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公开(公告)号：CN117355131A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310586220.6
申请日：2023-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；与所述衬底垂直地间隔开的第一支撑体图案和第二支撑体图案，所述第二支撑体图案与所述第一支撑体图案垂直地间隔开；下电极孔，在所述衬底上垂直地延伸；下电极，位于所述下电极孔内部，接触所述第一支撑体图案和所述第二支撑体图案的侧壁，所述下电极包括第一层、第二层和第三层，所述第一层沿着所述下电极孔的侧壁的一部分和底表面设置，所述第二层位于所述第一层之间，所述第三层位于所述第一层的上表面和所述第二层的上表面上，所述第一层和所述第三层包括与所述第二层不同的材料，并且所述第三层的至少一部分的侧壁朝向所述第三层凹入，在所述垂直方向上与所述第二层交叠，并且在所述垂直方向上与所述第二层间隔开。
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公开(公告)号：CN116406226A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211309072.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底上的底部电极。在平面图中，支撑图案设置在底部电极之间。顶部电极覆盖底部电极和支撑图案。介电层设置在底部电极与顶部电极之间以及支撑图案与顶部电极之间。盖图案插置在底部电极与介电层之间以及支撑图案与介电层之间。盖图案覆盖支撑图案的侧表面的至少一部分，并且延伸以覆盖支撑图案的顶表面和底部电极的顶表面。
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公开(公告)号：CN1722379B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200510078339.4
申请日：2005-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31122
Abstract: 在金属-绝缘体-金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107464807B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN107464807A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN102005456A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010264991.6
申请日：2010-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L23/00 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。
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公开(公告)号：CN114203669A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110723495.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：接合垫，在基底上；下电极，在接合垫上，下电极包括外保护层、在外保护层的相对侧壁之间的导电层和在导电层的相对侧壁之间的内保护层；第一支撑图案，在下电极的侧表面上，第一支撑图案包括支撑孔；介电层，在下电极和第一支撑图案中的每个的表面上；以及上电极，在介电层上。外保护层包括氧化钛，导电层包括氮化钛，并且内保护层包括氮化钛硅。在水平剖视图中，外保护层具有在介电层与导电层之间延伸的弧形形状。
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公开(公告)号：CN1722379A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510078339.4
申请日：2005-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/31122
Abstract: 在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。
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