公开(公告)号：CN115942864A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211159014.9

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  金铉埈 ,  辛瑜暻 ,  徐锺汎 ,  郑昌和

IPC: H10N97/00

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。

公开(公告)号：CN114203669A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110723495.0

申请日：2021-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  朴正敏 ,  林汉镇 ,  崔在亨

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：接合垫，在基底上；下电极，在接合垫上，下电极包括外保护层、在外保护层的相对侧壁之间的导电层和在导电层的相对侧壁之间的内保护层；第一支撑图案，在下电极的侧表面上，第一支撑图案包括支撑孔；介电层，在下电极和第一支撑图案中的每个的表面上；以及上电极，在介电层上。外保护层包括氧化钛，导电层包括氮化钛，并且内保护层包括氮化钛硅。在水平剖视图中，外保护层具有在介电层与导电层之间延伸的弧形形状。