一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法及其应用

    公开(公告)号:CN108298542A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201710021554.3

    申请日:2017-01-12

    Abstract: 本发明提供一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法,包括以下步骤:1)将SiC粉末在还原气氛下,在600-1200℃下进行预处理;2)再将步骤1)中经预处理后的SiC在惰性气氛下,在1100-1800℃进行保温后,获得所需表面生长石墨烯的SiC。本发明进一步提供了上述方法制得的一种石墨烯与碳化硅复合物催化剂及其应用。本发明提供的一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法及其应用,能够制备出高质量石墨烯/碳化硅复合物,作为催化剂,其性能得到了极大的提高,可以用于二氧化碳的光分解、光电催化还原二氧化碳、电催化还原二氧化碳、电解水中。

    一种在Ni上生长Cu纳米线获得的催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108311150A

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201710031326.4

    申请日:2017-01-17

    Abstract: 本发明提供一种在Ni上生长Cu纳米线获得的催化剂的制备方法,包括以下步骤:1)将基底Ni在氧化气氛下进行氧化后,再在还原气氛下进行还原;2)再将获得的产物与铜盐溶液混合,进行置换反应,将Cu置换到基底Ni上,获得NiCu基底;3)将NiCu基底在焙烧气氛下进行焙烧,即得所需在Ni片上生长Cu纳米线获得的催化剂。本发明还进一步提供了在Ni上生长Cu纳米线获得的催化剂及其应用。本发明提供的一种在Ni上生长Cu纳米线获得的催化剂及其制备方法和应用,能够构建非酶葡萄糖传感器用于对葡萄糖的检测,具有良好的电催化活性,良好的抗干扰能力,线性范围广,检测限低,灵敏度高,选择性好,重现性高且有良好的稳定性。

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