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公开(公告)号：CN115684289A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211144629.4
申请日：2022-09-20
申请人： 东北大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明涉及一种SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料及其制备方法和在NH3传感器中的应用，属于气体传感器领域。一种SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料，所述SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料的微观形貌为SnO2量子点均匀生长在硫化物表面，其中，SnO2量子点的晶体结构为四方相晶体结构；所述硫化物为由硫化物纳米片组装而成的分级多孔花状结构，所述硫化物为MoS2或SnS2，晶体结构为六方相晶体结构。本发明的SnO2量子点‑硫化物复合气敏材料通过SnO2量子点的高活性，硫化物表面丰富的成核位点和高的载流子迁移速率，以及二者之间形成异质结构的协同效应，解决了室温条件下NH3传感器灵敏度低，响应/恢复速率慢的问题。
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公开(公告)号：CN109850948B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201910194494.4
申请日：2019-03-14
申请人： 东北大学
摘要： 一种用白钨精矿合成Au掺杂WO3纳米片的方法和应用，涉及半导体氧化物的气体传感器领域。一种用白钨精矿合成Au掺杂WO3纳米片的方法，方法如下：采用NaOH浸出工艺对白钨精矿进行转化及初步提纯，以获得含钨酸钠的浸出液，将溶液稀释成钨酸钠浓度为0.019～0.044mol/L的溶液作为前驱体，与HAuCl4溶液、CaCl2溶液混合，所述混合比例为Au、W与Ca的摩尔比为0.3％～1％：1：3～14。基于本发明方法制备的Au掺杂WO3纳米片NO2气敏元件，可以实现对低浓度、甚至ppb级NO2气体的高灵敏度、高选择性的快速检测。采用廉价、低污染的白钨精矿为钨源，从原材料及制备过程大幅度的降低成本。
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公开(公告)号：CN110357606B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910706283.4
申请日：2019-08-01
申请人： 东北大学
IPC分类号： C04B35/19 , C04B35/195 , C04B41/85 , G01N27/12
摘要： 本发明提供一种基于沸石基板的In2O3纳米材料制备及其应用，以价格低廉的天然沸石为原料，通过破碎磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的沸石基板，随后采用水热合成法在沸石基板上制备出花状In2O3纳米材料，并将长有In2O3纳米材料的基板制成气敏元件对其气敏特性进行考查，克服现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，并拓展了沸石的应用途径。
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公开(公告)号：CN110261445B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910627455.9
申请日：2019-07-12
申请人： 东北大学
摘要： 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110412088A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910728452.4
申请日：2019-08-08
申请人： 东北大学
摘要： 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109850948A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910194494.4
申请日：2019-03-14
申请人： 东北大学
摘要： 一种用白钨精矿合成Au掺杂WO3纳米片的方法和应用，涉及半导体氧化物的气体传感器领域。一种用白钨精矿合成Au掺杂WO3纳米片的方法，方法如下：采用NaOH浸出工艺对白钨精矿进行转化及初步提纯，以获得含钨酸钠的浸出液，将溶液稀释成钨酸钠浓度为0.019～0.044mol/L的溶液作为前驱体，与HAuCl4溶液、CaCl2溶液混合，所述混合比例为Au、W与Ca的摩尔比为0.3％～1％：1：3～14。基于本发明方法制备的Au掺杂WO3纳米片NO2气敏元件，可以实现对低浓度、甚至ppb级NO2气体的高灵敏度、高选择性的快速检测。采用廉价、低污染的白钨精矿为钨源，从原材料及制备过程大幅度的降低成本。
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公开(公告)号：CN109632894A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910027216.X
申请日：2019-01-11
申请人： 东北大学
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/127
摘要： 本发明一种贵金属原位共掺杂CuO基NO2气敏材料的制备及其应用，涉及CuO基纳米材料制备领域。贵金属原位共掺杂CuO纳米材料制备方法包括以下步骤：向去离子水中分别加入1.3mmol的CuSO45H2O和0.8～1mmol的柠檬酸三钠，搅拌后加入5～5.3mmol的NaOH，得溶液A；将375～1875μL浓度为0.017mol/L的氯金酸溶液和650～3250μL浓度为0.01mol/L的氯化钯溶液混合，得溶液B；将溶液B加入溶液A中，160℃条件下水热反应12h得到反应产物；冷却洗涤干燥热处理。上述方法制得的材料可制备气敏性能优越、适用于低工作温度检测的NO2气体传感器。
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公开(公告)号：CN109187665A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811103292.6
申请日：2018-09-20
申请人： 东北大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域，具体涉及一种基于非水解溶胶-凝胶WO3多孔薄膜的NO2气敏元件及其制备方法。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的WO3多孔薄膜气敏层组成，所述WO3多孔薄膜由WO3纳米凝胶颗粒旋涂而成，所述WO3纳米凝胶颗粒直径为20～60nm，所述WO3为单斜晶体结构。本发明方法操作简单、反应易于控制、合成周期短，有效解决了传统制备方法成本高、合成周期长等缺点。通过该方法制备的气体气敏元件在工作温度100℃时获得对NO2气体的最大灵敏度，响应和恢复时间短、选择性高，是具有良好发展前景的NO2气敏元件。
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公开(公告)号：CN109115843A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811103289.4
申请日：2018-09-20
申请人： 东北大学
CPC分类号： G01N27/127 , C01G49/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64
摘要： 本发明属于零维金属氧化物半导体材料的气体传感器技术领域，具体涉及一种Cu掺杂ZnFe2O4纳米颗粒及其制备方法和应用。将FeCl3、ZnCl2、CuCl2和CON2H4按摩尔比10:10:8～15:330溶于去离子水中，其中FeCl3与去离子水的比例为1:50mol/L，磁力搅拌，得到混合溶液；经洗涤、干燥、热处理后得Cu掺杂ZnFe2O4纳米颗粒。将Cu掺杂ZnFe2O4纳米颗粒制成低温气体传感器的气敏涂层，该气体传感器在25～50℃时即可获得对H2S气体的较大灵敏度，解决了传统金属氧化物半导体式气体传感器在低温区域气敏特性较差的问题，是具有良好发展前景的气体传感器。
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公开(公告)号：CN108046829A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711382868.2
申请日：2017-12-20
申请人： 东北大学
摘要： 本发明涉及一种非金属矿物多孔基板及其制备方法和应用，属于非金属矿物材料应用领域。一种非金属矿物多孔基板，其表面及内部均具有均匀分布的圆形或椭圆形的孔隙，显气孔率为30％～55％，抗弯强度为3Mpa～6Mpa，其按下述方法制得：将非金属矿物材料颗粒与造孔剂、粘结剂混合均匀，获得混合粉末；将混合粉末；压制成型后进行烧结，打磨，既得。本发明通过模压烧结工艺制备出了孔隙率高、耐高温、结构强度大的多孔基板，并将其应用于热蒸发法合成纳米气敏材料中。
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