一种定量计算控制棒芯体的辐照肿胀量的方法

    公开(公告)号:CN115221457B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211140526.0

    申请日:2022-09-20

    Abstract: 本发明提出一种定量计算控制棒芯体的辐照肿胀量的方法,包括:计算初始未辐照时半径为R0、长度为L的控制棒芯体包含的原子总数N0;计算经辐照时间x后半径变为Rx、长度不变的控制棒芯体包含的原子总数Nx;根据Nx=N0得出Rx关于R0的表达式;计算辐照过程由化学成分变化引起的控制棒芯体的半径肿胀量;通过压缩蠕变试验估算控制棒芯体的热蠕变速率;计算辐照过程由高温蠕变引起的控制棒芯体的半径肿胀量;计算控制棒芯体的辐照肿胀量。本发明可以得出控制棒芯体的辐照肿胀随辐照时间的变化规律,计算结果与反应堆控制棒肿胀的实测结果符合性较好,验证了控制棒芯体辐照肿胀的计算方法的准确性。

    控制棒中子吸收体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115679145B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211135233.3

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种控制棒中子吸收体材料及其制备方法,中子吸收体材料组份包括Ag‑I n‑Cd合金基体以及弥散均匀分布于Ag‑I n‑Cd合金基体中的氧化钇颗粒。其制备方法包括:步骤S1、称取Ag、CdO、I n、Cd、Y原料;步骤S2、采用多阶段熔炼工艺将Ag、CdO、I n、Cd、Y原料熔炼得到含有氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金,多阶段熔炼工艺包括至少两个阶段的熔炼;步骤S3、将Ag‑I n‑Cd合金进行轧制变形处理,轧制完成后进行退火处理。与现有技术比较,本发明所提出的含有弥散分布的氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金与屈服强度和抗拉强度提升了50%以上,在材料强度方面提升显著,且并不会对延伸率造成明显的下降,十分适用于制作控制棒芯体,从而保障核反应堆长期安全运行。

    控制棒中子吸收体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115679145A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211135233.3

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种控制棒中子吸收体材料及其制备方法,中子吸收体材料组份包括Ag‑I n‑Cd合金基体以及弥散均匀分布于Ag‑I n‑Cd合金基体中的氧化钇颗粒。其制备方法包括:步骤S1、称取Ag、CdO、I n、Cd、Y原料;步骤S2、采用多阶段熔炼工艺将Ag、CdO、I n、Cd、Y原料熔炼得到含有氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金,多阶段熔炼工艺包括至少两个阶段的熔炼;步骤S3、将Ag‑I n‑Cd合金进行轧制变形处理,轧制完成后进行退火处理。与现有技术比较,本发明所提出的含有弥散分布的氧化钇颗粒的Ag‑I n‑Cd合金与屈服强度和抗拉强度提升了50%以上,在材料强度方面提升显著,且并不会对延伸率造成明显的下降,十分适用于制作控制棒芯体,从而保障核反应堆长期安全运行。

    一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法与仪器

    公开(公告)号:CN104977336B

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201510376679.9

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种量化测定氧化膜微观缺陷的方法,通过测定氧化膜的纯电子传导电流或电阻和离子向氧化膜中迁移形成的电流或阻抗,由离子迁移电流或阻抗与纯电子传导电流或电阻的差异及其数值,来量化表征氧化膜中的微观缺陷。本发明的有益效果是:本发明的方法能客观量化表征氧化膜微观缺陷的情况,如缺陷尺度、分布密度等,而不只是定性地了解,能反映出微观缺陷在宏观尺度(10mm)上的分布情况;本方法不需要制样,可在样品上直接测量,方便快捷,避免了制样过程造成的影响及人为因素的影响。

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