公开(公告)号：CN105810698B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201510622474.4

申请日：2015-09-25

申请人： 采钰科技股份有限公司

发明人： 林绮涵 ,  魏正洋 ,  陈浩民

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

摘要： 本发明提供固态成像装置，其包含半导体基底含有多个光电转换元件，彩色滤光层包含彼此分隔的第一彩色滤光组件与第二彩色滤光组件设置于半导体基底上方，微透镜结构包含彼此分隔的第一微透镜元件与第二微透镜元件各别设置于第一与第二彩色滤光组件上，固态成像装置还包含填充空气的间隙，此间隙位于第一彩色滤光组件与第二彩色滤光组件之间，并且也位于第一微透镜元件与第二微透镜元件之间。本发明可增加固态成像装置的每一像素的灵敏度，例如信号对信噪比(signal to noise ratio,SNR10)，也可提升固态成像装置的量子效率(QE)。

公开(公告)号：CN107611150B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710719643.5

申请日：2014-03-03

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 柳政澔 ,  真锅宗平

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645

摘要： 一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。

公开(公告)号：CN104919592B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201480004441.7

申请日：2014-03-27

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 畑野启介

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14629 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14647 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/286 ,  H01L27/307

摘要： 一种固体摄像器件，其包括：第一构件，它包括光电转换部；以及第二构件，它包括具有凹面部的反射板，所述第二构件被接合至所述第一构件的与光入射面相背的表面，且所述反射板的所述凹面部面向所述光电转换部。

公开(公告)号：CN106158890B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201510202825.6

申请日：2015-04-27

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 廖吉庆 ,  赖宏岱 ,  车行远 ,  詹上毅

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

摘要： 本发明公开一种影像感应器，包含有一半导体基底，其具有一主动阵列区以及一周边电路区；多个感光元件，设于该主动阵列区内的该半导体基底中；一第一介电层，位于该半导体基底上，覆盖该主动阵列区以及该周边电路区；以及一第二介电层，位于该第一介电层上，其中该第二介电层中具有一凹陷区域对应于该主动阵列区，显露出该第一介电层的上表面，且由该第二介电层的一侧壁所定义出来的该凹陷区域的周围与该第一介电层的该上表面具有一夹角，其中该夹角小于90度。

公开(公告)号：CN105990384B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510759939.0

申请日：2015-11-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周耕宇 ,  庄君豪 ,  曾建贤 ,  丁世汎 ,  江伟杰 ,  山下雄一郎

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14645 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低‑n栅格由低‑n栅格部分组成，低‑n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低‑n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低‑n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。

公开(公告)号：CN105900238B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201380078180.9

申请日：2013-12-07

申请人： 弗托斯传感与算法公司

发明人： 豪尔赫·比森持·布拉斯科克拉雷特

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L31/02327 ,  G02B13/0085 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H04N5/2257 ,  H04N9/045 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及全光结构在图像传感器上的单片集成，其中在光传感器的衬底上利用具有低折射率的材料(包括或者不包括滤色镜和/或像素微透镜)并且在具有低折射率的所述材料上布置具有高折射率的材料来制造全光微透镜。直接在光传感器的衬底上制造全光微透镜。高集成密度的光传感器被以最小距离布置以最小化像素间干扰，为了高密度集成的目标，在邻近具有相同颜色的像素的光传感器的顶点上具有“变形的方向”的几何形状，从所述顶点移除任何光敏区域，以使光传感器远离具有相同颜色的邻近像素的噪声(具有相同颜色的邻近像素的辐照圆或者艾里盘)。通过距衬底不同距离处的全光微透镜的结构(在其周边上更小)和/或在其周边上的更不对称的轮廓和/或朝向传感器的周边的具有不同尺寸和形状的像素，来提高光效率。通过产生低折射率和高折射率的交替层来制造微物镜。

公开(公告)号：CN106707447B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201610995793.4

申请日：2016-11-11

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 陈伟平 ,  万宗玮

IPC分类号： G02B7/02

CPC分类号： G02B3/0062 ,  B32B37/12 ,  B32B2551/00 ,  G02B3/0031 ,  G02B13/0085 ,  G03B17/12 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

摘要： 堆叠透镜组件包括下基板和上基板。下基板包括下基板顶部表面，下基板顶部表面上具有下部元件和内部间隔件，内部间隔件至少部分地围绕下部元件。上基板包括上基板底部表面，上基板底部表面与下基板顶部表面相对且其上具有上部元件和外部间隔件，外部间隔件(i)被附接至内部间隔件并且(ii)至少部分地围绕上部元件。在平行于上基板并包括内部间隔件和外部间隔件的堆叠透镜组件的任一个剖面中，内部间隔件的整体在外部间隔件的周界内。

公开(公告)号：CN109661727A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780051732.5

申请日：2017-08-31

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 中食慎太郎 ,  狭山征博

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  G02B5/22 ,  H04N9/07

CPC分类号： H01L27/14621 ,  G02B5/201 ,  G02B5/208 ,  G02B5/223 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/374 ,  H04N9/07

摘要： 本发明涉及能够抑制混色发生的固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。所述固态成像装置设置有布置在像素区域中的多个像素。每个像素都具有：设置在光电转换单元上的第一光学滤波层；配置在第一光学滤波层上的第二光学滤波层；和用于针对各像素分隔第一光学滤波层的至少一部分的分隔壁。与至少一个所述像素对应的第一光学滤波层和第二光学滤波层中的一者由红外截止滤波器形成，而另一者由滤色器形成。本发明能够应用于设置有可见光像素的CMOS图像传感器。

公开(公告)号：CN109479101A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780041772.1

申请日：2017-07-11

申请人： 索尼公司

发明人： 宫谷佳孝

IPC分类号： H04N5/369 ,  G02B5/00 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/232 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378 ,  H04N9/07

CPC分类号： H04N5/374 ,  G02B5/00 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/225 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/232 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/378 ,  H04N9/07

摘要： 本公开涉及成像器件、成像元件和图像处理设备，使得能够在不使用成像透镜的情况下在像素之间实现多样性。由接收入射光的、具有根据来自包括被摄体的被摄体表面的入射光的入射角的不同入射角指向性的多个像素检测的检测图像被捕获，在其上形成被摄体表面的图像的恢复图像通过计算处理使用检测图像和根据到被摄体表面的距离设置的系数集合进行计算来产生。因为恢复图像通过使用相同的检测图像和对应于到被摄体表面的距离的系数集合进行计算来生成，所以使得能够在像素之间实现多样性。本公开适用于成像器件。

公开(公告)号：CN105489623B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201510642667.6

申请日：2015-09-30

申请人： 豪威科技股份有限公司

发明人： 郑伟 ,  刘家颖 ,  艾群詠 ,  杨武璋 ,  熊志伟 ,  陆震伟

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

摘要： 本发明涉及图像传感器、成像系统及图像传感器制作的方法。图像传感器包含具有多个光电二极管的半导体层。多个隔离结构安置于所述半导体层的背侧中在所述多个光电二极管中的个别光电二极管之间。所述多个隔离结构延伸到所述半导体层的所述背侧中第一深度且延伸出所述半导体层的所述背侧第一长度。接近于所述半导体层的所述背侧安置多个滤光器，使得所述多个隔离结构安置于所述多个滤光器中的个别滤光器之间。抗反射涂层还安置于所述半导体层与所述多个滤光器之间。