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公开(公告)号：CN111653636A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010404348.2
申请日：2020-05-13
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , G02B5/00
摘要： 本发明提供了一种台面式硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及制备方法，包括：负电极部件(4)、衬底部件、吸收层部件(3)、阻挡层部件、金属光栅部件(2)以及正电极部件(1)；所述正电极部件(1)设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件(3)设置于正电极部件(1)下方；所述负电极部件(4)设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件(2)设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件(1)包括：正电极接触区构件(101)；所述正电极接触区构件(101)设置于正电极部件(1)的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。
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公开(公告)号：CN111191403A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911357959.X
申请日：2019-12-25
IPC分类号： G06F30/30
摘要： 本发明提供了一种优化BIB探测器响应率的方法及BIB探测器，首先通过数值模拟及数据拟合得到探测器最佳工作温度关于不同工作偏压的函数式，进而根据该函数式及设置的工作偏压提取出相应的最佳工作温度，该工作温度在设置的工作偏压下能使制作的BIB探测器的响应率达到最优。本发明能够针对不同材料体系及不同工艺条件得到的BIB探测器提取出最佳工作温度与工作偏压的关系，由此得到工作偏压及相应最佳工作温度在内的最佳工作条件，根据最佳工作条件对探测器的工作偏压及工作温度进行设置，则探测器的响应率将具有最优值，从而避免为了优化响应率而对探测器的工作条件进行反复设置，极大地缩短了探测器的调试周期并提高了调试的准确度。
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公开(公告)号：CN111651714B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010426031.9
申请日：2020-05-19
摘要： 本发明提供一种优化氮化镓雪崩探测器n型层厚度的方法，包括如下步骤：获取氮化镓雪崩探测器物理模型的参数，构建其数值模型；根据数值模型获取固定p电极偏压UF下的光谱响应率RS随入射波长λ变化的曲线；获得不同n型层厚度hn所对应的光谱响应率曲线；分别获取固定窗口区波长λ1与固定短波区波长λ2对应的光谱响应率RS随n型层厚度hn变化的曲线；获取拟合固定p电极偏压UF下的光谱抑制比Rr随n型层厚度hn变化的曲线的函数式；获取拟合探测器缺陷密度Dd随n型层厚度hn变化的曲线的函数式；根据所得函数式比值获取最佳n型层厚度。本发明优点在于对于不同结构和不同工艺的氮化镓雪崩探测器均可提取出最佳n型层厚度。
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公开(公告)号：CN111191403B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201911357959.X
申请日：2019-12-25
IPC分类号： G06F30/30
摘要： 本发明提供了一种优化BIB探测器响应率的方法及BIB探测器，首先通过数值模拟及数据拟合得到探测器最佳工作温度关于不同工作偏压的函数式，进而根据该函数式及设置的工作偏压提取出相应的最佳工作温度，该工作温度在设置的工作偏压下能使制作的BIB探测器的响应率达到最优。本发明能够针对不同材料体系及不同工艺条件得到的BIB探测器提取出最佳工作温度与工作偏压的关系，由此得到工作偏压及相应最佳工作温度在内的最佳工作条件，根据最佳工作条件对探测器的工作偏压及工作温度进行设置，则探测器的响应率将具有最优值，从而避免为了优化响应率而对探测器的工作条件进行反复设置，极大地缩短了探测器的调试周期并提高了调试的准确度。
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公开(公告)号：CN112713219A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011605117.4
申请日：2020-12-29
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/09
摘要： 本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法，包括：步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面，注入As离子或者P离子，采用炉管进行退火；步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层；步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层；步骤S4:在阻挡层上，形成局部的正电极接触区；在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内，形成台面结构。步骤S5：在所述台面表面、侧壁及其底部，沉积二氧化硅钝化层；步骤S6：在二氧化硅钝化层上，开正负电极孔；步骤S7：在正、负电极孔内，形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率，提升探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN114927585A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
发明人： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN111653636B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010404348.2
申请日：2020-05-13
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , G02B5/00
摘要： 本发明提供了一种集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括：负电极部件、衬底部件、吸收层部件、阻挡层部件、金属光栅部件以及正电极部件；所述正电极部件设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件设置于正电极部件下方；所述负电极部件设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件包括：正电极接触区构件；所述正电极接触区构件设置于正电极部件的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。
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公开(公告)号：CN112289872A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181384.3
申请日：2020-10-29
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括高纯砷化镓衬底和依次设置在高纯砷化镓衬底上的公共负电极接触层、砷化镓掺硫吸收层、本征砷化镓阻挡层、氮化硅钝化层，以及正电极接触层、正电极、负电极；本征砷化镓阻挡层上设置有容纳正电极接触层的正电极凹槽；本征砷化镓阻挡层、砷化镓掺硫吸收层上开设有倒梯形负电极凹槽，氮化硅钝化层分布在本征砷化镓阻挡层表面以及倒梯形负电极凹槽的侧面；正电极、负电极分别设置在正电极接触层的、倒梯形负电极凹槽表面，负电极通过倒梯形负电极凹槽的底面与公共负电极接触层连接。本发明能够在正照和背照模式下工作，采用倒梯形负电极凹槽，有利于提高电学连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN116581179A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310432414.0
申请日：2023-04-20
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种垂直台面型锗掺镓太赫兹焦平面探测器及其制备方法，包括：高导锗衬底，所述高导锗衬底的一面依次层叠设置有锗掺镓吸收层、正电极接触区以及氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层通过开孔形成有正电极孔；所述高导锗衬底的另一面设置有负电极接触区。本发明采用高导锗衬底外延锗掺镓吸收层，解决平面型探测器中离子注入形成吸收层厚度受限的问题，便于调控吸收层的掺杂浓度和厚度，提高吸收层对长波红外辐射的吸收效率及器件响应率；采用垂直台面型光电导结构设计，避免了本征层的生长，降低了工艺难度，同时较厚的吸收层也提升了器件的吸收能力，有利于大阵列焦平面器件制备，可以有效降低像元间串扰，从而减弱器件的噪声。
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公开(公告)号：CN114927585B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
发明人： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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