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公开(公告)号：CN108962856A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810132860.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
Abstract: 一种半导体存储器芯片包括高位数据焊盘区域、低位数据焊盘区域和附加焊盘区域。高位数据焊盘、高位数据选通信号对焊盘和高位数据屏蔽信号焊盘被布置在高位数据焊盘区域中。低位数据焊盘、低位数据选通信号对焊盘和低位数据屏蔽信号焊盘被布置在邻近高位数据焊盘区域且在其下方的低位数据焊盘区域中。用于第二半导体存储器封装并在内部连接到用于第一半导体存储器封装的高位数据屏蔽信号焊盘的反转的终止数据选通信号焊盘，被布置在邻近高位数据焊盘区域并在其上方的附加焊盘区域中。
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