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公开(公告)号：CN110751978B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910981001.1
申请日：2019-10-16
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 高璐
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本申请涉及半导体集成电路设计和测试技术领域，具体涉及一种用于非挥发性存储器的测试校调方法及测试校调电路。用于非挥发性存储器的测试校调方法包括：接收控制信号；根据所述控制信号确定工作模式；从非挥发性存储器中读出修整数据；当所述工作模式为用户模式时，验证所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中的数据是否一致；一致时，发送反馈信号。用于非挥发性存储器的测试校调电路包括：接口模块、模式控制模块、测试模块和响应分析模块；所述接口模块用于接收控制信号。本申请通过选择工作模式后从非挥发性存储器的OTP区中自动载入修整数据，从而能够简化用户模式下的验证流程。
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公开(公告)号：CN104575620A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410503104.4
申请日：2014-09-26
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C29/46
摘要： 本发明公开了一种非挥发性存储器读数据速度的校准电路，其两个D触发器的时钟端都连接读数据时钟信号，第一个D触发器的Q端通过一个反相器连接到D端，第二个D触发器的D端连接数据逻辑处理单元的输出端、Q端连接到RS触发器的S端；第一个D触发器的Q端输出切换开关组的切换信号，使得数据逻辑处理单元的输入端在读取第一数据和第二数据的两种状态间切换，并使得在正常读取速度下数据逻辑处理单元输出1、非正常读取速度下输出0；RS触发器的R端连接使能信号，Q端用于检测读取速度是否正常。本发明还公开了一种非挥发性存储器读数据速度的校准方法。本发明能避免亚稳态所带来的问题。
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公开(公告)号：CN111696617A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010465009.5
申请日：2020-05-28
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 本申请涉及半导体集成电路设计和测试技术领域，具体涉及一种非挥发性存储器读数据速度测试电路和测试方法。其中，测试电路包括读信号路径，其输出端连接非挥发性存储器的读取端；读信号路径能够根据测试时钟信号，输出读信号给读信号输入端；地址路径，其包括用于输出经过时序平衡的地址信号的第一地址单元和时序平衡选择器，时序平衡选择器用于选择并输出第一地址单元的输出信号；比对输出路径，其比对端连接非挥发性存储器的输出端，用于将非挥发性存储器输出端的输出数据与预设的比对数据进行比对，并输出比对结果，可以解决相关技术中非挥发性存储器读取数据的时间TAA的测算出现偏差的问题，能够提高TAA测试的精度。
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公开(公告)号：CN111696614A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010475586.2
申请日：2020-05-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 高璐
摘要： 本发明公开了非挥发性存储器冗余存储的控制测试电路及控制测试方法，包括模式控制模块、冗余地址载入模块、寄存器组和地址比较器；模式控制模块用于确定工作模式；在测试模式下，地址比较器产生测试的存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，对NVM存储阵列进行测试并将错误行地址及有效位标识写入NVM存储阵列的OTP区域中；在自动载入模式下，冗余地址载入模块将错误行地址和有效位标识通过校验读出且当校验通过后存入寄存器组；在用户工作模式下，地址比较器产生存储阵列地址和冗余存储阵列使能信号，并自动利用冗余存储阵列行替换NVM存储阵列中的错误行。本发明将测试模式和用户工作模式下的替换功能融于一体，提高了良率，简化了客户设计及操作。
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公开(公告)号：CN110751978A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910981001.1
申请日：2019-10-16
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 高璐
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本申请涉及半导体集成电路设计和测试技术领域，具体涉及一种用于非挥发性存储器的测试校调方法及测试校调电路。用于非挥发性存储器的测试校调方法包括：接收控制信号；根据所述控制信号确定工作模式；从非挥发性存储器中读出修整数据；当所述工作模式为用户模式时，验证所述修整数据与前次写入所述非挥发性存储器中的数据是否一致；一致时，发送反馈信号。用于非挥发性存储器的测试校调电路包括：接口模块、模式控制模块、测试模块和响应分析模块；所述接口模块用于接收控制信号。本申请通过选择工作模式后从非挥发性存储器的OTP区中自动载入修整数据，从而能够简化用户模式下的验证流程。
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公开(公告)号：CN103871481B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201210535905.X
申请日：2012-12-12
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明公开了一种用于非挥发性存储器的逻辑控制器，包括：模式选择模块、上电逻辑模块、数据读写模块、自动检测模块及测试控制模块。模式选择模块用于产生工作状态及工作模式。上电逻辑模块完成在用户状态下模拟量一顺序载入、自动调整以及测试状态下的单步调试。测试控制模块完成在测试状态下包括电流电压在内的模拟量二的手动测试，并通过测试输出端口输出测试结果。自动检测模块用于对存储阵列的数据的进行自动比较及检测。数据读写模块能在写过程中控制高压产生模块并完成数据的读写操作。非挥发性存储器和外部模块之间通过调试总线进行数据交换。本发明能实现非挥发性存储器的自动操作及测试，能简化系统的连接。
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公开(公告)号：CN105577185A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410527935.5
申请日：2014-10-09
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： H03L7/24
摘要： 本发明公开了一种OSC频率自动校准电路，包括：参数产生电路，OSC电路，分频电路，频率计数电路，校准结束判断电路，参数增减控制电路；通过分频电路对OSC电路输出的时钟信号进行分频后再进行频率计数，频率计数电路输出时钟信号和中心频率的误差值以及表示误差正负的计数方向，参数产生电路根据误差值和计数方式对控制参数进行调整并反馈到OSC电路实现对OSC电路的时钟信号的频率调整并最终实现自动校准。本发明还公开了一种OSC频率自动校准电路的自动校准方法。本发明能实现低速数字电路校准高频OSC，能快速锁定中心频率范围、缩小OSC频率输出范围。
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公开(公告)号：CN103325423B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210073811.5
申请日：2012-03-20
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 本发明公开了一种非挥发性存储器的数据自动比较测试电路，包括：地址累加器、地址映射选择器、系统控制器、地址边界控制器。地址累加器用于完成测试电路地址的加减。地址映射选择器实现测试电路地址和非挥发性存储器地址之间的映射，并产生非挥发性存储器地址。地址边界控制器由段地址产生模块和段地址计算模块组成，用于将非挥发性存储器分割成多个数据段，以及计算各数据段的地址边界以及产生分段比较的停止条件。本发明能减少加法电路的使用、减少电路面积，能灵活有效的实现地址的分段比较，能实现不同位数的数据灵活比较。
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