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公开(公告)号：CN110246896A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910052818.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。
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