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公开(公告)号：CN109728025B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN108269813B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201711430935.3
申请日：2017-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可包括衬底，其包括多个单元像素区并且具有彼此面对的第一表面和第二表面。单元像素区中的每一个可包括：在衬底中彼此间隔开的多个浮置扩散部件；存储节点，它们设置在衬底中并且与浮置扩散部件间隔开，并且面对浮置扩散部件；转移栅极，其邻近于浮置扩散部件与存储节点之间的区；以及光电转换部件，它们按次序堆叠在第一表面和第二表面之一上。光电转换部件中的每一个可包括分别设置在其顶表面和底表面上的公共电极和像素电极，并且各个像素电极可电连接至对应的一个存储节点。
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公开(公告)号：CN108696701B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810092712.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
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公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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公开(公告)号：CN109728025A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811286478.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108288623A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711344138.3
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：光敏元件，响应于入射光来生成电荷；存储二极管，形成在衬底中，其中存储二极管存储由光敏元件生成的电荷；浮置扩散区域，形成在衬底的顶面中并且与存储二极管间隔开；以及转移栅极，至少部分地埋置在衬底的顶面的下方，其中转移栅极控制电荷从存储二极管向浮置扩散区域转移。
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公开(公告)号：CN111199990B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201911124423.3
申请日：2019-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型；光电转换区域，所述光电转换区域在所述半导体衬底中并且具有第二导电类型；氧化物半导体图案，所述氧化物半导体图案与所述半导体衬底的第一表面相邻；以及传输门，所述传输门在所述第一表面上并且与所述光电转换区域和所述氧化物半导体图案相邻。
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公开(公告)号：CN108695353B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201810325115.6
申请日：2018-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区，其中半导体衬底与第一导电类型相关，浮动扩散区与第二导电类型相关，势垒掺杂区与第一导电类型相关，以及电荷漏区与第二导电类型相关。
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公开(公告)号：CN117954460A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311316274.7
申请日：2023-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了堆叠式图像传感器。所述堆叠式图像传感器包括：第一半导体基底，包括光电转换区域和浮置扩散区域；第一绝缘层，在第一半导体基底下方并且包括传输晶体管的栅极；第二半导体基底，在第一绝缘层下方并且包括第一导电类型的第一杂质；以及第二绝缘层，在第二半导体基底下方并且包括浮置扩散节点的金属垫和源极跟随器晶体管的栅极，其中，浮置扩散区域和浮置扩散节点的金属垫通过位于第一绝缘层和第二半导体基底中的深接触件电连接。第二半导体基底还包括阱区域。深接触件的至少一部分可在阱区域中。阱区域可围绕深接触件。
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公开(公告)号：CN110191294B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811502055.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括彼此竖直地重叠的第一传感器像素和第二传感器像素。所述第一传感器像素包括第一信号发生电路和第一光电转换器，所述第一光电转换器连接到第一信号发生电路，并且被配置为从具有第一波长的光生成第一信息。所述第二传感器像素包括第二信号发生电路和第二光电转换器，所述第二光电转换器连接到第二信号发生电路，并且被配置为从具有第二波长的光生成第二信息。所述第一光电转换器的水平表面面积不同于所述第二光电转换器的第二水平表面面积。一种图像传感器模块包括所述图像传感器；光源，所述光源被配置为向目标对象发射光；以及双带通滤波器，所述双带通滤波器被配置为选择性地通过从所述目标对象反射的光。
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