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公开(公告)号：CN103412008A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310366247.0
申请日：2013-08-21
申请人： 东北大学
摘要： 本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域，具体涉及一种用于低温检测H2的Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器及制备方法。本发明包括一个覆有叉指铂金电极的氧化硅基板和气敏感应层，所述的气敏感应层是由Pd掺杂的SnO2纳米线分散而成，其中Pd与SnO2纳米线的质量比为1：（15～468）。其制备方法是首先利用热蒸发法制备SnO2纳米线，然后将SnO2纳米线分散到覆有叉指铂金电极的氧化硅基板上形成SnO2纳米线感应层，再将PdCl2乙醇溶液分散到SnO2纳米线感应层上，于300～400℃的温度下热处理1h，最终获得Pd掺杂SnO2纳米线气体传感器。本发明在低温工作条件下具有优良的气敏特性，可逆性和重现性好，有效的解决了传统气体传感器在低温区域气敏特性较差的不足。
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公开(公告)号：CN113569503B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110905117.4
申请日：2021-08-08
申请人： 东北大学
IPC分类号： G06F30/28 , G06F30/10 , G06F113/08 , G06F119/14
摘要： 本发明提供一种螺旋溜槽断面几何分段优化与组合设计方法，包括：基于实际试验的验证和修正，建立高精度的螺旋溜槽内流场及固体颗粒场计算模型；确定目标工况下螺旋溜槽的结构参数、操作参数及物料性质；对传统抛物线型断面进行区域划分，并利用线段代替内缘和中部的断面曲线；基于响应面分析法设计组合断面几何优化数值试验；利用SolidWorks软件构建不同组合断面几何的螺旋溜槽物理模型；将计算区域离散成六面体网格，并导入至CFD软件进行数值计算；利用Design‑Expert软件对数值计算结果进行响应面优化分析；输出内缘线段和中部线段的横向倾角，最终得到组合断面几何的优化设计结果。本发明能够提高组合断面几何螺旋溜槽的分离性能及其设计效率。
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公开(公告)号：CN109761262B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910194506.3
申请日：2019-03-14
申请人： 东北大学
摘要： 一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法及应用，属于半导体氧化物气敏传感器领域。一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法：①将CuSO4·5H2O、柠檬酸三钠和NaOH按照摩尔比为1～1.3：0.8～1：5～5.3配制成混合溶液，160℃水热反应12h后冷却、洗涤、干燥得CuO纳米棒；②将氯金酸溶液和氯化钯溶液按Au与Pd原子摩尔比1:1的比例混合于40mL乙醇溶液中，调节溶液pH值为9，得贵金属溶液；③向贵金属溶液加入CuO纳米棒，Au与Pd原子摩尔数之和是Cu原子摩尔数的1％～5％，干燥，热处理。本发明能够显著降低获得最大气体灵敏度的工作温度，且掺杂方法简单，贵金属利用率高。
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公开(公告)号：CN111908894A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010806954.7
申请日：2020-08-12
申请人： 东北大学
IPC分类号： C04B33/132 , C04B33/32 , C04B38/06 , C01G51/04 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供的基于铁尾矿的多孔基板制备及应用其制备Co3O4的方法。具体是以废弃的铁尾矿为原料，通过混料磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的铁尾矿多孔基板，随后采用水热合成法在铁尾矿多孔基板表面制备Co3O4纳米线。本专利克服了现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，拓展了铁尾矿的利用途径。
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公开(公告)号：CN110108760B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910408125.0
申请日：2019-05-15
申请人： 东北大学
摘要： 本发明提供一种基于Zn元素掺杂α‑Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法，以黄铁矿为原料，通过化学浸出法得到含Fe3+的浸出液来合成α‑Fe2O3纳米材料，再通过向前驱液中掺入Zn元素以制备出灵敏度较高、选择性较好的新型α‑Fe2O3基气敏材料，然后将掺杂Zn元素的α‑Fe2O3基气敏材料通过浆液的形式均匀涂覆到电极元件表面得到气敏元件，克服现有α‑Fe2O3气敏材料制备成本高、灵敏度低及选择性差等方面存在的问题。
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公开(公告)号：CN108956715B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810794404.0
申请日：2018-07-19
申请人： 东北大学
摘要： 本发明属于金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域，具体涉及到一种Au@WO3核壳结构纳米球及其制备方法，以及该Au@WO3核壳结构纳米球在NO2传感器中的应用。本发明通过模板法制备出了具有核壳结构的单分散Au@WO3纳米球，然后将所得的Au@WO3核壳结构纳米球均匀涂覆于陶瓷电极或平面电极上，经过老化处理制备成气体传感器。本发明所述的NO2传感器具有较好的响应和恢复特性，在工作温度为100℃时可获得对NO2的最大灵敏度，能够对ppb级的NO2进行检测，具有优异的选择性和长期稳定性，能够有效克服传统金属氧化物半导体式气体传感器检测下限高，选择性和长期稳定性较差等不足，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110426420B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910728426.1
申请日：2019-08-08
申请人： 东北大学
摘要： 本发明公开了一种由纳米棒自组装而成的WO3微米梭的NH3气敏元件及其制备方法，属于半导体氧化物的气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件与均匀涂覆在电极元件上的WO3微米梭组成，所述WO3微米梭由WO3纳米棒自组装而成，所述WO3微米梭的直径为0.4～1.5μm、长度为0.6～1.4μm，所述WO3纳米棒的直径为15～33nm、长度为80～1050nm，所述WO3微米梭为六方相晶体结构。本发明所述的由纳米棒自组装而成的WO3微米梭具有晶相单一、结晶度高、形貌均匀一致、孔隙率高、比表面积大等结构特性。本发明所述气敏元件具有对NH3气体的高选择性、低工作温度的快速响应等特点。
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公开(公告)号：CN108046829B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711382868.2
申请日：2017-12-20
申请人： 东北大学
摘要： 本发明涉及一种非金属矿物多孔基板及其制备方法和应用，属于非金属矿物材料应用领域。一种非金属矿物多孔基板，其表面及内部均具有均匀分布的圆形或椭圆形的孔隙，显气孔率为30％～55％，抗弯强度为3Mpa～6Mpa，其按下述方法制得：将非金属矿物材料颗粒与造孔剂、粘结剂混合均匀，获得混合粉末；将混合粉末；压制成型后进行烧结，打磨，既得。本发明通过模压烧结工艺制备出了孔隙率高、耐高温、结构强度大的多孔基板，并将其应用于热蒸发法合成纳米气敏材料中。
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公开(公告)号：CN110255621B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910649152.7
申请日：2019-07-18
申请人： 东北大学
摘要： 本发明提供一种WO3纳米花材料的制备及其在气体传感器中的应用。采用NaOH浸出工艺提取白钨精矿中的钨，以获得含钨的浸出液；将浸出液加入到HCl溶液中形成钨酸沉淀物，将洗涤后的钨酸加入去离子水以及H2O2溶解；用HCl溶液调混合溶液pH值至1.2～1.8，经100～180℃恒温条件下反应4～16h后，获得由纳米片自组装而成的WO3纳米花，该纳米花的直径为300～420nm、厚度为100～140nm，纳米片的长度为170～390nm、宽度为120～140nm、厚度为30～50nm，具有六方相晶体结构。将此WO3纳米花涂覆于陶瓷管外表面的金电极上，然后经老化处理制备成气体传感器。基于本发明方法制备NO2气体传感器，可以实现对低浓度、甚至ppb级NO2气体的高选择性、低工作温度的快速响应。
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公开(公告)号：CN110426420A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910728426.1
申请日：2019-08-08
申请人： 东北大学
摘要： 本发明公开了一种由纳米棒自组装而成的WO3微米梭的NH3气敏元件及其制备方法，属于半导体氧化物的气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件与均匀涂覆在电极元件上的WO3微米梭组成，所述WO3微米梭由WO3纳米棒自组装而成，所述WO3微米梭的直径为0.4～1.5μm、长度为0.6～1.4μm，所述WO3纳米棒的直径为15～33nm、长度为80～1050nm，所述WO3微米梭为六方相晶体结构。本发明所述的由纳米棒自组装而成的WO3微米梭具有晶相单一、结晶度高、形貌均匀一致、孔隙率高、比表面积大等结构特性。本发明所述气敏元件具有对NH3气体的高选择性、低工作温度的快速响应等特点。
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