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公开(公告)号：CN107925907A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051314.1
申请日：2016-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L47/365 , H04L67/2814 , H04L67/2857 , H04W28/08 , H04W84/042 , H04W84/12 , H04W88/06
Abstract: 本发明涉及为了支持比超第四代(4G)通信系统(例如，长期演进(LTE))更高的数据速率而提供的前五代(5G)或5G通信系统。提供一种在支持多个无线电接入接口(RAI)的移动通信系统中由站(STA)上传数据的方法。所述方法包括：在检测到存在待上传的内容时，确定多个RAI当中的第一RAI是否可用；以及当第一RAI可用时，通过第一RAI向代理服务器发送包括与内容相关的信息的报头消息和包括基于内容生成的多个分段中的至少一个分段的主体消息，以将多个分段中的至少一个分段上传到原始服务器。
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公开(公告)号：CN107079348A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053236.4
申请日：2015-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及用于传感器网络、机器对机器(M2M)通信、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。基于该技术，本发明可以用于智慧服务(智能家庭、智能建筑、智能城市、智能汽车或连网汽车、卫生保健、数字教育、零售商业、安全相关服务等等)。本发明涉及在用于支持多个无线电接入接口的移动通信系统中的终端的流传输服务数据接收方法，该方法包括通过多个无线电接入接口中的至少一个而从服务器接收流传输服务数据的步骤，其中选择至少一个无线电接入接口，使得可以以对应于应用于流传输服务的编码比特率的网络速度来接收流传输服务数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116483256A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310032658.X
申请日：2023-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李哲昊
Abstract: 提供一种存储装置、操作存储装置的方法以及车辆。所述存储装置包括：单元劣化测量电路，被配置为从主机接收请求单元劣化信息的单元劣化信息请求命令，并且响应于单元劣化信息请求命令将第一单元劣化信息提供给主机；以及非易失性存储器，包括多个存储器单元。单元劣化测量电路响应于单元劣化信息请求命令将数据写入所述多个存储器单元中的任何一个。在已经经过预定时间之后，单元劣化测量电路读取写入的数据。第一单元劣化信息基于对读取的数据执行的错误检测操作而被生成。
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公开(公告)号：CN103137199A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210505018.8
申请日：2012-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/06 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C11/5621 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C2029/0411
Abstract: 公开了一种存储器系统、数据存储设备、存储卡和固态驱动器，存储器系统包括：具有用户区和缓冲区的非易失性存储器；以及管理模式改变操作的磨损等级控制逻辑，在模式改变操作中，基于非易失性存储器的磨损等级信息，用户区的存储器块被部分改变到缓冲区。
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公开(公告)号：CN100585739C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510135399.5
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , G11C16/10 , G11C29/00 , H01L27/115 , G06F11/00
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C16/04 , G11C16/10 , G11C29/52 , G11C29/804 , G11C2029/0409 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：以组安排的页面缓冲区，每个组耦合到相应数据输出线，以便在程序验证操作期间可以将来自每个组中的多于一个页面缓冲区的数据同时表现在相应数据输出线上。页面缓冲区可以被安排在修复单元中，并且在列扫描操作期间来自多于一个页面缓冲区的数据被同时耦合到数据输出线。
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公开(公告)号：CN1905068A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107602.2
申请日：2006-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括存储单元阵列，该存储单元阵列具有以行和列方式排列的多个非易失性存储单元。通过对选定存储单元施加编程电压来对其编程。接下来，读取存储在选定单元中的数据位。然后，执行第一列扫描操作，以确定所选存储单元中的任一个是否未被充分编程。当确定所选存储单元中的至少一个未被充分编程时，执行第二列扫描操作以检测未被充分编程的选定存储单元的总数。当确定未被充分编程的选定存储单元的总数小于可由纠错电路纠正的数目时，编程操作用编程通过状态终止。
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公开(公告)号：CN1832042A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200510135399.5
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06 , G11C16/10 , G11C29/00 , H01L27/115 , G06F11/00
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C16/04 , G11C16/10 , G11C29/52 , G11C29/804 , G11C2029/0409 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：以组安排的页面缓冲区，每个组耦合到相应数据输出线，以便在程序验证操作期间可以将来自每个组中的多于一个页面缓冲区的数据同时表现在相应数据输出线上。页面缓冲区可以被安排在修复单元中，并且在列扫描操作期间来自多于一个页面缓冲区的数据被同时耦合到数据输出线。
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