一种利用电化学法提高高温超导带材性能的方法

    公开(公告)号:CN108648879A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810276673.8

    申请日:2018-03-30

    IPC分类号: H01B13/00 H01B12/06

    CPC分类号: H01B13/00 H01B12/06

    摘要: 本发明公开了一种利用电化学法提高高温超导带材性能的方法,包括如下工序:a)配制有机溶液;b)去除高温超导带材样品的保护层;c)利用配置的有机溶液电化学处理已去除保护层的高温超导带材;d)取出电化学法处理后的高温超导带材样品,并将其干燥;e)在干燥后的高温超导带材样品表面沉积保护层;f)将沉积有保护层的高温超导带材样品进行通氧退火处理。本发明的方法可以明显提高高温超导带材的超导转变温度、临界电流密度等性能。同时该方法简单、易于操作、完全重复可控。

    制备CeO2种子层的多通道激光镀膜方法

    公开(公告)号:CN102268643A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110197344.2

    申请日:2011-07-14

    发明人: 李贻杰

    IPC分类号: C23C14/28 C23C14/08 C23C14/54

    摘要: 本发明公开一种制备CeO2种子层的多通道激光镀膜方法,该方法采用多通道传动装置,在退火后的镍-钨金属基带上通过多通道激光蒸发镀膜方法制备CeO2种子层。在镀膜过程中,通过辊轴缠绕多次通过镀膜区,从而大大加快了基带上CeO2种子层镀膜速度,可达每小时百米以上,适合于公里级长带的制备。本发明镀膜时采用的气氛为氩气和氢气的混和气体。氩气为惰性气体,主要起缓冲作用。氢气的主要作用是在镀膜过程中消耗镀膜腔内残留的氧气,以防止在高温镀膜情况下基带表面氧化从而影响CeO2种子层的取向。另外,镀膜气氛采用氩气和氢气的混和气体可以大大降低对镀膜系统本底真空度的要求,节省设备投资,降低带材成本。

    制备YSZ缓冲层的多通道激光镀膜方法

    公开(公告)号:CN102251219A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110201920.6

    申请日:2011-07-19

    发明人: 李贻杰

    IPC分类号: C23C14/28 C23C14/08 H01L39/24

    摘要: 本发明公开一种制备YSZ缓冲层的多通道激光镀膜方法,首先将镍-钨金属基带或哈氏合金带、不锈钢带等金属基带装入镀膜腔,多次缠绕在多通道激光镀膜设备的金属带材传动装置的带辊上,然后将加热器温度升到镀膜温度;打开氧气通道;启动YSZ靶操纵器,开始YSZ激光蒸发靶台的x-方向和y-方向扫描及旋转运动;打开激光器的光路窗口,开始对YSZ靶台进行预蒸发;开始镀膜;金属基带通过传动装置的辊轴多次缠绕,多次通过加热器,最后关闭相应设备。本发明采用多通道激光镀膜法来制备YSZ缓冲层,不仅克服了单通道激光镀膜法的镀膜区域小这一缺点,大大提高了镀膜速度,而且充分发挥了激光镀膜法的各项优点,制成的YSZ缓冲层具有单一取向,表面质量优越,结晶性高。

    一种铁硒碲硫超导靶材及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114242333A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111587628.2

    申请日:2021-12-23

    IPC分类号: H01B12/00 H01B12/02 H01B12/06

    摘要: 本发明涉及一种铁硒碲硫超导靶材及其制备方法与应用,铁硒碲硫超导靶材的制备方法包括以下步骤:1)将铁粉、硫粉、硒粉及碲粉混合均匀,得到混合粉体;2)将混合粉体进行研磨,得到研磨后的粉体;3)将研磨后的粉体进行压制处理,得到压块;4)将压块置于耐高温管中,之后抽真空并对耐高温管进行密封;5)进行多段升温烧结处理,经降温后即得到铁硒碲硫超导靶材。与现有技术相比,本发明不但将总烧结时长减少至62小时左右,提高了靶材制备效率;而且,通过在不同温度区间的烧结,大大降低了硫、硒元素的挥发蒸气压,避免了石英管的炸裂,得到均匀性好、致密度高的块体,并有效降低了Fe7Se8等非超导相的生成,提高了Fe(Se,Te,S)靶材的超导性能。

    一种基于REBCO模版的SERS基底及制备方法

    公开(公告)号:CN105671492B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201610031709.7

    申请日:2016-01-18

    摘要: 本发明公开了一种基于REBCO模版的SERS基底及其制备方法,所述SERS基底包括REBCO模版层及所述REBCO模版层外表镀覆的金属修饰层;其中,所述REBCO模版层的厚度在10~2000nm连续可调,结构从非晶到多晶,a、b轴取向及c轴取向或混合取向任意可调;所述金属修饰层为金属薄膜或者金属颗粒层;所述金属修饰层的厚度为5~200nm。本发明的基底及其制备方法与现有技术相比,优势在于:利用本发明制备的SERS基底均一性好,灵敏度高,且具有金属柔性特征,可满足多种应用需求;REBCO生长机理和生长方法已被大量研究,精确控制下的产业化生产容易实现;同时本发明的制备方法简单,生长过程中的实验参数相对化学方法更加容易控制,产业化制备成本可以低于0.5$/cm2。