-
公开(公告)号：CN100502048C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510081791.6
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , G02F1/136 , G09G3/38
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/3244 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , H01L51/0541
Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)，其包括：栅极：均与栅极绝缘的源极和漏极；及适于与源极和漏极均接触的有机半导体层，该有机半导体层与栅极绝缘；其中该有机半导体层包括其粒径比有机半导体层其他部分粒径小的边界区，该边界区包围有机半导体层的至少一个沟道区以及源和漏区。
-
公开(公告)号：CN100481569C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410102061.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种有机电致发光显示器件，包括：一衬底，一形成在所述衬底上的第一电极，一形成在所述第一电极上的有机层，以及一形成在所述有机层上的第二电极。所述有机层包括一有机发射层和一有机材料层，并且所述有机材料层具有粗糙度在Rms 11至Rms 50的一表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1575070B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200410049394.6
申请日：2004-06-09
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5052 , Y10S428/917
Abstract: 一种有机发光器件，包括阳极；阴极；介于阳极与阴极之间的发射层；及介于阳极与发射层之间的空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层，其中空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层包含基质(host)材料，及作为电子接受体的掺杂材料，该掺杂材料的电子亲合力比基质材料的大至少0.1eV。
-
公开(公告)号：CN1665359B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200410075766.2
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/504 , H01L27/322 , H01L51/001 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H01L51/5036
Abstract: 提供了一种发白光的有机电致发光装置和具有该装置的有机电致发光显示器。有机电致发光装置包括第一电极，第二电极，和置于第一电极和第二电极之间的发光层，该发光层具有荧光层和磷光层。由此，可以获得亮度产率提高的发白光的有机电致发光装置。
-
公开(公告)号：CN1828963B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610008933.0
申请日：2006-01-14
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
Abstract: 提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。
-
公开(公告)号：CN100576987C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200410082069.X
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M5/443 , B41M2205/06 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013
Abstract: 一种热转移元件，因为转移可以在低温下执行所以能够提高转移特性。该热转移元件，包括：作为支撑衬底的底部衬底；形成在底部衬底上以将入射光转换为热能的光-热转换层；形成在光-热转换层上以形成图像的转移层；以及形成在底部衬底和光-热转换层之间以便于光-热转换层从底部衬底分层的释放层。该释放层包括具有25℃或更小的玻璃化转化温度(Tg)的硅聚合物。在进一步的实施例中，该热转移元件包括隔层，其形成在光-热转换层和转移层之间以保护光-热转换层。
-
公开(公告)号：CN100568572C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510131536.8
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 杨南喆
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0017 , H01L51/0516 , H01L51/0541
Abstract: 提供一种有机TFT、其制造方法和具有该有机TFT的平板显示器。有机TFT包括形成在基板表面上的源极和漏极、包括源极区域和漏极区域以及位于源极和漏极上的沟道区域的有机半导体层、位于上述有机半导体层上方的栅极、和位于有机半导体层表面上的第一绝缘层，其中至少在部分有机半导体层和第一绝缘层中、在包括源极和漏极区域以及沟道区域的活性区域的外侧形成通孔。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.026 seconds)
