公开(公告)号：CN112713219B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202011605117.4

申请日：2020-12-29

申请人： 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)

发明人： 崔慧源 ,  王兵兵 ,  陈雨璐 ,  王晓东 ,  刘文辉 ,  童武林 ,  陈栋 ,  秦世宏 ,  吴翼飞 ,  王洋刚 ,  王添雄

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/09

摘要： 本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法，包括：步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面，注入As离子或者P离子，采用炉管进行退火；步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层；步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层；步骤S4:在阻挡层上，形成局部的正电极接触区；在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内，形成台面结构。步骤S5：在所述台面表面、侧壁及其底部，沉积二氧化硅钝化层；步骤S6：在二氧化硅钝化层上，开正负电极孔；步骤S7：在正、负电极孔内，形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率，提升探测灵敏度。

公开(公告)号：CN112731547A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011587131.6

申请日：2020-12-28

申请人： 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)

发明人： 童武林 ,  陈雨璐 ,  王兵兵 ,  王晓东 ,  刘文辉 ,  陈栋 ,  王添雄 ,  崔慧源 ,  吴翼飞 ,  秦世宏 ,  王洋刚

IPC分类号： G01V8/10 ,  G01V13/00

摘要： 本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。基于超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。

公开(公告)号：CN111651714A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN202010426031.9

申请日：2020-05-19

申请人： 上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)

发明人： 王晓东 ,  陈雨璐 ,  王兵兵 ,  张传胜 ,  童武林 ,  胡永山 ,  张晧星 ,  张伟 ,  陈栋

IPC分类号： G06F17/12 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种优化氮化镓雪崩探测器n型层厚度的方法，包括如下步骤：获取氮化镓雪崩探测器物理模型的参数，构建其数值模型；根据数值模型获取固定p电极偏压UF下的光谱响应率RS随入射波长λ变化的曲线；获得不同n型层厚度hn所对应的光谱响应率曲线；分别获取固定窗口区波长λ1与固定短波区波长λ2对应的光谱响应率RS随n型层厚度hn变化的曲线；获取拟合固定p电极偏压UF下的光谱抑制比Rr随n型层厚度hn变化的曲线的函数式；获取拟合探测器缺陷密度Dd随n型层厚度hn变化的曲线的函数式；根据所得函数式比值获取最佳n型层厚度。本发明优点在于对于不同结构和不同工艺的氮化镓雪崩探测器均可提取出最佳n型层厚度。