公开(公告)号：CN108878397B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201810442999.3

申请日：2018-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李光敏 ,  李泰渊 ,  石井胜

IPC: H01L23/498 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。

公开(公告)号：CN108696701A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810092712.9

申请日：2018-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贵德 ,  李泰渊 ,  李光敏 ,  石井胜

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。

公开(公告)号：CN108281434A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810010650.2

申请日：2018-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光敏 ,  权锡镇 ,  朴惠允 ,  李范硕 ,  任东模

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/374 ,  H01L27/14601 ,  H01L21/77 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14625

Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。

公开(公告)号：CN107039476A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611154548.7

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光敏 ,  罗敬远 ,  任东模 ,  林政昱 ,  权锡镇

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了图像传感器以及形成图像传感器的方法。一种图像传感器包括滤色器层。图像传感器包括相邻于滤色器层的侧壁的金属结构。图像传感器包括在滤色器层上的绝缘层。而且，图像传感器包括在绝缘层上的电极层。