扩散节点的一部分和所述重叠部分的一部分；以及第一接触部，设置为填充在所述接触孔中，且既与所述浮动扩散节点又与所述重叠部分接触。
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公开(公告)号：CN103400844B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310245920.5
申请日：2009-10-21
申请人： 智慧投资II有限责任公司
发明人： 雅罗斯拉夫.海尼塞克 , 伦纳德.福布斯 , 霍马尤恩.哈达德 , 托马斯.乔伊
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/48 , H01L23/544
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；设置在基板的背侧上的背侧钝化层；以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。
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公开(公告)号：CN102263118B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110205267.0
申请日：2009-10-21
申请人： 智慧投资II有限责任公司
发明人： 雅罗斯拉夫.海尼塞克 , 伦纳德.福布斯 , 霍马尤恩.哈达德 , 托马斯.乔伊
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；设置在基板的背侧上的背侧钝化层；以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。
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公开(公告)号：CN102132410B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN200980132289.X
申请日：2009-08-19
申请人： 智慧投资II有限责任公司
发明人： 河万崙
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L27/1463
摘要： 本发明公开了具有电可控钉扎层的钉扎光电二极管以及含有它的图像传感器。按照本发明的图像传感器在光电二极管耗尽的部分中不处于浮置状态。在该图像传感器中，将统一电压施加到所有像素的光电二极管钉扎层，并且将电压均衡地施加到掺杂场阑带。因此，该图像传感器能够在像素之间达到均匀钉扎，并且改善了像素之间的复位信号均匀性。而且，该图像传感器通过形成从场氧化膜到衬底的电场防止了串扰。
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公开(公告)号：CN1758441B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200510065653.9
申请日：2005-02-05
申请人： 智慧投资II有限责任公司
发明人： 金希珍
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14601 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 公开了一种图像传感器及其制造方法。在其上形成有器件的衬底上形成金属连线，该金属连线由下层金属连线、上层金属连线和连接下层与上层金属连线的插塞组成，其中下层与上层金属连线由透明导电膜图案制成，所述器件包括光电二极管和栅电极。然后在金属连线上依次形成钝化膜、滤色器和微透镜。金属连线的全部或一部分形成在透明导电膜图案中。这样，在光电二极管上形成了金属连线。
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公开(公告)号：CN102270651A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110172539.1
申请日：2008-03-19
申请人： 智慧投资II有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146 , G03F1/14
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F1/50 , H01L21/31116
摘要： 本发明是装置和图像传感器。本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法，图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶；图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小；和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN102257618B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200980151457.X
申请日：2009-10-21
申请人： 智慧投资II有限责任公司
发明人： 雅罗斯拉夫.海尼塞克 , 伦纳德.福布斯 , 霍马尤恩.哈达德 , 托马斯.乔伊
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种背侧照明的图像传感器，包括：基板；设置在基板的背侧上的背侧钝化层；以及设置在背侧钝化层上的透明导电层。
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公开(公告)号：CN102270651B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201110172539.1
申请日：2008-03-19
申请人： 智慧投资II有限责任公司
IPC分类号： H01L21/311 , G03F1/38
CPC分类号： H01L21/31144 , G03F1/50 , H01L21/31116
摘要： 本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法，图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶；图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小；和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。
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