公开(公告)号：CN111900764A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010788540.6

申请日：2020-08-07

申请人： 中国矿业大学

发明人： 耿乙文 ,  王会彬 ,  张旭 ,  陈翔 ,  洪冬颖 ,  韩鹏 ,  廖强 ,  黄汉江 ,  张国平

IPC分类号： H02J3/38 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387

摘要： 本发明公开了一种模块化三相五电平电流型并网逆变器调制均流方法，根据三相电感电流调制量获取矢量作用扇区，将矢量作用扇区经过3s/2s坐标转换得到两相静止坐标系的α轴分量和β轴分量，计算得到矢量作用时间，得到二值逻辑开关时间状态，确定目标逻辑开关控制策略，将二值逻辑开关时间状态中各个逻辑变量的取值调节至与目标逻辑开关控制策略一致，以重新确定相应逆变器的二值逻辑开关时间状态，按照改正的逆变器二值逻辑开关时间状态进行相应控制，达到均流目的，这样在直流母线的电感电流不平衡时，仅修正相应的二值逻辑开关状态，简化冗余矢量，减小了开关组合的切换，提高直流利用率，易于扩展到更多电平的电流源型逆变器(CSI)。

公开(公告)号：CN113131723B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202110406715.7

申请日：2021-04-15

申请人： 中国矿业大学

发明人： 耿乙文 ,  陈方诺 ,  陈翔 ,  洪冬颖 ,  韩鹏 ,  杨尚鑫 ,  马立亚 ,  李贺龙

IPC分类号： H02M1/00 ,  H02M3/155

摘要： 本发明公开了一种适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法，适用于氮化镓器件的技术领域；首先将基于增强型氮化镓高电子迁移率晶体管eGaN HEM的半桥电路中续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通的过程划分为数个阶段；确定半桥电路中点到负载中点的电流方向并判断主开关管和续流管；获取半桥电路及eGaN HEMT的参数信息；求得开关各个阶段的方程组的数值解；通过数值解得到开关过程中每个阶段的持续时间；根据开关过程各阶段的持续时间计算出续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通过程的最优死区；根据计算出的最优死区，结合电路实际情况进行死区优化设置。实施过程简便，精确度较高，并且具有广泛的实用性。

公开(公告)号：CN112636348B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202011454418.1

申请日：2020-12-10

申请人： 中国矿业大学

发明人： 耿乙文 ,  王会彬 ,  李贺龙 ,  马立亚 ,  杨尚鑫 ,  陈翔 ,  洪冬颖 ,  韩鹏 ,  陈方诺

IPC分类号： H02J3/01 ,  H02J3/38 ,  H02M1/084 ,  H02M1/088 ,  H02M1/12 ,  H02M7/493 ,  H02M7/5387

摘要： 本发明提供一种模块化三相电流型并网逆变器控制方法，属于逆变器控制领域。对该并网逆变器三相电网电压、输出三相电压、三相并网电流以及直流侧电流进行clark坐标变换；经锁相环处理得到并网电压相位；由MPPT模块生成直流侧电流指令值，与实际值做差经PI控制器得到两相旋转坐标系的d轴并网电流指令值，再经过内环PI控制器，得到调制信号；将逆变器输出电压经过阻尼比例系数得到有源阻尼反馈量；将三相电网电压先通过199阶重复预测器，再经过FIR低通滤波器得到电网电压前馈分量；将调制信号、有源阻尼反馈量、电网电压前馈分量叠加，得到最终的调制信号；最后经过LC滤波器滤除高次谐波实现并网控制。本方法步骤简单，使用方便，使用效果好。

公开(公告)号：CN113595369A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110823481.6

申请日：2021-07-21

申请人： 中国矿业大学

发明人： 耿乙文 ,  郑京港 ,  杨尚鑫 ,  马立亚 ,  李贺龙 ,  陈翔 ,  韩鹏 ,  洪冬颖 ,  陈瑞成 ,  夏帅

IPC分类号： H02M1/32 ,  H02M7/483 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/12 ,  H02M1/44

摘要： 本发明公开了一种共直流母线双三电平逆变器桥臂故障容错方法，适用于双三电平逆变器系统桥臂故障容错。共直流母线双三电平逆变器包括双三电平逆变器以及六个双向晶闸管，六个双向晶闸管分别与共直流母线的双三电平逆变器的六个桥臂直流侧中点连接，当双三电平逆变器中某桥臂故障时，通过导通相应桥臂连接的双向晶闸管即可进行拓扑重构，在零共模电压矢量调制策略的基础上，将一侧三电平逆变器通过拓扑重构变为三相八开关拓扑，通过将容错后剩余的各扇区零共模电压矢量的作用时间确认确定各零共模电压矢量的作用顺序，从而成脉冲序列的输出，实现共直流母线双三电平逆变器任意桥臂故障容错，同时系统零序电压为零。其方法简单，具有广泛的适用性。

公开(公告)号：CN113131723A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110406715.7

申请日：2021-04-15

申请人： 中国矿业大学

发明人： 耿乙文 ,  陈方诺 ,  陈翔 ,  洪冬颖 ,  韩鹏 ,  杨尚鑫 ,  马立亚 ,  李贺龙

IPC分类号： H02M1/00 ,  H02M3/155

摘要： 本发明公开了一种适用于增强型氮化镓器件的半桥电路死区优化设置方法，适用于氮化镓器件的技术领域；首先将基于增强型氮化镓高电子迁移率晶体管eGaN HEM的半桥电路中续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通的过程划分为数个阶段；确定半桥电路中点到负载中点的电流方向并判断主开关管和续流管；获取半桥电路及eGaN HEMT的参数信息；求得开关各个阶段的方程组的数值解；通过数值解得到开关过程中每个阶段的持续时间；根据开关过程各阶段的持续时间计算出续流管关断、主开关管开通与主开关管关断、续流管开通过程的最优死区；根据计算出的最优死区，结合电路实际情况进行死区优化设置。实施过程简便，精确度较高，并且具有广泛的实用性。