一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法及其应用

    公开(公告)号:CN108298542A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201710021554.3

    申请日:2017-01-12

    Abstract: 本发明提供一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法,包括以下步骤:1)将SiC粉末在还原气氛下,在600-1200℃下进行预处理;2)再将步骤1)中经预处理后的SiC在惰性气氛下,在1100-1800℃进行保温后,获得所需表面生长石墨烯的SiC。本发明进一步提供了上述方法制得的一种石墨烯与碳化硅复合物催化剂及其应用。本发明提供的一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法及其应用,能够制备出高质量石墨烯/碳化硅复合物,作为催化剂,其性能得到了极大的提高,可以用于二氧化碳的光分解、光电催化还原二氧化碳、电催化还原二氧化碳、电解水中。

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